《超级画板》帮你教函数（2）

1五点作图法绘制三角函数 五点作图法绘制三角函数，一般就是先列表、描出5个关键点再连线成图．这种方法对于学生绘制函数草图能力的培养还是很有好处的，但这也存在问题：用直线段连接可以么？什么线才算光滑？5个点虽然关键，但能代替全部么？为什么点取的越多，图象越光滑？这样的问题要想向学生解释清楚，传统教学是不可能做到的．     

高维扩散过程扩散系数估计的中偏差

本文考虑高维扩散过程的大偏差.对于高维扩散过程dX(t)=σ(t)dB(t),(其中σ(t)未知),我们讨论其平方变差过程[X]t=∫0t(σσ*)(s)ds的估计的大偏差及中偏差.通过利用Gartner-Ellis定理,得到了上述估计在固定时刻t=1时的中偏差;同时通过计算其对数矩生成函数的Fenchel-Legendre变换,得到其速率函数的显式表达.     

图的独立数的一个新下界

设α（Ｇ）表示简单图Ｇ＝（Ｖ，Ｅ）的独立数．本文给出了α（Ｇ）的一个新的下界：α（Ｇ）≥∑ｖ∈Ｖ（λｄ（ｖ）＋１）／（ｄ（ｖ）＋λｄ（ｖ）＋１），其中λｄ（ｖ）＝ｍａｘ｛０，βＮ（ｖ）－ｄ（ｖ）｝，ｄ（ｖ）＝｜Ｎ（ｖ）｜，Ｎ（ｖ）＝｛ｗ∈Ｖ｜（ｖ，ｗ）∈Ｅ｝，βＮ（ｖ）＝ｍｉｎｗ∈Ｎ（ｖ）ｄ（ｗ）．     

球面零件钻孔专用夹具

在球面零件上钻孔，要保证每一个孔的中心线都指向球心。尤其是要求在球面上分布多孔时，工件在钻床上定位，有一定的难度。根据球面零件的结构特点，针对以上条件，设计如图1所示的钻床专用夹具。     

大功率非晶态变压器磁偏饱和的预防方法

概述了非晶态材料的基本特性，深入分析了大功率非晶态变压器出现磁偏移饱和现象的原因，提出了幅值递增法，脉宽递增法和电流积分调宽法等预防磁偏饱和的方法. 关键词： 非晶态磁偏饱和 幅值递增法 脉宽递增法 电流积分调宽法     

二硫纶联吡啶过渡金属配合物的红外光谱与配位方式

详细报道了二硫纶联吡啶过渡金属配合物Ｍ（ｍｎｔ）（ｂｐｙ），Ｍ＝Ｍｎ（Ⅱ）、Ｆｅ（Ⅱ）、Ｃｏ（Ⅱ）、Ｎｉ（Ⅱ）、Ｃｕ（Ⅱ）、Ｚｎ（Ⅱ）的红外光谱实验数据．对比二硫纶二甲基联吡啶金属配合物Ｍ（ｍｎｔ）（ｄｍｂｐｙ）和二硫纶邻菲咯啉金属配合物Ｍ（ｍｎｔ）（ｐｈｅｎ）的红外光谱，分析了Ｍ（ｍｎｔ）（ｂｐｙ）的简正坐标，并结合热谱、电子光谱等性质研究了二氰基二硫纶和联吡啶与金属离子的配位方式     

一类偏微控制问题的增广Lagrange乘子算法

把Ｌａｐｌａｃｅ方程导出的最优控制问题的增广Ｌａｇｒａｎｇｅ乘子算法推广到一般的线性椭圆情形，并给出了相应的算法和收敛性证明     

半导体科学技术与诺贝尔物理学奖

半导体科学技术是自然科学和技术领域中的一个极其重要的活跃分支，也是完美体现当代科学技术发展特点的一个突出范例．而诺贝尔物理学奖则是一种在全世界范围内最具权威性的自然科学奖励，也是获奖者所拥有的一种最高科学荣誉．半导体科学技术与诺贝尔物理学奖之间有着某些必然的关联性．揭示与探讨二者之间的这种内在联系，对于认识半导体科学技术的历史发展规律，并进而把握它的未来发展走向具有一定的现实指导意义。     

浅谈利用复数求一类伴随曲线的方程

解析几何中有一些较为复杂的求轨迹方程问题,往往可以归结为求已知曲线的伴随曲线方程。所谓伴随曲线,可以这样定义: “对于已知平面曲线C上的各点M,取同一平面上的点P和它对应,即M→P,当点M在曲线C上移动时,点P一般也要伴随着M而变动,设P点的轨迹为C°,则称C°为C的伴随曲线,并称M和P互为相伴点。”(引自《中学数学中的伴随曲线及其方程的求法》,见《中学数学》