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91.
We carefully investigate the transport and capacitance properties of few layer charge density wave (CDW) 2HTaS2 devices. The CDW transition temperature and the threshold voltage vary from device to device, which is attributed to the interlayer interaction and inhomogeneous local defects of these micro-devices based on few layer 2H-TaS2 flakes. The nonlinear rather than linear current voltage characteristic of 2H-TaS2 devices is observed in our experiment at low temperature. The temperature dependence of the relative threshold voltage can be scaled to (1 - T /Tr )^0.5+δ with δ = 0.08 for the different measured devices with the presence of the CDWs. The conductance-voltage and capacity-voltage measurements are performed simultaneously. At very low ac active voltage, we find that the hysteresis loops of these two measurements exactly match each other. Our results point out that the capacity-voltage measurements can also be used to define the threshold depinning voltage of the CDW, which gives us a new method to investigate the CDWs. 相似文献
92.
93.
与点扫描方式相比,面曝光选区激光熔化因具有成形效率高、残余应力水平低等优势,而成为极具发展前景的新一代选区激光熔化增材制造技术的发展方向。利用波长为915 nm的二极管连续激光器作为光源,结合电寻址反射式纯相位液晶空间光调制器,搭建了新一代面曝光选区激光熔化增材制造原理装置平台。获得了“○”形样式的面光斑曝光,基于光敏纸和低熔点金属粉末材料进行面曝光熔化成形并获得了样品,实现了面曝光选区激光熔化的原理性实验验证。 相似文献
94.
主要研究面曝光选区激光熔化单层成形时,激光光斑搭接率和电流对形状精度的影响。实验通过控制变量法研究搭接率、曝光时间、电流等工艺参数对激光光斑、熔道、圆环、尖角等成形形状精度的影响。实验结果表明:一定范围内,电流越大,激光光斑更均匀,成形一致性更好;搭接率38.4%能够获得最低的形状误差的熔道;搭接率一定,圆环成形误差随电流的增加而增加;尖角成形误差随着电流增加,呈现先增后减的趋势;搭接率为46.1%、38.4%时,零级衍射带来的形状误差降低。 相似文献
95.
96.
97.
98.
密度起伏、结构缺陷等空间不均匀性能导致介质中光的弹性散射.弹性散射也会发生在非线性晶体中,它会作为信号光参与光参量过程,并且在相位匹配的条件下有效地转换成新的频率,强度也获得增强.最近我们在χ(2)非线性光子晶体中发现的锥形二次谐波就与这一过程有关.实验采用的是一块“晶格参数”约为 9μm的六角极化的χ(2)钽酸锂光子晶体,当基波光沿着六角结构的对称方向传播时,出射的锥形二次谐波投影在接收屏上呈现出轴对称或者镜像对称两种衍射光环.随着基波频率的变化,环的半径和颜色会发生相应的改变.封面图展示了样品的显微结构和不同颜… 相似文献
99.
硅(Si)由于其具有超高理论比容量而成为最有前途的下一代锂离子电池的负极材料。但是,锂离子的嵌入和脱出会造成硅体积的巨大变化,进而导致Si的粉化,致使电极容量产生不可逆的衰减,严重限制了硅基材料的广泛应用。然而过去的大量报道表明,聚合物粘结剂可以有效克服由于硅微粒的体积膨胀而产生的“孤岛效应”,保持电极在充放电过程的完整性,进而提高电极的电化学性能。对聚合物粘结剂按结构分类,可以将其大致分为4类,即线型、支化型、交联网络型及共轭型。不同分子结构的粘结剂用作硅基负极粘结剂时,电极表现出不同的电化学性能。特别是设计出具有多种分子结构的聚合物粘结剂,极大地促进了硅基负极的实际应用。通过对比具有不同分子结构的聚合物粘结剂用于硅基负极取得的效果,可以清晰地得到最有效的分子结构,对未来硅基负极聚合物粘结剂的开发提供思路。最后,本文提出了下一代聚合物粘结剂的设计方向,以促进其向可大规模应用和工业化生产的方向发展。 相似文献
100.
利用斜光刻技术替代传统的直光刻技术在相同底面积的基础上增大微阵列比表面积制备了高比表面积三维微阵列结构,.首先,利用MATLAB仿真对微阵列排布方式进行分析,确定最佳单个柱体宽度及阵列间距.实验中,采用两次甩胶法将SU-8光刻胶均匀旋涂在2寸硅基底上,甩胶转速设为1500r/min,旋涂时间设为35 s;分别置于65℃烘台上保持20 min和95℃烘台上保持70 min进行两次前烘处理;随后进行双向斜曝光,微柱宽度为20 μm,阵列间距为30 μm,光刻角度为20°.最后,再通过高低温后烘处理并显影30 min成功制备出了结构稳定的“Ⅹ”型三维微阵列结构. 相似文献