一类新的谱任意复符号模式

设S是一个n阶复符号模式.如果对每一个首项系数为1的n次复系数多项式f(λ),都存在一个复矩阵C∈Q(S),使C的特征多项式就是f(λ),则称S是一个谱任意复符号模式.也可以这样描述:如果n阶复符号模式S的谱集是由所有n阶复矩阵的谱构成的集合,则称S是谱任意复符号模式.本文利用Schur补和行化简方法,给出了一类仅含3n个非零元的谱任意复符号模式.     

基于表面增强拉曼技术的致病菌及其耐药性检测研究进展

随着抗菌药物广泛应用于临床,细菌耐药日益严重.实现快速、高灵敏、准确的细菌及其药物敏感性检测是缓解细菌耐药的关键环节.表面增强拉曼光谱(SERS)具有快速、灵敏、无损等优点,可直接获取分子指纹信息,它已成为一种有效的细菌及其耐药性检测技术.不同种类细菌的分子组成和结构存在差异、抗生素处理前后细菌的特征拉曼信号会发生变化...     

基于混合空穴注入层的湿法制备高效蓝光热激活延迟有机发光二极管

在溶液法制备有机电致发光器件(OLEDs)的研究中, PEDOT∶PSS由于具有较好的成膜性与高透光性而常被用作器件的空穴注入层。但相关研究表明, PEDOT∶PSS本身稳定性较差以及功函数较低,这使得溶液法制备OLEDs的性能差且不稳定。蓝色作为全彩色的三基色之一,制备高效的蓝光器件对于实现高质量显示器件和固态照明装置必不可少。而目前溶液法制备蓝光OLEDs的器件效率普遍较差,针对此问题,本文利用传统的蓝光热激活延迟荧光发光(TADF)材料DMAC-DPS作为发光层,用溶液法制备了蓝光TADF OLEDs,通过在PEDOT∶PSS中掺杂PSS-Na制备混合空穴注入层(mix-HIL)来提高空穴注入层的功函数,研究其对于蓝光TADF OLEDs器件性能的影响。首先在PEDOT∶PSS水溶液中掺入不同体积的PSS-Na溶液,在相同条件下旋涂制膜,进行器件制备。通过观测各个实验组器件的电致发光(EL)光谱,发现掺入PSS-Na后器件EL谱存在光谱蓝移的现象,这是由于掺入PSS-Na水溶液后, mix-HIL层的厚度有所降低,使得在微腔效应作用下, EL光谱发生蓝移。通过对比各组器件的电流密度-电压-亮度(J-V-L)曲线及其计算所得器件的电流效率,结果显示随着PSS-Na的掺入,器件的亮度和电流都有所增大,器件的电流效率也得到了提升,当掺杂比例为0.5∶0.5(PEDOT∶PSS/PSS-Na)时提升幅度最大(亮度提升86.7%,电流效率提升34.3%)。通过在瞬态电致发光测试过程中施加或撤去驱动电压观测了器件EL强度的变化,分析了在混合空穴注入层/发光层(mix-HIL/EML)界面处的电荷积累情况。实验证明,通过在PEDOT∶PSS中掺杂PSS-Na制备mix-HIL获得了蓝光TADF OLEDs器件性能的提升,这是一个获得高效率溶液法制备OLEDs的可行方法。     

汤姆孙散射系统中发黑材料的表面散射特性测量

本文研制一套全自动散射特性测试平台,并使用该测试平台对汤姆孙散射诊断系统中杂散光吸光材料的表面散射特性开展实验测量研究。在1064 nm的波段下,该测试平台对双向反射分布函数的本底噪声水平优于2×10^-5sr^-1。利用该测试平台测量反射镜、不锈钢、发黑铝合金和发黑涂层等多种材料的表面散射特性。依据相关测量结果,"科大一环"汤姆孙散射诊断系统采用了Avian Black-S发黑涂料以及Metal Velvet^TM发黑铝箔用于吸收杂散光。利用测量结果给出多种材料的ABg模型参数,为杂散光追踪模拟计算提供必要数据。     

