惯性敏感器群的信息融合技术

本文利用统计方法和矩阵理论,推导出多个惯性敏感元件的输出信息融合后的统计模型.模型表明若有n个惯性敏感元件对同一参数进行测量,它们的输出经过合理融合后综合输出的精度比不同元件的平均精度可提高(x)倍.仿真结果证实,综合处理后的输出比单个惯性敏感元件的输出精度有很大程度的提高.     

数学教学原则新探

1　对传统数学教学原则的思考数学教学原则是指导数学教学实践的一般原理 ,是进行数学教学活动应遵循的准则 .它的制定是依据数学的教育目标 ,按照有关科学原理 ,并吸取广大数学教师多年来在教学实践中获得的成功经验等等概括而成 .但由于考虑的侧重点不同 ,大家提出的具体内容也有所区别 ,没有定论 .有的侧重于教育哲学的高度论述 ,有的侧重于数学的特点分析 ,有的侧重于教师教的方面研究 ,有的侧重于学生学的特点考虑 ,有的则是侧重于教育学的一般原理延伸 ,如汉斯·弗赖登塔尔提出 :“苏格拉底方法原则 ;再创造原则 ;数学化原则 ;严谨性…     

Suppressing the hot carrier injection degradation rate in total ionizing dose effect hardened nMOSFETs

Annular gate nMOSFETs are frequently used in spaceborne integrated circuits due to their intrinsic good capability of resisting total ionizing dose (TID) effect. However, their capability of resisting the hot carrier effect (HCE) has also been proven to be very weak. In this paper, the reason why the annular gate nMOSFETs have good TID but bad HCE resistance is discussed in detail, and an improved design to locate the source contacts only along one side of the annular gate is used to weaken the HCE degradation. The good TID and HCE hardened capability of the design are verified by the experiments for I/O and core nMOSFETs in a 0.18 μm bulk CMOS technology. In addition, the shortcoming of this design is also discussed and the TID and the HCE characteristics of the replacers (the annular source nMOSFETs) are also studied to provide a possible alternative for the designers.     

一种气体吸收的逐线计算模型及其实验验证

建立一种高分辨率的气体吸收光谱的逐线计算模型,分子谱线参数数据库采用了最新的低温库HITRAN2008和高温库HITEMP2010,能根据温度条件自动选择合适的谱带参数库,并可同时满足高温和常温气体辐射计算。计算波数采用等间隔取样,取样间隔大小以能分辨出典型分子谱线为条件确定。线翼截断采取等波数截断,总内配分函数由Gamache拟合三次多项式计算。谱线线型根据气体温度和压力来选择,最后,利用该模型计算了压力为1atm,不同温度、浓度和路径长度下CO2在4.3μm和2.7μm的透射率。考虑FTIR仪器增宽,将逐线计算结果降为窄带透射率,与中分辨率的试验结果对比均吻合,并能在较宽的温度范围内保证精度。