气压对于低气压双频容性耦合Ar/O2 等离子体放电特性影响的研究

 研究了气压对双射频氩氧混合等离子体电子温度和电子密度的影响。在13.56MHz低频功率和94.92MHz高频功率固定为60W和氩氧气体比为1:9的情况下,利用发射光谱法分析了气压不同时氩氧混合等离子体的放电光谱中的特征谱线的变化规律。使用一维质点网格法(PIC-MC)静电模型计算了电子温度和电子密度。结果表明：电子温度随着气压的增加先降低后升高,与实验结果趋势相吻合;电子密度随着气压的增加先增大后减小。     

微波辐射对大米淀粉理化性质和结构特性的影响

微波辐射加工技术是一门新兴技术,被广泛应用于大米制品加工中。本文对大米淀粉进行微波处理,研究不同水分含量、温度和时间的微波处理条件对大米淀粉的直链淀粉含量、颗粒形貌、结晶特性和热特性等理化性质以及结构特性的影响。结果表明,微波处理对淀粉的直链淀粉含量没有显著影响,但会破坏淀粉的颗粒形貌;同时,微波处理不会改变淀粉的晶型,但是会降低淀粉的结晶度,会使淀粉的糊化温度升高,糊化焓降低。相对于微波处理温度和时间,微波处理过程中的样品水分含量对淀粉理化性质和结构特性影响比较小。综上,本研究结果为今后微波技术在大米淀粉及其制品的加工与应用提供理论依据。     

充液弯管连续/离散模型振动的动刚度解法

由充液弯管三维振动模型切入,应用动刚度法构建了弯管及直管单元的振动求解方法,进而用于组装求解充液管系的振动,可同时适用于含弯管单元的连续模型或只含直管单元的离散模型;通过算例对比,证明动刚度法比传递矩阵法和有限元法在计算效率和精度上有所提升;与充液L型管道振动实验测得的加速度频响曲线对比,验证了本文对于管道组装的计算方法的有效性,此外还分析了连续模型和离散模型的区别及适用范围。     

聚3-氯噻吩修饰CdSe纳米棒复合膜电极光电化学性能研究

采用水热法制备了具有闪锌矿和纤维锌矿结构的CdSe纳米棒. 纳米棒直径约为100 nm, 长度约为300 nm. 当外加电极电势为-0.6 V 时, 经聚3-氯噻吩[Poly(3-chlorothiophene), P3CT]修饰的CdSe纳米棒具有最大光电流, 并且CdSe/P3CT复合膜电极最高光电转换效率(IPCE)为13.5%, 低于CdSe纳米棒膜电极17.7%的最高IPCE. CdSe/P3CT复合膜电极中存在p-n异质结, p-n异质结的存在使得CdSe/P3CT复合膜电极在长波区(>410 nm)的IPCE整体高于CdSe纳米棒薄膜电极的IPCE.     

电子储存环中离子俘获不稳定性和高频清洗的模拟

介绍了用强–弱模型对电子储存环中离子俘获不稳定性和高频清洗机制进行模拟研究的结果.模拟结果可合理地解释在合肥光源(HLS)储存环上观察到的现象.     

GaSb衬底上外延InAsxSb1-x材料的LP-MOCVD研究

采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LP-MOCVD设备, 在(100)面GaSb单晶衬底上外延生长了InAsSb材料.用X射线双晶衍射、光学显微镜和扫描电镜、电子探针能谱仪等对材料特性进行了表征，分析研究了生长温度、Ⅴ/Ⅲ比、过渡层等对外延层的影响.并且获得了与GaSb衬底晶格失配度较低的表面光亮的晶体质量较好的InAsSb外延层.     

地磁场环境下烧结钕铁硼疲劳破坏在线监测方法研究

作为一种典型的硬磁材料,烧结钕铁硼在疲劳断裂时具有突发性、不确定性和紧迫性等特性,难以对其疲劳破坏变化过程进行在线监测.为了实现对烧结钕铁硼零构件在长期服役期间疲劳破坏全过程的在线监测,论文根据力磁耦合效应构建了地磁场环境下烧结钕铁硼的疲劳状态演变方程,将烧结钕铁硼的磁感应强度值作为描述疲劳破坏的状态参数.利用高精度测...     

富氧燃烧对烟气组分影响的数值模拟研究

以4×10⁴m³/h顶烧式常压加热制氢转化炉为研究对象,分析富氧燃烧对烟气组分的影响.采用有限体积法建立制氢转化炉辐射室流体的三维有限元模型,选取合理的数学模型研究了不同富氧工况对制氢转化炉辐射室内及出口处烟气组分的影响规律.研究结果表明:随着助燃空气中含氧量的增加,燃料气燃烧愈加完全,烟气中碳氢化合物(HC)和一氧化碳(CO)的含量降低.当含氧量为32.5%时,制氢转化炉炉膛内富氧燃烧特性明显.研究结果可为富氧燃烧技术在制氢转化炉的工程应用提供理论指导.     

上海光源准直测量方案设计

 上海光源在准直测量方案设计中面临的最大挑战来自于松软地基及高精度的定位要求。上海光源的准直过程分为控制网测量、元件标定、预安装准直、现场安装及平滑测量5个关键步骤。采用激光跟踪仪和静力水准系统等测量手段,将控制网精度设计为0.08 mm,其余步骤精度达到0.05 mm,以保证相邻共架机构的准直精度达到0.12 mm,优于0.15 mm的设计指标。方案在注重精度指标的同时,还兼顾了可靠性、测量效率、费用及实时监测的可能性。     

模板合成H4PMo11VO40/聚苯胺纳米线列阵及其聚合机理探讨

在氧化铝模板中制备了HPA/PANI纳米线列阵,SEM、TEM表明列阵中纳米线直径约为80 nm;XRD与FT-IR证明形成了有效掺杂;单根纳米线的导电率为16.2 S.cm-1;材料的TG-DTA表明PANI纳米线材料有三步失重过程,失去吸附水过程,多酸失去结晶水和PANI结构持续分解过程,多酸结构分解过程;在氧化聚合过程中H4PMo11VO40即为质子酸又为氧化剂和掺杂剂;聚合反应采用自由基机理进行,掺杂反应发生在形成醌二亚胺式自由基正离子和双苯胺式自由基正离子和醌二亚胺式自由基正离子偶联聚合成链结构时.