对称面形光栅TE模的衍射特性

本文采用耦合波方法计算了对称面形光栅的衍射效率,分析了光栅截面面形为正弦、三角形、矩形、梯形光栅衍射效率与光栅周期、沟槽深度的关系,计算了光栅的峰值衍射效率。理论计算表明:合理地选择光栅周期、沟槽深度,对称面形光栅都可以达到很高衍射效率,接近100%;光栅的峰值衍射效率基本出现在Bragg衍射且光栅的周期等于衍射波长时。     

R1~4中具有正则平坦嵌入端的零亏格的完备类空H=0曲面

本文讨论R₁~4中具有正则平坦嵌入端的零亏格的类空H=0曲面.设k为正则平坦嵌入端的个数,我们证明,当k=1时,曲面为平面;当k=2,3时,不存在具有k个正则平坦嵌入端的类空H=0曲面.当k≠1,2,3,5,7时,我们给出两参数族的R₁~4中具有k个正则平坦嵌入端的例子.     

基于NI-DAQ的高采样实时数据绘制方法与实现

飞行试验实时监控中,对高采样数据通常采用曲线绘制进行分析与故障判断,这对数据绘制的实时性、精确性以及曲线长度等都提出了较高的要求。本文对基于NI-DAQ的曲线绘制方法进行了研究和软件设计,实现了客户端的高采样数据实时绘制与打印输出。结果证明,采用该方法绘制的参数曲线可以满足实时监控要求。     

Temperature Dependence of In-plane Resistivity and Inverse Hall Angle in NLED Holographic Model

In the strange metal phase of the high-Tc cuprates, it is challenging to explain the linear temperature dependence of the in-plane resistivity and the quadratic temperature dependence of the inverse Hall angle. In this paper, we investigate the temperature dependence of the in-plane resistivity and inverse Hall angle in the nonlinear electrodynamics holographic model developed in our recent work. Maxwell electrodynamics and Born-Infeld electrodynamics are considered. Both cases support a wide spectrum of temperature scalings in parameter space. For Maxwell electrodynamics, the T-linear in-plane resistivity generally dominates at low temperatures and survives into higher temperatures in a narrow strip-like manner. Meanwhile, the T-quadratic inverse Hall angle dominates at high temperatures and extends down to lower temperatures. The overlap between the T-linear in-plane resistivity and the T-quadratic inverse Hall angle, if occurs, would generally present in the intermediate temperate regime. The Born-Infeld case with a 0 is quite similar to the Maxwell case. For the Born-Infeld case with a 0, there can be a constraint on the charge density and magnetic field. Moreover, the overlap can occur for strong charge density.     

基于GaSe差频产生8～19μm可调中红外辐射

利用Nd:YAG激光器抽运内腔KTP光学参量振荡器,得到了输出为2μm附近的双波长,并在满足Ι类相位匹配条件下,在GaSe中共线差频产生8～19μm连续宽调谐调的中红外辐射.在8.76μm处脉冲最大能量达33.66μJ,峰值功率7.4kW,光子转换效率达4.43%左右.分析了影响能量转化效率的原因,提出了补偿走离的措施.     

5d过渡金属原子掺杂氮化铝纳米管电子结构、磁性性质的第一性原理计算

采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法, 研究了5d过渡金属原子(Lu、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Hg)取代AlN纳米管(AlNNTs)中的铝原子或氮原子时体系的几何结构、电子结构和磁性性质; 并且以理想AlN纳米管(AlNNTs)、Al缺陷体系(VAl)和N缺陷体系(VN)的结果作为对比. 研究发现: 5d 原子取代Al(Al5d)时体系的局域对称性接近于C3v, 但是取代N(N5d)时体系的局域对称性偏离C3v对称性较大; 当掺杂的5d元素相同时, Al5d的成键能比N5d的成键能大; 当掺杂体系相同时(Al5d或N5d), 其成键能基本上随着5d原子的原子序数的增大而降低; 掺杂体系中出现了明显的杂质能级, 给出了态密度等结果; 不同掺杂情况的磁矩不同, 总磁矩呈现出较强的规律性. 利用C3v对称性和分子轨道理论解释了过渡金属原子取代Al时杂质能级的产生和体系磁性的变化规律.