SRM 768——超导固定点温度的复现

在~3He-~4He稀释致冷机上复现了SRM768的全部五个超导固定点(即AuIn_2,AuAl_2,Ir,Be,W)的转变温度T_e和转变曲线,给出了转变宽度w和互感变化△M。提供了测量过程中的技术要点。对结果作了分析讨论。     

液氮温区Y-Ba-Cu-O超导薄膜的研究

我们采用了rf磁控反应溅射的方法,在单晶ZrO_2YSZ和多晶SrTiO_3等基片上成功地制备了Y-Ba-Cu-O超导薄膜。所获得的零电阻转变温度达81K。膜厚为1—2μm。 本文对膜的成分、基片、R-T曲线和热处理过程等作了叙述。     

光泵Ba/He系统582.8nm碰撞诱导荧光辐射及其弛豫振荡

观察到光泵Ba/He混合物产生的582.8nm碰撞诱导荧光新谱线及其弛豫振荡.进行理论分析和计算,结果与实验相符合.     

分离电离室同步辐射束线位置监测器

本文介绍的分离电离室同步辐射光束线(在X射线能区)垂直位置监测器,可同时监测束线绝对垂直位置和相对总强度.束线无阻挡通过.常规X源实验结果表明原理可靠,方法简便,性能稳定,可投入实用.     

A FREE RECTANGULAR PLATE ON THE TWO-PARAMETER ELASTIC FOUNDATION

This paper provides a rigorous solution of a free rectangular plate on the V.Z. Vlazovtwo-parameter elastic foundation by the method of superposition. In this paper we derivebasic solutions under the various boundary conditions. To superpose these basic solutionsthe most generally rigorous solution of a free rectangular plate on the two-parameter elasticfoundation can be obtained.The solution Strictly satisfies the differential equation of a plateon the two-parameter elastic model foundation. the boundary conditions of the free edgesand the free corner conditions. Some numerical examples are presented The calculatedresults show that when the plane dimension of plate is given and the r(?) between the layerdepth and the plate thick is equal to 15, the two-parameter elastic model is near theWinkler’s. It shows that the Winkler model can be applied to the thinner layer.     

均匀大气中的强爆炸一维辐射流体力学数值解

利用实际空气的状态方程和辐射平均自由程,对均匀大气中能量为8.36×1013焦耳（相当于二万吨TNT的爆炸能量）的强爆炸进行了一维辐射流体力学的数值计算。获得了冲击波参数、火球参数及等温球参数。其冲击波阵面参数与流体力学结果基本一致,波后参量比流体力学结果有明显改进,所得到的火球及等温球参数与实测结果基本符合。     

光盘存储技术的动向

一、引言在六十年代前半期,就开始进行光学存储器的研究,并对各种方法、方案进行了尝试,然而至今尚未达到实用水平。最近,对于逐点记录式的补写型光盘装置,半导体激光器、光盘介质等基本技术业已齐备,大容量外存装置已开始商品化。目前,虽然磁记录装置在外存装置范围内占有绝对的地位。     

Ba-La-Cu-O体系的金属-半导体转变和超导电性

测量了名义组分为 BaxLa_(5-x)Cu_5O_(5(3-y))(x=0,0.25,0.5,1.0,1.25,1.5; y>0)的系列样品电阻-温度关系。发现:对x=0的二元氧化物,其电子输运呈典型的半导体特征;随着Ba的掺入以及含Ba量的增加,系统经历了半导体-半金属-金属(超导体)转变,并且其超导临界温度Tc也单调地升高。根据Mattheiss及Freeman等人的能带计算结果,在电声子强耦合的框架里对上述现象作了定性的解释。本文作者认为:二价Ba的掺入抑制了晶格的不稳定性,稳定了超导相。     

GaAs/AlGaAs量子阱材料的X射线形貌及其发光性能

本文介绍了用X射线双品形貌术研究MBE生长的GaAs/AlGaAs量子阱材料中的生长缺陷、位错及其对发光性能的影响。同时研究了低温下MBE生长的GaAs/AlGaAs量子阱材料的正交方向的位错。在有应变超品格过渡层高温生长的量子阱材料中,位错及光致发光性能有明显的改善。     

用砷化稼霍尔元件测量低温磁场

本文介绍了砷化镓霍尔元件在4.2K下的实验结果.它在超导磁场下有较高灵敏度、重复性、低线性误差,所以可以用于测量高磁场和作为低温高斯计的探头.