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1.
2.
We choose nano-Pt in hydrogen environment to explore the size effect on the formation of metal hydrides.At30 GPa,a phase transition in the metal lattice from the cubic to hexagonal phase is observed characterized by a drastically increased volume per metal atom,indicating the formation of PtH-P6_3/mmc.We find that nano-Pt could form PtH at a lower pressure than the bulk Pt due to its high specific surface and structure defects.The present work provides the possible route to new metal hydrides under mild conditions.  相似文献   
3.
本文报道通过对YBa2Cu1-xCox(Cu1-yZny)2Oz(0≤x,y≤0.1)体系晶体结构、氧含量、正常态电阻-温度关系、Hall效应以及超导临界温度等的综合测量,发现随着Co和Zn含量的增加,体系经历了从正交结构的超导金属向四方结构的非超导半导体的转变,超导临界温度Tc和载流子浓度nh均迅速下降,Co 关键词:  相似文献   
4.
Au/SiO2纳米复合薄膜的微结构及光吸收特性研究   总被引:5,自引:2,他引:3       下载免费PDF全文
用多靶磁控溅射技术制备了Au/SiO2纳米多层薄膜.利用透射电子显微镜以及吸收光谱对Au/SiO2复合薄膜的微观结构、表面形貌及光学性能进行了表征和测试.研究结果表明:单层Au/SiO2薄膜中Au沉积时间小于10s时,分散在SiO2中的Au颗粒随Au的沉积时间的延长而增大;当沉积时间超过10s后,Au颗粒的尺寸几乎不随沉积时间变化,但Au颗粒的形状由网络状结构变为薄膜状结构.[Au(t1)SiO2(600)]×5多层薄膜在540-560nm波长附近有明显的表面等离子共振吸收峰,且吸收峰的强度随Au的沉积时间增加而增强.基于修正后的Maxwell-Garnett (M-G)有效媒质理论,讨论了金属颗粒的形状对等离子共振吸收峰的峰位和强度的影响.模拟的吸收光谱与实验吸收光谱形状、趋势及吸收峰位相符合.  相似文献   
5.
Au/SiO2纳米多层薄膜的制备及其性质表征   总被引:4,自引:2,他引:2       下载免费PDF全文
利用多靶磁控溅射技术制备了Au/SiO2纳米颗粒分散氧化物多层复合薄膜.研究了在保持Au单层颗粒膜沉积时间一定时薄膜厚度一定、变化SiO2的沉积时间及SiO2的沉积时间一定而改变薄膜厚度时,多层薄膜在薄膜厚度方向的微观结构对吸收光谱的影响.研究结果表明:具有纳米层状结构的Au/SiO2多层薄膜在560nm波长附近有明显的表面等离子共振吸收峰,吸收峰的强度随Au颗粒的浓度增加而增强,在Au颗粒浓度相同的情况下,复合薄膜光学吸收强度随薄膜厚度的增加而增强.但当金属颗粒的浓度增加到一定程度时,金属颗粒相互接触,没有观察到纳米层状结构,薄膜不显示共振吸收峰特征.用修正后的M-G(Maxwell-Garnett)理论对吸收光谱进行了模拟,得到了与实验一致的结果.  相似文献   
6.
采用固相微萃取-气相色谱-质谱联用(SPME-GC-MS)对炼油厂废水中痕量挥发性有机化合物(VOCs)进行了定性分析,简化了预处理过程,总分析时间为1h左右.对比处理前后的废水样品的MS定性结果,为废水处理工艺的评价以及有机物降解机理提供了依据.  相似文献   
7.
以一个水声被动测量系统的工程项目为平台,介绍与其配套的水下多路水声测量系统的构成、主要电路环节和工作原理。  相似文献   
8.
The first intramolecular charge transfer transition based on 2-ureido-4[1H]-pyrimidinone binding module was reported.  相似文献   
9.
对教师来说,课堂的组织是一个实施控制教学的过程,要有效地控制就离不开信息反馈。因为教学过程本身是教学信息的传递和反馈的过程,教师是信息的输出者,又是过程的控制者;学生是信息的接受者,但不是知识的接收器。因此教师要通过学生的信息反馈来及时的调整教法,进...  相似文献   
10.
本文借助对图的本质独立集和图的部分平方图的独立集的研究,对于K1,r图中哈密顿圈的存在性给出了八个充分条件。我们将利用T-插点技术对这八个充分条件给出统一的证明,本文的结果从本质上改进了C-Q.Zhang于1988年利用次形条件给出的k-连通无爪图是哈密顿图的次型充分条件,同时。G.Chen和R.H.Schelp在1995年利用次型条件给出的关于k-连通无K1,4图是哈密顿图的充分条件也被我们的结果改进并推广到无K1,r图。  相似文献   
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