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51.
以H4SiMo12O40·nH2O和六甲基磷酰三胺([(CH3)2N]3PO,简写为HMPA)为原料,合成了分子组成为H4SiMo12O40·5HMPA·2H2O的光敏化合物。红外光谱研究表明,钼硅酸形成电荷转移盐后,其基本的Keggin骨架未变,但其特征振动峰发生了蓝移;光照变色后的漫反射电子光谱图上出现了Mo^Ⅴ→Mo^Ⅵ的IVCT吸收带,表明在光激发下发生了电子转移,ESR研究表明,电子转移处于单电子阶段;晶体结构分析表明,属三斜晶系,空间群P1,a=13.8490(10)×10^-1nm,b=13.9400(10)×10^-1nm,c=22.024(2)×10^-1nm,a=95.770(10)°,β=99.450(10)°,γ=91.510(10)°,V=4168.9(6)×10^-1nm,共收集21390个衍射点,对19037个独立衍射点做全矩阵最小二乘法计算,得可靠性因子R=0.046。  相似文献   
52.
用MS软件对水分子吸附在单层石墨烯表面进行计算,采用第一性原理中的密度泛函理论。使用广义梯度近似和周期性平面模型,得到不同数量的水分子吸附在石墨烯表面上的吸附能,并且计算了相对应的光学性质。得到的结果是吸附能很小,主要是范德瓦尔斯相互作用。石墨烯具有高疏水性,水分子在石墨烯表面对石墨烯的电子结构几乎没有作用,吸附不同个数的水分子后对石墨烯的光学性质有一定影响,其中吸附单个水分子后变化并不明显,吸附2或3个水分子后吸收率和光电导率略有下降;折射率和消光率下降不明显,说明吸附水对石墨烯的透明度影响不大;介电函数的实数部分变化趋于平缓,虚数部分有明显下降;能量损失增加。  相似文献   
53.
研制了一套用积分法测量金属丝在4.2—300K温度范围内的绝对热电势率的装置。给出了镍铬和铅的测量结果。  相似文献   
54.
我们测量了国产常用低温热偶材料的绝对热电势率,给出了镍铬、金铁、铜和康铜从4.2到273 K的测量结果.根据材料的热电势率计算了这些热偶材料配对组成的热电偶的热电势率和热电势与温度的关系.结果表明与实验一致.  相似文献   
55.
Surface passivation with acidic(NH4)2S solution is shown to be effective in improving the interfacial and electrical properties of HfO2/GaSb metal oxide semiconductor devices. Compared with control samples, the samples treated with acidic(NH4)2S solution show great improvements in gate leakage current, frequency dispersion, border trap density, and interface trap density. These improvements are attributed to the enhancing passivation of the substrates, according to analysis from the perspective of chemical mechanism, X-ray photoelectron spectroscopy, and high-resolution cross-sectional transmission electron microscopy.  相似文献   
56.
样品温度对激光诱导土壤等离子体辐射特性的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
为了研究样品温度对激光诱导等离子体辐射特性的影响,以国家标准土壤样品为靶,在空气中利用波长为1 064nm的Nd∶YAG纳秒脉冲激光烧蚀不同温度(≤350℃)下的片状样品,测量了激光诱导等离子体的发射光谱强度和信噪比,计算了光谱分析检出限和信号的测量准确度.实验结果表明,当能量为200mJ时,随着样品温度的升高,等离子体辐射逐渐增强,并且在样品温度为300℃时达到最大值.计算表明,元素Al、Mg、Ba和Fe在300℃样品温度时的光谱线强度比室温条件下分别提高了67%、58%、61%和52%,信噪比分别增大了41%、51%、28%和38%,且元素分析检出限和光谱信号稳定性均有改善.升高样品温度有利于改善激光光谱的质量.  相似文献   
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