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本文将我们提出的一种在DV-Xα计算过渡金属络合物电子结构的基础上计算光谱的方法用于激光晶体MgO:Ni2+的研究.首次从第一性原理出发,全面计算了该激光晶体的单电子能谱、总态密度、自旋极化分裂、电荷转移跃迁能量、特别是d-d跃迁多重光谱项能量和自旋一轨道耦合常数,得到了与实验值较一致的结果. 相似文献
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采用离散变分局域密度泛函方法,研究了外电场对钨(111)面针尖电子结构的影响.详细计算和分析了在不同偏压和距离条件下,钨针尖的隧道激活轨道和电荷分布.研究结果表明:隧道激活轨道中针尖原子的成分对外偏压的极性、大小以及针尖与样品之间的距离都较敏感.与过去理论计算结果不同,钨针尖原子的5dz2轨道对隧道激活轨道有一定贡献,但并不是最主要的.在加正偏压时对隧道激活轨道贡献最大的为5dxz和5dyz轨道,而在加负偏压时则为包括
关键词: 相似文献
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<正>石墨烯自发现以来,因其非常优异的电学、热学、光学和力学等性能,在高端电子、能源存储、复合材料等领域有着广阔的应用前景~1。为了解决石墨烯的宏量制备和应用问题,自2009年以来,化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)方法逐渐成为制备高品质石墨烯薄膜的最有效手段之 相似文献
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采用离散变分局域密度泛涵( D V L D F) 方法,基于 Tersoff Hamann 的扫描隧道显微镜( S T M) 理论,通过计算单个 C60 五种不同吸附取向的电荷密度分布图来模拟其 S T M 图象.计算结果表明,不同取向 C60 的电荷密度分布图有各自的特征‘指纹’,其中模拟正偏压情形下 C60 的最低未占据分子轨道( L U M O) 分布图与其 S T M 图象具有较好的可比性.与实验上已有的 S T M 图象和文献中的理论计算结果比较,可以确定 C60 在一些表面上的吸附取向.根据我们实验上获得的 S T M 图象及理论模拟结果,发现 C60 在 Si(111)7 ×7 表面存在一种新的吸附取向,即5 —6 键朝上.计算结果还对 S T M 的实验工作具有一定的指导意义,并可以采用这一方法,用来确定其他分子的吸附取向. 相似文献
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选用C26H54原子簇模型来表征a-DLC网络的局域结构,研究表明,当在压应力作用下,a-DLC网络结构键长及键角会发生畸变,压应力的作用会使a-DLC sp^2键构型向sp^3键构型转换。这种构型的转换是个连续的过程,同时,应力弛豫也可使sp^3键构型sp^2键构型转变,此时,相邻四面体间距将增大,当增至2.4A时,a-DLC网络可从稳定的晶体结构过渡至亚稳态的晶体结构。 相似文献
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