量子阱中电子-LO声子相互作用引起共振喇曼散射的不对称线形

提出在量子阱中,由于连续态电子与LO声子相互作用,通过对量子阱进行某种设计,并以特定的激光频率入射,可以导致Raman谱中很强的Fano现象.以GaAs-Al_2Ga_(1-x)As为例计算了几种量子阱结构下的不对称参量q,并给出了相应的Fano线形 关键词：     

铜离子与黄酮类配合物的促氧化作用

本文研究了3种结构相关的黄酮类化合物:黄芩素(Baicalein)、黄芩苷(Baicalin)和汉黄芩素(Wogonin)与Cu2 的配位作用,考察了其络合金属离子的结构特征,并且检测了黄酮类化合物与Cu2 形成配合物后的促氧化活性.用紫外分光光度法扫描黄酮类化合物与Cu2 形成配位后的吸光曲线变化;用电泳法检测了黄酮类化合物与Cu2 形成配合物后对DNA链的氧化损伤.结果表明,这3种黄酮主要是通过A环鳌合Cu2 .黄芩素和汉黄芩素与Cu2 形成配合物后不具有促氧化作用,而黄芩苷与Cu2 形成配合物后仍然具有一定的促氧化作用,能够导致DNA的氧化损伤.     

不透明玻璃显现出的曙光——块体金属玻璃的发现与应用

在足够高的冷却速度下，如同其他大多数物质一样，金属合金溶体在冷冷却到室温的过程中能够经过玻璃化转变过程变成非晶态固体——金属玻璃。金属玻璃因其具有许多优异和独特的物理、化学和力学性能而一直受到很大的关注。在过去，由于玻璃形成能力的限制，金属合金只能制成厚度为数十数米的薄带状金属玻璃，因而其应用范围受到极大的限制。通过对金属合金的组成、溶体的过冷与稳定性及玻璃形成能力的关系研究，人们用常规的方法在较低的冷却速度下就能在许多金属合金体系中形成三给尺度都达毫米至数厘米的块体金属玻璃，这为金属玻璃获得广泛的应用奠定了基础。     

对初中代数同类項合併教学的一点体会

同类項合併这一課,同样可用实际例子来进行說明,这样学生就不至于产生象下面这样的錯誤: 5m 5n=10mn, 3a 5b=8ab, 3x~3 4x~2=7x~5, -ab-ab=-a~2b~2。首先用两个实例說明同类項可以合併。例1.练习本每本a分,甲买3本,乙买2本,丙买4本。他們三人所买的练习本共值多少? 解:3本     

应用图像传感器和计算机测量干涉圆环的直径

通过对迈克耳孙干涉图样的研究，提出了应用图像传感器和计算机测量圆环直径的方法，该方法也适用于牛顿环等光学实验的图样的分析．其测量方法简便、结果准确．     

任意p进制数换为十进制数不按“权”展开的方法

在把任意p进数化为十进数的方法中,一般都采用将p进数按“权”展开后计算而得到十进数。即任一p进数均可由下面按“权”展开式化为十进数s(假设p进数为N_p,N_p=(a_na_(n-1)a_(n-2)……a_1a_0a_(-1)a_(-2)…a_(-m 1)a_(-m))p):     

Directional growth of Al-Mg2Si eutectic alloy in the SZ2 unmanned spaceship

This paper reports the investigation results on directional growth of Al-Mg2Si eutectic alloy in the SZ2 unmanned spaceship. The analysis shows that microgravity has influence on the directional growth of Al-Mg2Si eutectic alloy. The eutectic colony in space-grown sample is larger than that in ground-grown sample, and the directional effect is not so good as that of terrestrial sample. But there is no obvious difference in the lamellar thickness between these samples, and lamellar interspacing in space sample is smaller than that grown on the ground. A simple discussion is done on the gravity effect on the directional growth of Al-Mg2Si eutectic alloy.     

GaAs/AlxGa1-xAs超晶格子带间光跃迁的研究

运用Kronig-Penney模型的新形式,研究了超晶格子带间光跃迁的频率、带宽和跃迁强度,用GaAs/Al_xGa_1-xAs多量子阱材料做了关于红外吸收的实验,理论与实验符合较好。 关键词：     

V_3X系d带相对移动量的配位场方法的计算

本文用配位场方法计算在D_(2d)晶场作用下,V_3X(X=Si,Ga,Ge,Sb,Sn)超导化合物中d电子各态的附加势能,给出A-15超导化合物d带相对移动模型中的特征量——d子带相对移动量△E_⊥——与晶格常数的解析关系及其数值结果。并用于磁化率的计算。     

A-15超导化合物的d带相对移动模型

本文考虑了A₃B型A-15结构晶体场的特点,根据对势模型,求出A原子各d电子子能级间相对移动量△E_⊥,进而在LCAO方法基础上,提出了改进的RCA能带模型。并据此得到V₃B系化合物超导临界温度对△E_⊥的关系,理论曲线与实验数据大致相符。 关键词：