基于不同梁模型的弯曲变形分析与实验教学探讨

梁的弯曲变形是基础力学的核心内容之一,以往实验教学中的变形分析通常基于Euler-Bernoulli梁模型进行,而对工程中常见的Timoshenko梁涉及较少,这种变形模式的单一性和局限性教学无疑落后于当前力学学科人才培养的发展趋势.为了使本科生深入理解梁弯曲行为并掌握更为全面的实验技术,本文通过理论分析和模型优化,研...     

快速匹配算法在药筒模块检测中的应用

为了能够快速、准确判断药筒模块是否合格,实现检测的自动化,针对药筒模块中可燃性紧塞盖图像的特点和检测要求,在研究经典相关系数匹配算法基础上,采用了一种快速图像匹配算法,即通过减少相关系数计算量和模板搜索范围,在保证匹配准确度的前提下来提高图像匹配速度。实验和现场测试表明,使用该方法,匹配速度提高了近67%,实现了图像的快速匹配,软件误判率1%,满足实际生产要求。     

一种蓝色聚合物激光材料

聚合物作为一种有机发光材料,由于在平板显示和光电子器件中的良好应用前景而受到广泛研究［１～２］．近年来,一个重要进展是在聚合物中观测到了受激发射（简称Ｐｏｌｙ－ｍｅｒ激光）现象［３～６］．Ｐｏｌｙｍｅｒ激光最早是在溶液中实现的［３～４］．作为一种新型...     

缩合法合成磁性荧光高分子CdTe@Fe_3O_4/P(NIPAM-co-AA)复合微球及其表征

具有超顺磁性和荧光特性的CdTe@Fe_3O_4/P(NIPAM-co-AA)多功能复合微球是以P(NIPAMco-AA)为模板制备而成.首先,采用溶胀法使模板微球带有磁性;其次,辅助TEOS和APTES两种化学试剂实现对Fe_3O_4/P(NIPAM-co-AA)微球表面的氨基功能化;最后,携带氨基的磁性微球与巯基乙酸修饰的CdTe量子点通过酰胺缩合反应,将量子点键合到磁性微球表面上,最终获得单分散的磁性荧光高分子复合微球.分别采用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、倒置荧光显微成像系统、荧光分光光度计以及振动样品磁强计等方法对所获复合材料的结构与性能进行了表征.结果表明:复合微球单分散性良好,平均粒径约为30μm,饱和磁化强度可达5.4emu/g,具有良好的超顺磁性和较高的荧光发光效率.该材料将磁性、荧光结合到微米级高分子共聚物上,不仅解决了纳米粒子分离和处理的困难,而且奠定了多功能材料在生物标记、荧光成像等诸多领域潜在的应用基础.     

利用线阵CCD测量液体折射率实验研究

提出一种利用线阵CCD测量液体折射率的方案,平行光束经过透镜汇聚,在汇聚点处设置线阵CCD检测光束直径大小,在透镜后加入液体,光束发生折射,利用线阵CCD测量出光束直径变化量,即可测量得液体的折射率。实验测量得蒸馏水、乙醇液体的折射率与标准值吻合,相对误差小于0.4%。对不同折射率的液体,只需测量出光束直径变化量即可测量出折射率。本方案结构简单、测量操作简化、测量准确,在物理实验教学和折射率测量仪研制中具有应用价值。     

非晶态合金Ni64B36结构的计算机模拟(Ⅰ)——合金中的化学短程序

我们用两种不同直径球的无规密堆计算机模型模拟了Ni₆₄B₃₆金属玻璃的结构,计算了模型的简约部分径向分布函数、角分布函数及均匀度,对结构的化学短程序进行了讨论,我们的计算结果表明,在过渡金属-类金属型(TM-M)的非晶态合金中,类金属原子的相对分布是结构中化学短程序的重要特征,这一特征可以用M-M原子的部分径向分布函数中第二峰的第一个分裂次峰的位置r_c来表征。 关键词：     

非晶态合金Ni64B36结构的计算机模拟(Ⅱ)——边界条件对模型结构的影响

本文用计算机制作的模拟Ni₆₄B₃₆非晶态合金的结构模型作为初始位形,分别在自由边界、固定边界、周期边界和准动态平衡边界条件下,用不同于以往的松弛方法进行了能量极小化计算。通过分析和对比松弛前后各模型的各种结构参数的变化,讨论了各类边界条件对松弛模型结构的影响。 关键词：     

~(12)C ~(112,124)Sn反应中靶核中子数对出射粒子截面的影响

实验研究了入射能量E_l=70.0 MeV的~(12)C ~(112)Sn和~(12)C ~(124)Sn两个反应。使用△E-E半导体探测器,测量了两反应中出射的α、Li、Be、B各粒子的能谱和角分布。α粒子的角分布可以通过假定存在三种机制的α组份得到定性的解释。Li、Be、B的角分布为擦边角成峰,无前角成峰组份。实验结果给出,~(12)C ~(112)Sn反应比~(12)C ~(124)Sn反应出射α粒子的截面大,而出射Li、Be、B等粒子的截面小,表明靶核中子数,对出射粒子的几率有明显的影响。     

从“万用电表设计、制作和校准”实验浅谈对学生能力的培养

一、引言从对我院物理专业几届毕业生的调查来看,反映出的一个突出问题是,学生实验动手能力较差.适应中学物理实验教学有一定困难.我们从教学的角度进行了剖析,究其     

用椭圆偏振光法四相模型研究Si SOI光学性质

用椭圆偏振光谱仪在波长为3000到5000?范围内,测量了绝缘衬底上低压CVD生长的多晶Si薄膜(LPCVD Si SOI)及其激光退火和高频感应高温石墨棒热退火后的椭圆偏振光谱参数。以矩阵乘积形式表示了椭偏光谱四相模型,用Monte Carlo统计模拟法求得Si SOI表面多晶Si薄膜的光学参数ε₁和ε₂,并对退火后出Si SOI的晶格完整性进行了讨论。 关键词：