2009年高考数学文科解答题命题趋势预测

近几年来,高考数学文科解答题一般为6个题,分别为三角函数题、概率题、导数题、立体几何题、解析几何题、压轴题（代数型或几何型）,变一题把关为多题把关,前两题一般难度稍低,后四个题分别考查不同的内容,入口宽,但设置层层关卡,多层次、多角度地对考生进行四种能力的考查,用以区分考生灵活运用知识和方法分析和解决问题的能力．解答题都具有一定的综合性,不是在某个单一的知识点挖掘,而是注意多个知识点与方法的联系与有机结合,在知识、方法网络的交汇点处设计试题．     

MOEMS陀螺的空间谐振腔微镜调节新方法

空间谐振腔是空间谐振式MOEMS陀螺的核心敏感器件,构成谐振腔的微镜的调节是实现谐振腔的关键。提出了一种基于耦合原理调节空间谐振腔竖直微镜的方法。针对使用微加工工艺制作的竖直微镜,运用耦合原理将以往避免的调节耦合量作为有益量完成对微镜的空间调节。通过相应的调节基本结构及调节方法,对由相应的结构构成的微谐振腔分别进行了MATLAB及ANSYS仿真和分析。结果证实了此调节方法的可行性,基于该调节方法和调节结构完全能够实现微镜的高精度空间调节,对MOEMS陀螺的空间谐振腔的调整具有可靠的调节稳定性及更高的集成度,为空间谐振式MOEMS陀螺的实现提供一条新的路线。     

超硬B-C-N化合物晶体和电子结构的第一性原理研究

基于第一性原理,利用密度泛函理论(DFT)在广义梯度近似(GGA)下的从头计算平面波超软赝势方法,从超硬材料BeCN2的结构(I-42d)出发,设计了B-C-N三元化合物,计算了弹性常数、声子谱、态密度、理论维氏硬度和高压下的物性变化.结果表明:四方结构B-C-N三元化合物有B2CN、BC2N和BCN2三种不同晶胞,其中BC2N力学稳定性和动力学稳定性较好.BC2N体积模量高达338 GPa,晶体结构中存在金属键,具有很强的共价键.BC2N的维氏硬度为49.0 GPa,属于超硬材料.压缩率低于超硬材料cg-CN,杨氏模量、体积模量、剪切模量和泊松系数均随外压的增大而增大,反映出结构的刚性、抗横向、切向及纵向形变能力增强.     

2013年毛细管电泳技术年度回顾

本文为2013年毛细管电泳(CE)技术的年度回顾。介绍了2013年涉及CE技术的国际会议6个,国内会议2个,对各会议的研究报道进行了总结。归纳了在ISI Web of Science中检索的2013年度发表的与CE技术相关的论文,并对这些论文在生物医药研究和检测器使用以及重要分析化学杂志发表的情况进行了分类说明。     

The rise of two-dimensional MoS2 for catalysis

Two-dimensional (2D) MoS₂ is used as a catalyst or support and has received increased research interest because of its superior structural and electronic properties compared with those of bulk structures. In this article, we illustrate the active sites of 2D MoS₂ and various strategies for enhancing its intrinsic catalytic activity. The recent advances in the use of 2D MoS₂-based materials for applications such as thermocatalysis, electrocatalysis, and photocatalysis are discussed. We also discuss the future opportunities and challenges for 2D MoS₂-based materials, in both fundamental research and industrial applications.     

