毫微晶材料的结构和性能

本文综述了八十年代发展起来的毫微晶材料的结构和性能．毫微晶材料中，界面剖分占原子总数的９０％左右．实验结果表明，界面部分原子的徘列既不象晶态材料那样长程有序，也不象非晶态材料那样短程有序，可以看成是一种类似于气体的结构．这种材料在力学、磁学、热学等方面的性能相对于相同成分的多晶材料、非晶态材料有了很大的改进，是一种具有广阔发展前景的新型材料．     

出口镁质耐火材料的ICP-AES测定

本文采用和LI2B4O7熔样、MgO基体匹配、ICP－AES法同时测定出口镁质耐火材料的主要成分及杂质元素。RSD＜2．7％，加标回收率为97．6％。方法快速、简便，结果准确。     

22 nm工艺超薄体全耗尽绝缘体上硅晶体管单粒子瞬态效应研究

利用计算机辅助设计技术数值仿真工具, 研究22 nm工艺技术节点下超薄体全耗尽绝缘体上硅晶体管单粒子瞬态效应, 系统地分析了掺杂地平面技术、重离子入射位置、栅功函数和衬底偏置电压对于单粒子瞬态效应的影响. 模拟结果表明, 掺杂地平面和量子效应对于单粒子瞬态效应影响很小, 重离子入射产生大量电荷, 屏蔽了初始电荷分布的差异性. 单粒子瞬态效应以及收集电荷和重离子入射位置强相关, 超薄体全耗尽绝缘体上硅最敏感的区域靠近漏端. 当栅功函数从4.3 eV变化到4.65 eV时, 单粒子瞬态电流峰值从564 μA减小到509 μA, 收集电荷从4.57 fC减小到3.97 fC. 超薄体全耗尽绝缘体上硅器件单粒子瞬态电流峰值被衬底偏置电压强烈调制, 但是收集电荷却与衬底偏置电压弱相关. 关键词： 超薄体全耗尽绝缘体上硅 单粒子瞬态效应 电荷收集 数值仿真     

基于C语言的等效电子耦合原子态的编程计算

详述了用turboc2.0编程计算等效电子LS耦合原子态的方法,并给出了计算nf5电子组态的LS耦合原子态的具体程序.     

间隔不变性与相对论拉格朗日力学

文章证明由时空和速度间隔不变性可以导出相对论哈密顿和拉格朗日力学，由此说明哈密顿或拉格朗日为洛仑兹不变量是时空和速度间隔不变性的必然结果。     

An Atomic Force Microscopy Investigation of the Tracks Made by C1^＋－C4^＋ Bombardment on CR－39 Detectors

Carbon micro-clusters are accelerated by an HI-13 tandem accelerator. The plastic nuclear track detectors CR-39are irradiated by C1-C4 beams from the HI-13 tandem accelerator and the tracks in CR-39 are studied using anatomic force microscope (AFM). The depths and diameters of C1-C4 tracks are measured for the first time in ananometre scale. An enhancement of the energy loss is obtained for carbon clusters related to single carbon ionswith the same velocity. The results show that the AFM observation is very useful in the quantitative analysis ofclusters in the track detector CR-39.     

向列液晶表面弹性能K13项的物理效应及检验方法

通过解析推导和数值计算的方法，得到了平衡态指向矢满足的微分方程和边界条件.研究了表面弹性能K13项对磁场作用下的弱锚定向列液晶盒Fréedericksz转变性质的影响.结果表明，表面弹性能K13项的存在对液晶系统的自由能有很大的影响，从而改变转变的性质，诱导液晶盒在阈值点发生一级Fréedericksz转变.给出了发生一级转变的物理条件，它除了与液晶的结构和材料有关外，还依赖于液晶表面弹性能K13项，同时给出了由此判断K13项是否存在的检验方法. 关键词： 表面弹性能K13项 弱锚定 Fréedericksz转变     

Surface States in the AlxGa1-xN Barrier in AlxGa1-xN／GaN Heterostructures

Frequency-dependent capacitance-voltage (C-V) measurements have been performed on modulation-doped Al0.22 Ga0.78N/GaN heterostructures to investigate the characteristics of the surface states in the AlxGa1-xN barrier. Numerical fittings based on the experimental data indicate that there are surface states with high density locating on the AlxGa1-xN barrier. The density of the surface states is about 10^12cm^-2eV^-1, and the time constant is about 1μs. It is found that an insulating layer (Si3N4) between the metal contact and the surface of AlxGa1-xN can passlvate the surface states effectively.