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41.
以常规的抑制型离子色谱仪为基础,在抑制器之后和紫外检测器之前,依次串联两根自制的离子置换柱,第一根为Li+型阳离子置换柱,第二根为IO3-型阴离子置换柱。IC测定中用Dionex IonPac AS18阴离子交换柱为分离柱,以30mmol·L~(-1)氢氧化钠溶液为流动相。在测定亚氯酸钠的纯度及其杂质阴离子含量时,样品溶液(0.100 0g样品溶于水中,定容至50.0mL,分取部分溶液定量稀释100倍)在经过离子置换柱的过程中,亚氯酸根及其他待测阴离子均被定量地置换成同一的碘酸根离子,并通过紫外检测器,在波长210nm处予以测定。结果表明:亚氯酸根及其他4种杂质离子的浓度在一定范围内与其对应的峰面积呈线性关系,检出限(3S/N)在6.09~19.66μg·L~(-1)之间。按标准加入法进行回收试验,回收率在96.0%~101%之间,测定值的相对标准偏差(n=6)在1.1%~3.0%之间。 相似文献
42.
43.
44.
均匀试验设计是部分因子设计的主要方法之,已被广泛地应用于工业生产、系统工程、制药及其他自然科学中.各种偏差被用来度量部分因子设计的均匀性.不管使用哪种偏差,关键的问题是寻找一个精确的偏差下界,因为它可以作为衡量设计均匀性的标准.本文应用条件极值的方法得到了三水平U-设计在对称化L_(2-)偏差下的下界,该下界可作为寻找均匀设计的一个基准. 相似文献
45.
46.
47.
以4T PPD(4个晶体管的钳位光电二极管)型CMOS图像传感器为研究对象,开展注量为1×1011,3×1011,5×1011,7×1011,1×1012 neutron/cm2的中子辐照下损伤模拟的研究,建立CMOS图像传感器的器件模型和不同注量中子辐照后位移损伤的缺陷模型;采用相关双采样技术测量由亮到暗连续两帧时序脉冲下浮置节点(FD)的输出值,建立测量电荷转移损失(CTI)的模拟方法;获得CTI随中子辐照注量的变化关系,分析CTI随中子累积注量的变化规律,结合中子辐照效应实验验证中子辐照诱发CTI退化的理论模拟计算结果的有效性。研究结果表明,CMOS图像传感器的位移损伤敏感区域为空间电荷区域,中子辐照后会在空间电荷区中引入位移损伤缺陷,这些缺陷通过不断俘获和发射载流子,使信号电荷不能快速转移到FD中,造成电荷转移损失;电荷转移损失随着中子辐照注量的增加而增大,二者在一定范围内呈线性关系。 相似文献
48.
使用国产离子色谱-自研脉冲安培检测器测定饮料中常见的葡萄糖、果糖、乳糖、蔗糖和麦芽糖的含量。结果表明,5种糖类化合物的质量浓度在0.2~5.0 mg·L-1内与对应的峰面积呈线性关系,检出限(3S/N)分别为3.420,6.759,10.12,20.43,31.37μg·L-1。按照标准加入法进行回收试验,回收率为94.1%~114%,测定值的相对标准偏差(n=5)均小于5.0%,说明方法符合相关检测标准要求。为考察国产仪器分析的准确性和评价主要模块的性能,与Thermo ICS 5000+型离子色谱安培检测系统和Dionex Ultimate 3000型液相色谱示差检测器系统进行比较,结果表明,三者的分析结果一致性良好,其中国产离子色谱-脉冲安培检测器系统的检出限比Thermo ICS 5000+离子色谱安培检测系统高3~4倍。除此之外,国产离子色谱仪各个模块性能稳定,可满足常规糖类化合物含量的测定。 相似文献
49.
电化学发光(ECL)兼备电化学和化学发光的特点,灵敏度高、线性范围宽、背景干扰小,得到了广大分析科学研究者的关注;传统的ECL材料虽然发光效率高,但仍存在价格昂贵、负载量低等缺点。g-C3N4是一种不含金属的半导体纳米材料,主要以三嗪环或七嗪环为基本结构单元,通过层间的范德华力以及层内的C—N共价键结合,构成类石墨的二维层状结构,具有性质稳定、能带结构独特、生物兼容性好、环保无毒、易于功能化、原料价廉、制备过程简单等优点。自2012年g-C3N4首次被发现具备ECL的性能,至今已被广泛应用到ECL中。本文根据ECL的发光机理、传感器的作用效果、传感的信号类型以及不同的检测对象进行了分类,综述了近年来g-C3N4在ECL传感器构建中的研究进展,并阐述了g-C3N4在ECL发展中存在的挑战和前景。 相似文献
50.
收集了蝎虎天体OJ287光学B, V, R, I波段37年的观测数据, 获得了从1972年至2009年的光变曲线. 运用Lomb-Scargle傅里叶变换方法分析中等时标光变的周期性特性, 发现存在52.0±1.1 d与255±23 d的主要周期成分,并模拟了存在倍周期分岔的准周期信号, 与不同时段观测数据的相图和关联维数进行对比. 结果表明, OJ287具有多周期尺度特征, 不同时段准周期光变中谐波成分不同, 谐波成分的变化与次黑洞对主黑洞吸积流的扰动有关, 光变中的谐波成分可能是主黑洞吸积流受强扰动时分岔形成的. 相似文献