N,N-二甲基乙酰胺促进N-取代肉桂酰胺的合成

以肉桂酸为原料,N,N-二甲基乙酰胺（DMAc, 4 mL)为促进剂,先与SOCl₂于0 ℃反应20 min,再与芳胺于25 ℃反应3 h,合成了10个N-取代肉桂酰胺(3a～3j),产率85.8%～96.5%,其结构经¹H NMR, ¹³C NMR, IR和EI-MS确证。提出了DMAc促进反应的可能机理。     

ICP-MS用于云南南部四种特色蜂蜜的植物源鉴别分析

采用电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)技术结合化学计量学分析技术对采自云南南部的四种特色蜂蜜中的23种矿物元素进行了分析。结果表明：ICP-MS技术测定蜂蜜中多种矿物元素含量的稳定性、精确度较好,回收率较高;23种矿物元素中有21种元素(Na,Mg,K,Ca,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Zn,As,Se,Sr,Mo,Cd,Sb,Ba,Tl,Pb)在不同蜂蜜品种间存在显著差异;主成分分析结果显示,前4个主成分的累积方差贡献率达到77.74%,第一主成分中的Mg,Ca,Mn,Co,Sr,Cd,Ba 七种元素包含大部分蜂蜜信息;通过逐步判别分析,Mg, K, Ca, Cr, Mn, Sr, Pb共七种元素被筛选出来并用于建立判别函数模型,对所建模型进行回代检验和交叉检验,正确判别率分别为90%和86.7%,表明多元素指标对云南南部四种特色蜂蜜植物源的判别效果较好。鉴于所采蜂蜜样品都来自云南南部,气候和土壤等环境条件类似,四种蜂蜜中矿质元素的差异主要与对应的蜜源植物有关,因此,利用矿质元素差异鉴别蜂蜜植物源具有可行性。     

非对称限幅光正交频分复用系统中峰值平均功率比抑制方法研究

为了降低非对称限幅光正交频分复系统中高峰值平均功率比对紫外光通信系统性能的影响,根据非对称限幅光正交频分复系统的特殊信号形式,对传统压缩扩张变换算法和选择性影射算法进行了结构上的改进,将改进后的算法运用到基于非对称限幅光正交频分复技术的紫外光通信系统中,可以使系统峰值平均功率比平均得到3dB的性能改善.在此基础上,为了进一步降低系统峰值平均功率比,采用了压缩扩张变换-选择性影射串行联合算法,能够使系统峰值平均功率比降低近5dB,该联合算法能够很好地降低非对称限幅光正交频分复用系统的峰值平均功率比,可以满足紫外光通信系统的需求.     

Low-leakage-current AlGaN/GaN HEMTs on Si substrates with partially Mg-doped GaN buffer layer by metal organic chemical vapor deposition

High-performance low-leakage-current AlGaN/GaN high electron mobility transistors(HEMTs) on silicon(111) substrates grown by metal organic chemical vapor deposition(MOCVD) with a novel partially Magnesium(Mg)-doped GaN buffer scheme have been fabricated successfully. The growth and DC results were compared between Mg-doped GaN buffer layer and a unintentionally one. A 1-μm gate-length transistor with Mg-doped buffer layer exhibited an OFF-state drain leakage current of 8.3 × 10-8A/mm, to our best knowledge, which is the lowest value reported for MOCVD-grown AlGaN/GaN HEMTs on Si featuring the same dimension and structure. The RF characteristics of 0.25-μm gate length T-shaped gate HEMTs were also investigated.     

Experimental and numerical analyses of high voltage 4H-SiC junction barrier Schottky rectifiers with linearly graded field limiting ring

This paper describes the successful fabrication of 4H-SiC junction barrier Schottky(JBS) rectifiers with a linearly graded field limiting ring(LG-FLR). Linearly variable ring spacings for the FLR termination are applied to improve the blocking voltage by reducing the peak surface electric field at the edge termination region, which acts like a variable lateral doping profile resulting in a gradual field distribution. The experimental results demonstrate a breakdown voltage of 5 kV at the reverse leakage current density of 2 mA/cm2(about 80% of the theoretical value). Detailed numerical simulations show that the proposed termination structure provides a uniform electric field profile compared to the conventional FLR termination, which is responsible for 45% improvement in the reverse blocking voltage despite a 3.7% longer total termination length.