隐身技术和物理

随着目标探测技术的不断提高，隐身技术已成为现代战争中提高武器装备生存力和战斗力的关键技术，介绍了隐身的概念，重点讨论了雷达隐身和红外隐身领域的一些常用技术，研究了不同电磁小段隐身手段的相互制约以及兼容的可能性，虽然隐身技术起源于战争，但无庸置疑，隐身技术和物理学的紧密联系，以及它在国民经济非军事领域中的多方面应用必将会引起物理学家，工业企业界人士的密切关注。     

外延Si1-xGex薄层中浅杂质的光热电离光谱

在Si_1-xGe_x合金外延层中利用光热电离光谱方法观察到了Si_0.92Ge_0.08合金中浅施主磷的2p_±及3p_±态的分立谱线，并根据有效质量近似理论估算了Si_0.92Ge_0.08合金中磷施主的电离能为45.51meV．与硅相比，由于合金的无序效应，Si_1-xGe_x合金的分立谱线发生明显展宽 关键词：     

STRUCTURE STUDY OF MODULATION-DOPED Cd1-xMnxTe: In/CdTe STRAINED LAYER MULTIPLE QUANTUM WELLS

The photomodulated reflectivity (PR) spectroscopy of modulation-doped diluted mag-netic semiconductor Cd_1-xMn_xTe: In/CdTe multiple quantum wells has been measured at 20-300K. Several spectral features associated with intersubband transitions have been found. The band structure of Cd_1-xMn_xTe: In/CdTe has been calculated by the Hartree self-consistent method. The results show that the theory is in agreement with experiments. In addition, an abnormal transition intensity ratio of 22H (the second heavy hole subband to the second electroa subband) to 11H (the first heavy hole subband to the first electron subband) caused by electron filled effect has been reported. At low temperature, a feature associated with Fermi level is observed, which has not been reported before.     

Cd1-xMnxTe混晶的远红外吸收光谱

本文报道4.2—300K和20—400cm^-1范围内不同组份的Cd_1-xMn_xTe混晶远红外声子吸收光谱的研究结果。实验分辨了类CdTe,类MnTe剩余射线带及其TO-LO分裂,首次观察到位于混晶剩余射线吸收区内侧的低频吸收带、低x值情况下的准定域模吸收峰及其两侧的诸双声子吸收带。用缺陷晶格动力学理论估计了准定域模的出现及位置,讨论了其他吸收带的物理起源和判定。 关键词：     

导电聚合物P3MT的综合光谱研究

本文通过电调制反射谱(ER)、光调制反射谱(PR)、荧光光谱(PL)以及吸收光谱首次对导电聚合物聚三甲基噻吩(P3MT)进行综合光谱测量,并根据准一维导电体系的元激发态理论模型对实验结果作了分析,研究结果表明,导电聚合物P3MT的禁带宽度约为2eV,在70—300K的温度范围内对温度不敏感;掺杂和光照皆可诱导产生本征元激发态双极化子;离化杂质对双极化子有“钉扎效应”;光照可产生显著的激子态,本文还就P3MT中光电子交换微观过程的物理图象作了讨论。     

半导体中定域模,准定域模晶格振动的光谱研究

本文讨论了用光学方法研究杂质诱发定域化振动模的理论模型,分门别类地论述了半导体中杂质诱发的定域模、禁带模、共振模和准定域模晶格振动及非晶态半导体的晶格振动谱,给出了它们的综合结果。半导体中杂质诱发定域模已被人们广为研究,作者主要以自己的结果阐述了禁带模、共振模、准定域模和非晶态半导体振动谱研究在近年来取得的重要进展。除以较多篇幅研究各种定域化振动模的位置外,本文还从键—电荷模型出发讨论了杂质诱发振动吸收带的强度。     

Bi_2Ti_2O_7/Si薄膜的制备及C-V特性研究

采用化学溶液分解法 (CSD)在Si衬底上制备了Bi2 Ti2 O7薄膜 .X射线双晶衍射和原子力显微镜检测表明 ,所制备的薄膜主要为Bi2 Ti2 O7相的多晶材料 .同时还研究了Au Bi2 Ti2 O7 n Si(10 0 )结构的电容 电压 (C V)特性 ,结果表明 ,在Bi2 Ti2 O7薄膜中同时存在固定的与可移动的负电荷 ,可移动的负电荷导致了C V曲线的回线效应     

V形GaAs/AlGaAs量子线结构的微区光致发光谱研究

在室温下用显微光致发光的方法对单根V形GaAs/AlGaAs量子线进行了沿垂直于量子线方向的 空间分辨扫描测试,观察到各种量子结构的光致发光谱随空间位置的变化.在量子线区域附 近观察到来自量子线(QWR)、颈部量子阱(NQWL)和垂直量子阱(VQWL)等各种结构的发光,而 在距离量子线约1μm以远的发光光谱表现出侧面量子阱(SQWL)的发光.对全部发光光谱用高 斯线形进行了拟合,发现QWR和SQWL的发光包含了两个荧光峰,将它们分别归诸为电子到轻 、重空穴的跃迁.拟合后发光强度的空间变化直接确定了与量子线 关键词： V形GaAs/AlGaAs量子线 显微光致发光 空间分辨扫描     

GaN载流子浓度和迁移率的光谱研究

用红外反射光谱的方法对生长在蓝宝石衬底上的α-GaN外延薄膜的载流子浓度和迁移率进行了研究.通过测量蓝宝石衬底和不同Si掺杂浓度的一系列GaN外延膜的远红外反射谱并进行理论计算和拟合,得到GaN中的声子振动参量和等离子振荡的频率及阻尼常量,并由此计算得到其载流子浓度和迁移率.计算结果,红外方法得到的载流子浓度与Hall测量相一致,但迁移率比Hall迁移率要低约二分之一.同时红外谱与喇曼谱上明显观察到LO声子与等离子体激元耦合模,(LPP)随掺杂浓度的变化. 关键词： α-GaN外延薄膜 红外反射光谱 载流子浓度 迁移率 LO声子与等离子体激元耦合模 Raman光谱     

PHOTOCONDUCTIVITY OF Cd0.7Mn0.3Se

The photoconductivity spectra of semimagnetic semiconductor Cd0.7Mn0.3Se have been measured at 50-300 K and in the wavelength range of 5500 ? to 8000 ?. It is found that the energy gap of Cd0.7Mn0.3Se changes with the temperature linearly, and the temperature coefficient (dEg/dT) is about -7×10-4 eV/K. A photoconductivity peak which is related to Mn2+ is also found. This peak is located around 1.85 eV, nearly unshifted with variation of the temperature. The possible transition mechanisms in Cd1-xMnxSe have been discussed in the light of group theory and crystal field theory, and the results are in good agreement with experiments.