培育数学图形意识,深化数学概念教学

数学概念是数学学习的基础和基本技能教学的核心,是数学思想和方法的载体,一切分析、推理和想象等数学活动都离不开数学概念,所以学生对数学概念的准确把握是数学思维发展的前提.事实上,由于不少数学概念比较抽象,学生不能准确领悟和     

一个积分不等式的十种证明方法

对一个定积分不等式,给出十种证明方法,籍此介绍证明积分不等式时常用的一些方法及技巧．     

2-羟肟基正壬酸对一水硬铝石的浮选脱硅性能

依据浮选药剂设计理论设计了一个捕收剂2-羟肟基正壬酸,将其应用于一水硬铝石与铝硅矿物的浮选分离。用量子化学计算方法预测其对一水硬铝石有出色的捕收性能,而后合成该捕收剂后进行单矿物的浮选。以2-羟肟基正壬酸为捕收剂应用于一水硬铝石、高岭石和伊利石的浮选分离,其浮选分离条件为:pH=7时,2-羟肟基正壬酸浓度为4×10~(-4)mol/L,抑制剂六偏磷酸钠的浓度为1.5×10~(-5)mol/L,浮选时间为4 min。     

新课程理念下的合情推理教学

传统数学教学中,教师常常过分强调“三段论”的演绎推理,忽视合情推理．新课程倡导让学生“经历观察、实验、猜想、证明等数学活动,发展合情推理能力和初步的演绎推理能力”,就是要在数学教学中,引导学生进行探索,发现问题、解决问题,体验数学发展的过程,学会用归纳、类比和演绎进行推理．如今新的高中课程设置把合情推理纳入到选修教材中,无疑把合情推理教学推向了高潮．     

MnO_2/聚苯胺复合材料的电化学电容

以P123为模板剂,软模板法制备出纳米MnO2.酸性条件下引入苯胺并聚合,得到了MnO2/聚苯胺复合材料.X射线衍射(XRD)、红外光谱(IR),扫描电子显微镜(SEM)表征观察样品的结构、形貌.循环伏安、交流阻抗、恒电流充放电等测试MnO2/聚苯胺电极的电化学性能.结果表明:引入苯胺改变了样品纳米MnO2的形貌.MnO2/聚苯胺电极比容量高达190.8F·g-1,500次循环电极比容量仅衰减4.7%,库仑效率均保持在97%以上.     

Crystal Structure and Binding Properties of a New Molecular Clip Based on Diethoxycarbonyl Glycoluril： C42H36N6O6

A new molecular clip based on diethoxycarbonyl glycoluril 5: C42H36N6O6 , has been synthesized and characterized by single-crystal X-ray diffraction. The crystal belongs to orthorhombic, space group Pbca with a=12.7639(5), b=16.9727(7),c=34.2069(14) , V=7410.5(5)3 , Z=8, Dc=1.292 g/cm3 , μ(MoKα)=0.088 mm-1 , F(000)=3024, the final R=0.0655 and wR=0.1566 for 5123 observed reflections with I>2σ(I). The crystal structural analysis shows that intermolecular c-H…O and C-H…N hydrogen bonds stabilized the whole crystal structure. The binding study by fluorescence spectroscope titration showed that the title molecule can selectively recognize Fe3+ with fluorescence quenching.     

封闭石英模内合金材料凝固过程传热分析

一、引言 碲镉汞(Hg_(1-x)Cd_xTe)合金是制作红外探测器的理想材料。在制备该材料的诸多方法中,淬火-固态再结晶法(CR法)尤为受人重视。由于这种再结晶的凝固过程是在封闭的石英模内进行(见图1),无法直接测量,因此凝固方案的选取主要     

（焦）脱镁叶绿酸－a甲酯的N~(21)N~(23)轴向化学结构修饰及其对可见光吸收的影响

以脱镁叶绿酸－a甲酯和焦脱镁叶绿酸-a甲酯为起始原料，通过3－位乙烯基和 13~1-位环上基的化学反应，改变二氢中卟吩母环上N~(21)-N~(23)轴向的化学结构 ，完成了（焦）脱镁叶绿酸－a甲酯衍生物2～15的合成，并对其可见光谱的变化进 行了讨论。所合成的新叶绿酸衍生物均经UV，IR，~1H NMR及元素分析证明其结构 。     

重离子辐照带有ECC的65 nm SRAM器件“伪多位翻转”特性研究

为了提高纠错编码（ECC）的有效性,先进的静态随机存储器（SRAM）多采用位交错结构。但是,在没有物理版图信息的情况下,位交错设计使得从辐照测试数据中提取出多单元翻转（MCU）变得更加困难。运用Bi离子辐照带有ECC的65 nm SRAM器件,研究了该款器件在重离子辐照下的敏感性。为"伪多位翻转（FMBU）"以及MCU的数据分析提供了理论指导和帮助,完善了判别MCU的基本法则。除此之外,研究结果表明,ECC的汉明编码对于纳米器件的效果不够理想。在未来的空间应用中,需考虑更高层次的编码算法来抵抗单粒子翻转。In order to improve the robustness of error-correcting codes (ECC), modern static random access memory (SRAM) always use bit-interleaving structure. However, in the absence of physical layout information, the bit-interleaving design makes it more difficult to extract the multiple-cell upset (MCU) from the test data. In this paper, the sensitivity of Bi ion irradiation was investigated in a 65 nm technology SRAM with ECC. The experimental results provide a theoretical guidance and help for the fake multiple-bit upset (FMBU) and MCU data analyzing, which improve and perfect the basic rules extracting MCU from the test data. In addition, the results show that the performance of hamming encoding is not ideal in Nano scale SRAM. In the future of space applications, it is necessary to consider more advanced algorithms to against SEU.     

新型二元相MoS2/C纳米管的合成和机理研究

在900 ℃氢气气氛下, 通过热分解载有硫代钼酸铵的碳纳米管前驱物得到MoS₂/C二元相纳米管. 通过粉末X射线衍射(XRD)、高分辨透射电镜(HRTEM)、扫描电镜(SEM)和X射线能量散射仪(EDS)等方法对其形貌、结构和成分进行了表征. 结果表明, 我们合成了一种由两种材料组成管壁的新型纳米管, 并对其形成机理进行了研究.