高速列车隧道会车空气阻力数值模拟研究

建立计算流体力学三维数值仿真模型,采用三维可压缩非定常湍流模型,利用重叠网格方法对高速列车隧道内等速交会过程进行动态数值模拟,分析会车过程中列车所受空气阻力的形成机理及分布特性。计算结果表明:隧道交会过程中,压差阻力对列车空气阻力的变化起主导作用,隧道交会对阻力峰值及峰峰值的影响比隧道单车大得多;列车隧道内交会时最大空气阻力是明线时的2.65倍,对应时刻的压差阻力和摩擦阻力分别为明线时的3.35倍、1.36倍;在交会完成前,头车表现为产生与速度方向相同的"推力",并呈现先增大后减小的趋势;尾车阻力最大,也呈现先增大后减小的趋势。     

深水钢悬链线立管触地区疲劳实验系统设计

深水钢悬链线立管(steel catenary riser, SCR)触地区易发生疲劳破坏, 且疲劳寿命预测问题是目前理论计算与数值分析的难点, 通过实验能更好地促进理论和数值研究. 因此在相关理论研究基础上, 设计一套SCR触地区疲劳实验系统, 模拟实际工作状况, 考虑张力、弯曲、内外压与管土相互作用等因素的变化组合. 该实验系统为以后开展深水立管疲劳实验、研究SCR触地区疲劳破坏机理以及准确预测SCR触地区的疲劳寿命奠定基础.     

THE ANALYTICAL STUDY ON THE LASER INDUCED REVERSE－PLUGGING EFFECT BY USING THE CLASSICAL EIASTIC PLATE THEORY（I）─TEMPERATURE FIELDS

ＴＨＥＡＮＡＬＹＴＩＣＡＬＳＴＵＤＹＯＮＴＨＥＬＡＳＥＲＩＮＤＵＣＥＤＲＥＶＥＲＳＥ－ＰＬＵＧＧＩＮＧＥＦＦＥＣＴＢＹＵＳＩＮＧＴＨＥＣＬＡＳＳＩＣＡＬＥＩＡＳＴＩＣＰＬＡＴＥＴＨＥＯＲＹ（Ｉ）─ＴＥＭＰＥＲＡＴＵＲＥＦＩＥＬＤＳＺｈｏｕＹｉｃｈｕｎ...     

聚能射流的断裂时间

从描述聚能射流失稳的一维近似方程出发，导出了聚能射流断裂时间的近似公式。这个近似公式定量显示了屈服应力、本构关系、粘度和径向收缩效应等对射流断裂时间的影响，在４个不同的特殊近似下，可以自然演化为近１０年来所发表的几个半经验解析公式，并且在合理的参数范围内，公式给出的断裂时间曲线覆盖了射流断裂时间的全部实验点。     

结构化学教学中的"新"认识和"新"实践

介绍在结构化学教学中如何启迪学生学习前人创新的精神和思想，以及如何将新内容纳入教学中，实“现坚持基础，常教常新”。     

我国数学类专业的教育改革

引　言1 994年原国家教委高教司制定了“高等教育面向 2 1世纪教学内容和课程体系改革计划” ,并要求各高等院校各专业以专题立项的形式参加此项改革工作 .1 995年经过批准 ,由北京大学、复旦大学、吉林大学、中国科技大学、北京师范大学、南开大学、四川大学、西安交通大学、武汉大学、浙江大学、厦门大学、西北大学、河北大学、云南大学等 1 4所大学的数学系 (或应用数学系、统计系 )联合组成了“面向 2 1世纪数学类专业教学内容和课程体系改革”项目组 .项目组负责人是北京大学姜伯驹院士 .项目组成立后 ,对我国大学数学类专业的教学状况…     

关于“Agostic”的中文同义词以及与该词有关的一组趣闻

１引言随着有机金属化合物科学以及与之相关的烯烃聚合科学的发展，“Ａｇｏｓｔｉｃ”这个字已经在科学文献中崭露头角，但似尚未见於经典英文辞书之中，也未见到正式的中文对应建议词。笔者建议，根据该词创意人的原始想法以及本身含义，将其译作为“元结”。它可因应用领域的不同而合成出不同的派生词，例如元结键（ＡｇｏｓｔｉｃＢｏｎｄ）、元结体系（Ａｇｏｓｔｉｃｓｙｓｔｅｍ）等等。然而为什么原创意人要推荐使用这样一叶“不见於一般辞书的新创字，而笔者又为什么选用“元结”二字作它的相应词？也许不加介绍读者们是难以了解到…     

含非局部源的反应扩散问题

本文对含非局部源反应扩散方程的定常问题讨论了正解的存在性，对依赖时间的解，给出了整体存在条件和有限时间爆破条件。     

八节点等参元滑动接触算法的改进

分析认为采用八节点等参元计算滑动接触问题时,往往存在较大的接触应力计算误差的主要原因在于这种单元具有两种不同的节点。为此,本文提出了双模拟接触边界法,即分别采用两种不同的节点,形成两个模拟接触边界,并限制“从接触边界”上的节点只能和“主接触边界”上其同类节点形成的模拟接触边界形成接触关系,从而有效的减小了采用八节点等参元计算滑动接触问题时的误差。     

具有P型覆盖层新型超级结横向双扩散功率器件

为了设计功率集成电路所需要的低功耗横向双扩散金属氧化物半导体器件(lateral double-diffused MOSFET), 在已有的N型缓冲层超级结LDMOS(N-buffered-SJ-LDMOS)结构基础上, 提出了一种具有P型覆盖层新型超级结LDMOS结构(P-covered-SJ-LDMOS). 这种结构不但能够消除传统的N沟道SJ-LDMOS由于P型衬底产生的衬底辅助耗尽问题, 使得超级结层的N区和P区的电荷完全补偿, 而且还能利用覆盖层的电荷补偿作用, 提高N型缓冲层浓度, 从而降低了器件的比导通电阻. 利用三维仿真软件ISE分析表明, 在漂移区长度均为10 μm的情况下, P-covered-SJ-LDMOS的比导通电阻较一般SJ-LDMOS结构降低了59%左右, 较文献提出的N型缓冲层 SJ-LDMOS(N-buffered-SJ-LDMOS)结构降低了43%左右.