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51.
波片相位延迟量精密测量新方法 总被引:11,自引:7,他引:11
利用旋转波片的偏振干涉技术,结合机械-光学旋光调制器对光相位的调制,通过判断方波信号的有无,可精密地确定被测定片相位延迟的数值,机械-光学旋光调制器的使用,大大简化被测样品和测试装置中四分之一波片光轴方位的调整,也显著地提高了装置测量的灵敏度和波长测量范围,对环境不作特殊控制,依据本方法建立的测试装置的相对测量误差可小于千分之五。 相似文献
52.
表面粗糙度测量的磁光位相调制和锁相干涉 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了一种表面粗糙度测量的新方法,该方法采用了微分偏振干涉的原理,利用由法拉第磁光调制器所组成的调制系统对偏振干涉光路的位相进行调制,利用锁相干涉原理对位相进行探测,该方法可实现无参考面快速非接触测量,在普通实验条件下,也可保持良好的稳定恶性循环 ,实验装置即可给出表面的轮廓又可给出其它统计数据,其横向分辨率为1.2μm纵向为2nm。 相似文献
53.
54.
两维正交小波基 在许多实际问题中 ,经常会遇到多维的信号 (如图像等 ) ,因此只有一维小波基是不够的。不难证明 (见 [1 ])若φ( t)与Ψ ( t)是小波标准正交基的尺度函数与母函数 ,φjm( x) =2 j2 φ( 2 jx -m) ,Ψjm( x) =2 j2 Ψ ( 2 jx -m) ,则 {Ψjn( x)φjm( y) ,φjn( x)Ψjm( y) ,Ψjn( x)Ψjm( y) }j,m,nz构成两维平方可积函数空间 (即满足∫∞-∞∫∞-∞|f ( x,y) |2 dxdy <∞的全体函数所构成的线性空间 )的一组标准正交基 (见图 1 2 ( a) ( b) )图 1 2(六 )离散小波变换的应用举例( 1 )消除信号中的噪音信号在生成和传输过程… 相似文献
55.
56.
The thermoelectric compound TiS2 is studied by using the full-potential linearized augmented plane-wave method on the density functional theory with the generalized gradient approximation (GGA) as well as the on-site Coulomb interaction correction (+U). The Seebeck coefficient of TiS2 is calculated based on the electronic structure obtained within the GGA under the consideration of the on-site Coulomb interaction. The calculated Seebeck coefficient at 300K shows that Coulomb interaction U in the range of 4.97-5.42eV is important to reproduce the experimental data. The obtained energy gap Eg around 0.05 eV indicates that TiS2 is an indirect narrow-gap semiconductor. 相似文献
58.
59.
A nontraveling wave solution of a generalized Vakhnenko equation arising from the high-frequent wave motion in a relaxing medium is derived via the extended Riccati mapping method. The solution includes an arbitrary function of an independent variable. Based on the solution, two hyperbolic functions are chosen to construct new solitons. Novel single-loop-like and double-loop-like solitons are found for the equation. 相似文献
60.
采用水溶液法合成了巯基乙酸(TGA) 包覆的CdSe 量子点. 通过X 射线粉末衍射和高分辨透射显微镜检测结果证实, 合成得到闪锌矿结构CdSe 量子点. 能谱图和傅里叶变换红外光谱图结果说明, 在核CdSe 纳米粒子表面与配体TGA 之间有CdS 壳层结构形成. 利用样品表面光电压(SPV) 谱, 指认CdSe 量子点精细能带结构以及各自对应的激发态特征: 475 nm (2.61 eV) 和400 nm (3.1 eV) 两个波长处的SPV 响应峰分别与CdSe 核和CdS 壳层带-带隙跃迁相对应; 370 nm (3.35 eV) 附近SPV 响应峰可能与TGA 中羰基与巯基或羧基之间发生的n →π* 跃迁有关. 场诱导表面光电压谱结果证实, 合成的CdSe 量子点具有明显的N 型表面光伏特性, 而上述n→π* 跃迁则具有P 型表面光伏特性. 荧光光谱谱线均匀增宽以及SPV 响应峰位蓝移, 说明样品具有明显的量子尺寸效应. 结合不同pH 值下合成的CdSe 量子点的SPV 谱和表面光声谱发现, SPV 响应强度与表面光声光谱信号强度变化趋势恰好相反. 上述样品表面光伏效应表明, CdSe 量子点表面和相界面处的精细电子结构以及光生载流子的输运特性均与量子点的尺寸大小存在某种内在联系.
关键词:
硒化镉量子点
光生载流子
表面光电压谱
表面光声光谱 相似文献