集总负载平行板有界波电磁脉冲模拟器的并行时域有限差分模拟

介绍了用于集总负载平行板有界波电磁脉冲模拟器模拟的并行时域有限差分方法,分析了模拟器的几个尺寸参数对工作空间的场的影响。研究表明:当下金属板宽度大于或等于工作空间平板宽度的1.5倍时,前过渡段附近的测试点电场的上升沿受前过渡段投影长度的影响较小,而工作空间中心附近的测试点电场的上升沿则随着投影长度的增大而减小,但减小趋于平缓;所有测试点电场的上升沿均随下金属板宽度的增大而减小,但减小趋于平缓;对于前过渡段投影长度固定的模拟器,其高度并不是越小(大)越好,而是存在一个最佳高度值。     

电磁脉冲作用下PIN二极管的响应

采用自主开发的二维半导体器件效应模拟软件,对电磁脉冲作用下PIN二极管的响应进行了数值模拟研究,分析了PIN管在脉冲电压上升沿时间内出现的电流过冲现象。结果表明:过冲电流与高频下PIN二极管的电容性有关,过冲电流的峰值与上升沿时间有关,上升沿时间越短,峰值越大;PIN管的掺杂也会对过冲电流产生影响,P层、N层的掺杂浓度越高,过冲电流的峰值越大,过冲电流的波形下降越快;I层掺杂浓度对过冲电流也有一定影响,但并不显著。     

Variation of Ionization Mechanisms with q in the Collision of He^2＋ with C^q＋

The ionization process in the collisions of He^2＋ with C^q＋ （q = 0-5） is investigated by using the continuum-distorted-wave eikonal-initial-state approximation. Double-differential cross sections for 1s and 2s sub-shells are obtained at the electron-ejected angle θ = 0° with the projectile energy ranging from 30keV/u to 10MeV/u. Variation of ionization mechanisms with q in C^q＋ is studied, and the dependences on the projectile energies and target sub-shells are also discussed. It is found that in the whole energy range, the absolute values of soft collision （SC） and binary encounter （BE） peaks decrease with increasing q. For the lower incident energies, the electron capture to the projectile continuum （ECC） peak decrease with increasing q as well as SC and BE peaks. For the higher incident energies （〉 1 MeV/u）, the absolute value of ECC peak increases with increasing q, so that the crossings of cross sections appear for C^q＋ with different q. This can be explained by the matching of velocities between the projectile and the electron initially bound to the target.     

原子轨道方法研究He2+-He碰撞中电荷转移过程

应用双中心的原子轨道强耦合方法研究了He2+-He碰撞中的电荷转移过程,计算了随入射离子能量变化的单电子俘获总截面及各个次壳层的态选择截面,并与其它理论结果和实验结果进行了比较,发现我们的理论结果与实验很好的符合.针对中国科学院近代物理研究所最近的实验测量,我们也计算了电荷转移过程的微分截面.     

氩离子原子过程参数的系统计算与评估：I 电子碰撞激发

 利用准相对论扭曲波玻恩近似加交换方法，在组态平均近似下，系统地计算了类氢、类氦、类锂氩离子n≤6的各组态之间的碰撞激发过程截面，并和已有的理论结果进行了详细的对比分析。计算结果和相对论扭曲波近似的计算结果符合得很好，相对偏差一般都小于10%。由于没有考虑共振效应，计算的结果与强耦合方法的计算结果在入射电子能量较低的情况下有较大偏差，其他情况则符合较好，相对偏差一般在15%以内。该方法可以方便地计算大量应用所需的原子过程参数。     

不同形状孔缝微波耦合的实验研究

 探讨了椭圆、圆环、方环、十字交叉形、圆形、正方形、正三角形及双矩形孔缝在2～18GHz频率范围内的耦合系数，并与矩形孔缝的耦合特性进行了比较。结果表明: 各种不同形状孔缝微波耦合的共振特性与其纵横比有关, 纵横比较大的孔缝耦合共振现象比较明显，纵横比较小的孔缝耦合特性趋于高通；各种孔缝的共振频率与孔缝长度有密切关系。     

微波孔缝线性耦合函数研究

 讨论了微波脉冲通过孔缝线性耦合进入腔体内的研究方法。给出了线性耦合的物理基础,定义了耦合函数，并导出了耦合函数随入射电场极化方向变化的公式。简要描述了数值求解孔缝线性耦合的时域有限差分方法以及修正算法。给出了以矢量网络分析仪HP8510C为主要设备测量耦合函数的实验方法。通过耦合函数的研究，观察到了共振效应和增强效应等现象，给出了微波孔缝耦合发生共振的普适公式。分析了测量探头对耦合函数测量的影响，验证了耦合函数随入射电场方向变化的公式。理论、数值和实验结果符合得较好。     

重粒子碰撞过程理论研究

应用全量子的分子轨道强耦合方法和经典径迹蒙特卡罗方法计算从低能到高能的离子与原子和分子碰撞反应截面和速率系数。在分子轨道强耦合计算中，采用从头计算法得到的绝热分子势能面和径向、转动耦合矩阵元，经过幺正变换后，求解强耦合方程组。本以Si^3 离子与氢原子碰撞过程为例，计算了重粒子碰撞过程中发生的电荷转移、碰撞电离和碰撞激发截面和速率系数，并与现存的理论结果和实验测量进行了对比。     

Bi^80＋辐射复合过程的多极计算

基于Dirac—Slater自洽场方法，中计算了Bi^79 离子从低能到高能的光电离截面；研究了半经典类氢近似Kramer公式的适用性；考察了多极效应、相对论效应在不同能区对光电离截面的影响；计算了Bi^80 离子在电离闲值附近的辐射复合截面和辐射复合速率系数，并将计算结果同高精度的储存环合并束实验结果进行了对比。     

Bi80+辐射复合过程的计算

基于Dirac-Slater自洽场方法，计算了Bi⁷⁹⁺离子从低能到高能的光电离截面以及其逆过程Bi⁸⁰⁺的辐射复合截面; 分析了Kramers公式的适用性；考察了多极效应 、相对论效应在不同能区对辐射复合截面的影响；计算了Bi⁸⁰⁺离子在电离阈值附近 的辐射 复合截面和辐射复合速率系数，考察了自由电子分布函数及电子的温度变化对速率系数的影 响，并将计算结果同高精度的储存环合并束实验进行了对比. 关键词： 多极计算 辐射复合 光电离