Ar在玻璃微球中的辐照增强扩散效应研究

 为满足惯性约束聚变实验诊断的需求，需要在空心玻璃微球内充入DT燃料气体的同时充入一定量的Ar诊断气体，由于Ar原子尺寸较大，一般热扩散技术难以实现对玻璃微球充Ar。为解决充Ar问题，研究了不同反应堆中子注量对玻璃微球的改性作用。测试结果表明：当中子注量达到1×10¹⁸ cm^-2时，在500 ℃和室温情况下都可以向玻璃微球内充入Ar。辐照增强扩散后的扩散系数高于3.6×10^-13 cm²/s。     

1．2MV大功率直流高压电源研制

随着工业辐照加速器技术的发展，电子加速器应用范围已经扩展到环保领域，利用大功率电子束治理燃煤烟气的污染就是其中比较成功的例子。工业加速器的束功率通常约在100kW，而电子束烟气治理技术的束功率达到1MW以上，能量0．8～1．5MeV。大功率直流高压电源是此类加速器最重要的关键技术，是整个加速器能量转换效率的决定因素，是加速器稳定性、可靠性的基础，是决定加速器制造成本的关键。     

UBK7玻璃后表面缺陷诱导体内激光损伤

 对UBK7玻璃在波长为1.064靘的短脉冲激光作用下产生的损伤进行了研究。通过对体损伤的形貌的相衬显微镜观测,发现体内和后表面炸裂点间的丝状损伤,从而提出后表面缺陷导致体损伤的理论解释。同时分析了表面损伤和体损伤的机理,对后表面损伤阈值低于前表面的原因作了讨论。     

一种新型辐射变色膜的γ射线辐照研究

报道了以高聚物为载体,以有机染料及添加剂为变色指示剂体系,制备一种辐射变色膜。这种辐射变色膜为无色透明固体薄膜,经60Co γ射线辐照后,其颜色变为蓝色。辐照后样品的紫外-可见吸收光谱表明,在可见光区其最强吸收峰出现在624 nm附近。在10～90 kGy的剂量范围内,不含添加剂的辐射变色膜的光密度变化与吸收剂量呈线性关系,而含有添加剂的辐射变色膜对γ射线辐照的响应在50 kGy时就达到饱和。同时还探索了该体系辐照效应的化学反应机理。     

18 MeV质子辐照对TiNi形状记忆合金R相变的影响

 研究了用HZ-B串列加速器的18MeV质子辐照对TiNi形状记忆合金R相变的影响，辐照在奥氏体母相状态下进行。示差扫描量热法（DSC）表明，辐照后R相变开始温度T^s_R和逆马氏体相变结束温度T^f_A随辐照注量的增加而降低。当注量为1.53×10¹⁴/cm²时，T^sR和T^f_A分别下降6K和13K，辐照未引起R相变结束温度T^s_R和逆马氏体相变开始温度T^f_A的变化。表明辐照后母相(奥氏体相)稳定。透射电镜（TEM）分析表明辐照后没有引起合金可观察的微观组织变化。辐照对R相变开始温度T^s_{R和逆马氏体相变结束温度Af的影响可能是由于质子辐照后产生了孤立的缺陷团，形成了局部应力场，引起晶格有序度的下降所造成的。}     

脉冲裂变中子总数测量新方法的理论研究

简述了作者提出的脉冲裂变中子测量原理,介绍了一种采用中子灵敏度补偿原理建立的中子测量探测系统,即由辐射衰减器+载6Li塑料闪烁探测器组成的探测系统。采用数值模拟方法对该探测系统的参数进行了优化计算,给出了理论优化计算结果并进行了分析讨论,对这种方法和探测系统的适应性进行了分析,预测了这种方法的应用前景。     

电子束在VO2薄膜中引起的价态、相结构和光学性能的改变

 利用能量为1.7MeV, 注量分别为1.25×10¹³/cm², 1.25×10¹⁴/cm², 1.25×10¹⁵/cm²的电子束辐照VO₂薄膜,采用XPS, XRD等测试手段对电子辐照前后的样品进行分析,并研究了电子辐照对样品相变过程中光透射特性的影响。结果表明电子辐照引起VO₂薄膜中V离子出现价态变化现象,并使薄膜的X射线衍射峰发生变化。电子辐照在样品中产生的这些变化显著改变了VO₂薄膜的热致相变光学特性。     

BaF_2晶体质子辐射效应研究

通过对BaF2 晶体进行质子辐照实验 ,研究BaF2 晶体质子辐照后的荧光发射谱及正电子湮没寿命谱。初步探讨BaF2 晶体经质子辐照后出现的现象和机理。     

半导体量子阱材料的自由电子激光辐照效应及OTCS测试研究

利用低温光荧光谱(PL)和光瞬态电流谱(OTCS)研究了自由电子激光辐照对GaAs/AlGaAs多量子阱材料的光学性质以及缺陷能级的影响。用波长为8.92μm,光功率密度相应于电场强度为20kV/cm的自由电子激光辐照多量子阱60min,分析PL谱发现量子阱特征峰(797nm)经过辐照后峰值发生红移至812nm,波形展宽,峰高降低。分析OTCS谱发现自由电子激光辐照引入了新的缺陷能级,量子阱结构发生变化, 对此结果进行了讨论,并与电子辐照的情况做了比较。     

基于Windows下的质子在物质中运动的模拟程序

采用解析法和Monte-Carlo方法相结合的Windows环境下模拟计算了不同能量的质子在Si,Ge等半导体物质和Au-Si探测器内的运动情况，并用计算机实际作出了质子在以上物质中的运动径流，直观动态的描绘了质子在半导体物质中的运动情况，得到了比较符合实际的模拟结果。