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胶体晶体自组装排列进展 总被引:10,自引:0,他引:10
自组装排列胶体晶体是发展光子晶体等亚微米周期有序结构及新型光电子器件十分重要的环节.高电荷密度单分散胶体球在较弱的离子强度和稀浓度下会自发排列形成紧密堆积的周期性结构(ccp),常常是面心立方(fcc),科学家们以此为基础发展了多种结晶化胶体粒子的方法,包括重力场沉积、电泳沉积、胶体外延技术、垂直沉积、流通池、物理束缚排列及其他的许多方法.目前排列的胶体粒子基本为球形,材料也多为SiO2、PS、PMMA,此外一些复合粒子,主要为核壳粒子的排列这里也稍作介绍,这些方法及其变通的使用可以形成类蛋白石及反蛋白石结构,最终实现光子带隙及其它多种用途。 相似文献
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电感耦合等离子体发射光谱法(ICP-AES)测定铝-钛-硼合金中10种元素 总被引:2,自引:0,他引:2
本文建立了用电感耦合等离子体发射光谱法(ICP-AES)测定铝-钛-硼合金中钛、硼、铁、硅、钾、锌、锰、镁、镍、钒10种元素含量的分析方法。测定时分别选择Ti 336.121nm(Ⅱ)、B 249.772nm(Ⅰ)、Fe 239.562nm(Ⅱ)、Si 251.611nm(Ⅰ)、K 766.490nm(Ⅰ)、Zn 206.200nm(Ⅱ)、Mn 257.610nm(Ⅱ)、Mg 285.213nm(Ⅰ)、Ni 231.604nm(Ⅱ)和V 290.880nm(Ⅱ)作为各元素的分析线。确定了仪器的最佳分析条件:射频功率1350 W,雾化器流速0.8 L/min,观测高度为14.0 mm。采用基体匹配法消除基体干扰,经实验,本方法的回收率在90%~105%之间,测定结果的相对标准偏差(n=6)在0.4%~4.3%之间。该方法准确、快速,具有良好的精密度和准确度,能够满足日常生产检测需要。 相似文献
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应用基于B样条基组的相对论耦合簇理论方法,计算了~(212)Fr原子的n S (n=7—12), n P (n=7—12)和n D (n=6—11)态的磁偶极超精细结构常数.与精确实验值的比较说明这套理论方法能精确计算出磁偶极超精细结构常数,其中7P态的磁偶极超精细常数的理论值与实验值之间的差异小于1%.在忽略场移效应对Fr原子7P态超精细结构常数的影响下,通过结合实验值进一步定出了~(207-213,220-228)Fr核磁偶极矩μ,这些值与已有的测量值具有非常好的一致性.本文报道了12S, n P (n=9—12)和n D (n=10—11)态的磁偶极超精细结构常数. 相似文献
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介绍了超级电容的结构原理与电路模型,以及超级电容在托卡马克装置实验中的应用。综合分析了大功率离子源弧放电电源的供电特性以及HL-2A 装置1MW 中性束注入系统的弧电源供电电路拓扑。提出了一种基于超级电容储能的5MW 中性束注入离子源弧放电电源供电方案,它能减小所需的电网容量,具有更小的体积和更高的效率、控制简单、响应速度快等特点。提出了采用恒压控制方式的基于超级电容供电的5MW 中性束注入离子源灯丝电源方案,分析了该方案的可行性和技术优势。为均衡用许多超级电容串并联组合储能时单体超级电容的电压,提出了一种可靠、高效的电压均衡电路。 相似文献
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在含有Sr2+,Ca2+,PO3-4和壳聚糖(CHI)的电沉积液中,用恒电流沉积法,在医用纯钛(Ti)表面上得到壳聚糖/掺锶羟基磷灰石(SrHAP)复合涂层。采用扫描电镜(SEM)、能量弥散X射线谱(EDS)、X射线衍射(XRD)对涂层进行检测,用傅里叶变换红外光谱(FTIR)考察了壳聚糖和锶离子的掺杂对HAP涂层构象和生物活性的影响。结果表明:锶部分取代磷灰石中的钙,表面形貌由疏松的针状变为较致密的片状。FTIR分析表明,涂层中出现了典型的amideⅠ和amideⅡ的壳聚糖振动峰,则CHI与SrHAP杂化良好;模拟生理液浸泡后表面覆盖有球状类骨磷灰石,则涂层具备较好的生物活性。塔菲尔测试表明,复合涂层使得Ti表面的抗生理腐蚀性显著提高。 相似文献
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Mechanical,elastic, anisotropy,and electronic properties of monoclinic phase of m-Si_xGe_(3-x)N_4
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The structural,mechanical,elastic anisotropic,and electronic properties of the monoclinic phase of m-Si_3N_4,mSi_2GeN_4,m-SiGe_2N_4,and m-Ge_3N_4are systematically investigated in this work.The calculated results of lattice parameters,elastic constants and elastic moduli of m-Si_3N_4and m-Ge_3N_4are in good agreement with previous theoretical results.Using the Voigt–Reuss–Hill method,elastic properties such as bulk modulus B and shear modulus G are investigated.The calculated ratio of B/G and Poisson’s ratio v show that only m-SiGe_2N_4should belong to a ductile material in nature.In addition,m-SiGe_2N_4possesses the largest anisotropic shear modulus,Young’s modulus,Poisson’s ratio,and percentage of elastic anisotropies for bulk modulus ABand shear modulus AG,and universal anisotropic index AUamong m-Si_xGe_(3-x)N_4(x=0,1,2,3.)The results of electronic band gap reveal that m-Si_3N_4,m-Si_2GeN_4,m-SiGe_2N_4,and m-Ge_3N_4 are all direct and wide band gap semiconducting materials. 相似文献