排序方式: 共有22条查询结果,搜索用时 15 毫秒
11.
12.
13.
采用改进的双温区水平籽晶气相升华法,生长出尺寸为?15 mm ×35 mm的完整CdSe单晶体。经X射线衍射仪、能谱分析仪和傅里叶红外光谱仪的检测,CdSe单晶粉末衍射谱与标准衍射峰吻合较好,单晶摇摆曲线半高宽0.5°;Cd、Se化学计量比等于1∶0.977,接近理想比;晶体在2.5~20.0μm红外波段范围内的透过率T >65;,吸收系数α<0.1 cm-1。这些结果表明,采用本方法生长的晶体结晶性较好、成分均匀、透过率较高,品质良好,这对生长类似高蒸气压、高熔点的III-V、II-VI族晶体,会有所帮助。 相似文献
14.
利用压力辅助法合成批量、高纯CdSe多晶原料,进行籽晶定向高压布里奇曼法生长,制备出φ(50 ~ 55) mm×(80 ~ 100) mm高品质单晶棒,加工出多相位匹配角度、多规格尺寸(6 ~8)2×(40 ~50) mm3晶体元件.元件在2.1 μm、2.6 μm、10.8 μm等多波段o、e偏振光测试下,吸收系数分别≤0.02 cm-1、≤0.02 cm-1、≤0.01 cm-1,通过光参量振荡实验,元件在10.1~10.8 μm波段实现1.05W长波红外激光输出. 相似文献
15.
主分量分析法在影响因子赋权中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
利用主分量分析方法,对于废水混凝反应过程中影响反应因素的影响力大小不同的问题,在输入、输出变量的影响权矩阵基础上,对该权矩阵进行变换处理和分析.变换处理和分析结果表明,跟传统经验吻合较好,更重要的是对影响因子的赋权方面提供了强有力的理论依据,对混凝反应的实验设计分析提供了新的思路. 相似文献
16.
17.
18.
硒化镉(CdSe)是一种重要的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,在核辐射探测、非线性频率转换等方面都有着重要的应用.高纯原料是生长优质CdSe单晶,实现上述应用的基础,但目前合成方法存在效率低、纯度不高等缺点.为此实验室对传统高温元素合成法进行优化,利用理论计算的反应温度点为指导,辅以外部加压,控制内外压差,有效实现原料的批量、安全合成,单次可合成200 g,经粉末衍射(XRD)、综合热分析(TG/DTA)、等离子发射光谱仪(ICP)等测试,合成的原料质量较好,能生长出较大尺寸单晶.文中对合成过程可能的纯度影响因素及控制措施也进行了相应讨论. 相似文献
19.
20.
把GM(1,1)模型求解中的B矩阵进行了改进,以此利用GM(1,1)模型针对大气中的臭氧含量进行分析和预测.根据预测误差分析,预测结果跟实际情况吻合很好,预测结果见文中表5;误差情况见文中表6,相对误差在6%以内,说明利用改进的GM(1,1)模型对大气中的臭氧含量进行预测效果很好。 相似文献