Tb2Fe17-xSix单晶磁性和窄畴壁的研究

在 Ｔｂ２ Ｆｅ１７ 化合物中用 Ｓｉ 替代 Ｆｅ 观察到晶格参数减小和居里温度升高．平均场理论分析指出, Ｓｉ 对 Ｆｅ 的替代使 Ｆｅ Ｆｅ 间的交换作用明显增强、 Ｔｂ Ｆｅ 间交换作用轻微地减弱．通过拟合 Ｔｂ２ Ｆｅ１７ － ｘ Ｓｉｘ（ ｘ ＝ ００ ,１０ ,２０ ,３０ ,３３） 单晶的磁化曲线,得到了化合物在不同组分和温度下的各向异性常数．在 Ｔｂ２（ Ｆｅ , Ｓｉ）１７ 单晶的磁化和退磁过程中,观察到 Ｓｉ 替代 Ｆｅ 时引起低温下的本征窄畴壁钉扎和矫顽力增强．计及三个各向异性常数的计算以及用 Ｅｇａｍｉ 热激发模型和 Ｈｃ 与 Ｔ 的经验关系,对畴壁能和畴壁厚度的计算都证明了 Ｓｉ 的替代导致了窄畴壁的存在,分析了它们随成分和温度变化的规律．     

n/m/P/F_(max)问题的算法研究

排序问题具有可观的经济效益与广泛的应用领域．本文应用人工智能的搜索技术改进了排序问题ｎ／ｍ／Ｐ／Ｆ_(ｍａｘ)的算法,从而大大提高了求解效率,扩大了问题的求解规模．     

V5+掺杂CaCu3 Ti4 O12陶瓷的 低温合成及烧结性能

采用传统固相反应法以V2O5为V5+掺杂源合成制备了CaCu3Ti4-xVxO12(CCTVO,x=0;,1;,3;,5;)陶瓷粉体,研究了V掺杂量对CaCu3Ti4O12(CCTO)物相低温合成及其低温烧结性能的影响,并对V掺杂CCTO陶瓷的低温合成机理和烧结机理进行了分析.XRD结果表明:当V掺杂量为≥1;时,在870℃煅烧20h可以完全获得CCTO物相,而未掺杂的样品则含有明显杂相,这说明V掺杂可以实现CCTO物相在低温下的合成制备.但差热分析表明,V掺杂后会提高CCTO发生固相反应的起始温度.分析认为低温下之所以实现CCTO的制备主要得益于V掺杂后会在高温煅烧过程中形成液相而增强了扩散气质和热传递效应.V掺杂量为3;的粉体在920℃相对较低温度下烧结后,具有较大的晶粒尺寸和高达92.4;的致密度,所得陶瓷在20Hz的低频率下介电常数高达2.28×105.     

新型膜分离预处理-亚甲基蓝分光光度法测定水中硫化物的含量北大核心CSCD

采用疏水性多孔滤膜对水样进行气液分离预处理,优化的预处理条件为:加入抗氧化剂除掉体系中带入的氧,设置加热温度为90℃,加热时间为60 min,50%(体积分数)磷酸溶液总量为20 mL(单次加酸量为2 mL)。采用亚甲基蓝分光光度法测定所得溶液中硫化物的含量。结果表明,硫化物标准曲线的线性范围为0.050~0.700 mg·L^(-1),检出限为0.003 mg·L^(-1)。方法用于测定有证标准物质,测定值在认定值的不确定度范围内,相对误差为-1.9%~-1.6%;按照标准加入法对实际样品进行回收试验,回收率为90.6%~95.0%,测定值的相对标准偏差(n=6)为2.5%~4.6%。     

Experimentally Obtaining the Likeness of Two Unknown Qubits on a Nuclear-Magnetic-Resonance Quantum Information Processor

We study the discrimination of quantum states from the other way around, i.e. the likeness of two quantum states. The fidelity is used to describe the likeness of two quantum states. Then we present a scheme to obtain the fidelity of two unknown qubits directly from the integral area of the spectra of the assistant qubit (spin) on a nuclear-magnetic-resonance quantum information processor. Finally, we demonstrate the scheme on a three-qubit quantum information processor. The experimental data are consistent with the theoretical expectation with an average error of 0.05, which confirms the scheme.     

Tb2Fe17和Tb2（Fe,Si）17磁性单晶的生长和相图

利用磁悬浮冷坩埚提拉法技术生长了Tb2Fe17和Tb2(Fe,Si)17的单晶,并用差热分析等方法研究了材料的相图。研究结果表明：Tb2Fe17的相关系并非以往报道的包晶反应。而是同成分熔化。本文还给出了Tb2Fe17化合物附近的新相图。采用优化后的生长条件,获得了缺陷较少的Tb2Fe17和Tb2(Fe,Si)17高质量单晶,分析了Si替代对于化合物结构的影响,测量了Tb2Fe17单晶样品的基本磁性。从材料的一级磁化过程的测量可以看出,在理想配比条件下最容易获得缺陷密度低的单晶样品,这种磁性测量方法为了解单晶的完整性提供了一个有效的间接观察方法。     

缺失数据下半参数单调回归模型的估计

研究了响应变量缺失情况下半参数单调回归模型的估计问题。利用嵌入核估计的方法得到了参数部分的估计,在此基础上构造了非参数部分的单调约束最小二乘估计。证明了参数估计的渐近分布为正态分布,得到了非参数部分估计的收敛速度。通过随机模拟研究了有限样本量下估计的表现。     

铁酸镍/碳复合中空多壳层结构的制备及吸波性能

采用次序模板法合成了单、双壳层的中空铁酸镍(NiFe₂O₄)材料,通过改变前驱体溶液组成及煅烧条件等因素实现了对产物形貌的调控.在中空NiFe₂O₄颗粒表面原位包覆聚多巴胺,再经过碳化处理,制备了具有中空多壳层结构(HoMS)的NiFe₂O₄/C复合吸波材料;考察了其电磁参数,计算了其吸波性能,分析了不同复合结构对性能的影响.结果表明,中空多壳层结构能够显著降低材料的密度,而碳薄层不仅能够改善其阻抗匹配性,而且提升了材料的反射损耗性能.其中,双壳层NiFe₂O₄/C复合物的吸波性能最佳,当样品厚度为3.5 mm时,材料在8.44 GHz处反射损失最小,为-32.35 dB;当样品厚度为2.0 mm时,材料在14.01～17.69 GHz范围内反射损耗小于-10 d B,有效吸收频宽为3.68 GHz.这些优异性能主要源于独特的中空多壳层结构增加了电磁波多次反射/散射的概率,提供了更多的界面极化,实现了电磁波的快速...