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71.
72.
NH3的同步辐射光电离 总被引:2,自引:0,他引:2
用同步辐射光在10.0-11.8eV能量范围内测量了NH3的光电离效率曲线,观察到在台阶状的离子振动谱上叠加了丰富的自电离结构。通过相应振动结构分析,得到NH3分子离子基电子态的振动波数ωe和非谐性常数(ωeχe),对于出现的自电离结构可归类于nsa1(n=5,6),npa1(n=5,6)和npe(n=6,7)Rydberg系列。 相似文献
73.
Optical-quality films of a few μm thickness are a basic re- quirement for integrated optics[1-3]. Since such films are thick by normal coating standards, a number of special- ized methods have been developed to form them. The sol-gel processing is one approach because of the high optical quality of materials produced and freedom to im- pregnate them with a variety of additives to modify their optical characteristics. It is a popular and widespread technique for preparing coating films in labo… 相似文献
74.
对船舶柴油机而言,润滑油常受到冷却液的污染,引起润滑油劣化变质,从而导致其功能失效.冷却液的主要成分是水、乙二醇及少量的防腐蚀、抗穴蚀、消泡沫等添加剂.将拉曼光谱用于检测润滑油被冷却液污染的浓度,是一种针对复杂混合物的拉曼光谱检测问题,单个拉曼峰强度的定量分析方法无法满足浓度的定量检测.为此,将拉曼光谱分析和LSTM神... 相似文献
75.
对相互作用玻色子-费米子模型体系,在哈密顿量不具有动力学对称性的普遍情况下,构造体系的内禀态,借助于推转模型方法,讨论变形奇A核的转动惯量,提出计算转动态能量的解析方法,以153,155,157Eu为例,分析了方法的合理性. 相似文献
76.
考察了 J/ψ→π+π- π0 衰变中的 A值分布 ,所定义的 A值是一个由末态π介子动量构成的一个无量纲的量 A =(Pπ-x Pπ+y - Pπ-x Pπ+y ) /P+π P- π ,其中 Ph、Phx 与 Phy 分别表示强子 h的动量的大小、该动量沿 X轴与 Y轴方向的分量 .这里 J/ψ是由 e+e- 碰撞产生的 ,而 e+的动量方向被取为 Z轴正向 .如果实验上能够证实 A的事例平均值〈A〉不等于零 ,则存在 CP(由电荷共轭变换与空间反演变换构成的联合变换 )或者 T(时间反演变换 )破坏 .通过筛选到的 748个事例 ,测得〈 A〉=0 .0 10 39± 0 .0 146 1± 0 .0 15 2 .进而 ,对于深入研究所需的数据样本大小和可能达到的观测水平作了数值估算 . 相似文献
77.
为了提高分幅相机的像面一致性,从分孔径和分振幅两种分幅方法的原理出发,分析了物体辐射特性影响像面一致性的原因.基于光纤传像器件匀光作用,提出了一种提高像面一致性的方法,并以棱锥分孔径实现六分幅为例,在LightTools软件中仿真了光纤面板厚度、纤芯直径、光线入射角度等参量对像面一致性的影响.结果表明,当光束主光线在光纤前端的入射角在±15°内变化时,增大光纤面板厚度或减小纤芯直径,可使得六幅像面能量差小于0.3%.基于光纤传像器件的棱锥分幅结构,可有效提高分幅相机的像面一致性. 相似文献
78.
利用环境扫描电子显微镜(ESEM)对粘度在5000mpa.s的高取代度羧甲基瓜尔胶及其降解产物的胶液微观结构进行了表征,并且与海藻酸钠胶液的微观结构相比,显示出不同程度的结构差异。这种结构差异导致其流变行为的差异。结果显示降解高取代度羧甲基瓜尔胶与海藻酸钠胶液的微观结构及流变性能接近,在物理性能和化学性能上较为符合活性染料印花糊料的要求。 相似文献
79.
微孔激光器作为应用于近场光信息存储系统中的一种新型光源,它的出射光斑的近场特性对于近场光存储是十分重要的。针对纳米孔径运用角谱进行Fox-Li数值迭代,得到不同孔径微孔激光器的基模光强分布,然后运用二维非线性时域有限差分法分析微孔激光器出射端即微孔金属膜的近场光学性质,模拟计算了不同孔径和厚度的微孔金属膜的光强近场分布,从应用于近场光存储的角度,给出反映其近场光学特性的相关数据。发现由于TM模式下金属存在局域表面等离子增强效应,使得其出射强度比TE模式高一个数量级,从而更适于作为实际中近场光存储系统和原理试验的光学头。 相似文献
80.
Radiation induced offstate leakage in the shallow trench isolation regions of SIMC 0.18 μm nMOSFETs is studied as a function of dose rate. A "true" dose rate effect (TDRE) is observed. Increased damage is observed at low dose rate (LDR) than at high dose rate (HDR) when annealing is taken into account. A new method of simulating radiation induced degradation in shallow trench isolation (STI) is presented. A comparison of radiation induced offstate leakage current in test nMOSFETs between total dose irradiation experiments and simulation results exhibits excellent agreement. The investigation results imply that the enhancement of the leakage current may be worse for the dose rate encountered in the environment of space. 相似文献