球幕投影数字鱼眼镜头的光学设计

采用非相似成像原理,利用Zemax光学软件设计了一款适用于1-60 cm(0.63英寸)3LCD数字投影机的球幕投影数字鱼眼镜头。镜头结构是一种反远距型光学结构,由5组6片球面透镜组成,具有结构简单、易加工等特点。镜头全视场角为180,焦距为3.28 mm,相对孔径为1/1.9,后工作距离为35.8 mm,光学总长为196 mm。镜头具有较高的成像质量,在50 lp/mm处,各个视场的MTF值均大于0.4,最大垂轴色差为4.5 m,全视场的F-theta畸变绝对值小于3%,最大视场的像面相对照度达到96.27%。     

结合n模式表示势的含时密度矩阵重正化群求解激发态非辐射衰减速率：理论形式和在薁分子中的应用

本文提出一种来计算多原子分子包含Franck-Condon区势能面非谐效应的无辐射衰减速率的方法. 这种方法结合了n模式表示法,通过构造第一性势能面和近乎精确的含时密度矩阵重正化群法(TD-DMRG),来模拟量子动力学过程. 另外,在TD-DMRG 的框架下,进一步发展了计算末态分辨的速率常数的算法,它对于分析每个振动模式对于跃迁过程的贡献十分有用. 本文采用这种方法研究了考虑基态势能面非谐性后的薁分子的内转换过程. 结果表明,即使对这个半刚性的分子,模式内的非谐性也能够显著的提高内转换速率;在考虑双模式的耦合之后,速率会进一步增加. 其原因是由于C-H振动的黄昆因子接近于0,其在简谐势能面上无法对内转换做出贡献,而非谐性打开了C-H振动接受电子能量的能力.     

矩阵广义逆硬阈值追踪算法与稀疏恢复问题

本文通过引入支撑集捕获基数及MP广义逆,提出了一种用于稀疏恢复问题的矩阵广义逆硬阈值追踪算法,并在观测误差存在的情况下给出了算法在约束等距条件(RIP)下的收敛性.数值实验表明,算法不仅极大地减少了收敛所需迭代次数,且观测误差存在的情况下稀疏恢复是强健的.     

雄黄对大鼠脑组织中单胺类神经递质及其代谢产物的影响

将32只Wistar大鼠随机分为对照组(口服0.5%羧甲基纤维素钠溶液)以及低剂量(0.3g/kg)、中剂量(0.9g/kg)和高剂量(2.7g/kg)雄黄混悬液处理组,通过4周连续灌胃给服雄黄混悬液;采用高效液相色谱-电化学法测定了大鼠脑组织中单胺类神经递质及其代谢产物的含量,研究了雄黄对大鼠脑组织单胺类神经递质及其代谢产物的影响.结果表明,与对照组比较,雄黄染毒组大鼠脑组织中NE、DOPAC和DA含量均呈增加趋势,而5-HIAA呈降低趋势.雄黄可对大鼠脑组织单胺类神经递质及其代谢产物产生影响,单胺类神经能系统可能是雄黄毒性作用的靶点之一.     

雄黄对大鼠脑组织能量代谢的影响

将32只Wistar大鼠随机分为对照组(口服0.5%羧甲基纤维素钠溶液)以及低剂量(0.3g/kg)、中剂量(0.9g/kg)和高剂量(2.7g/kg)雄黄混悬液处理组,通过6周连续灌胃给服雄黄混悬液,采用高效液相色谱法测定大鼠脑组织中三磷酸腺甙(ATP)的含量,研究了雄黄对大鼠脑组织能量代谢的影响.结果表明,与对照组比较,雄黄染毒组大鼠脑组织中ATP含量均呈下降趋势(P<0.05),不同剂量组间未表现明显差异(P>0.05).这表明雄黄对大鼠脑组织能量代谢具有一定的抑制作用.     

掺杂元素Fe对LiAlH4放氢性能影响的第一性原理研究

采用第一性原理赝势平面波方法研究掺杂元素Fe对LiAlH4放氢性能的影响及其作用机理.计算杂质形成能、电子态密度、氢原子分解能,分析原子间的成键情况和结构的稳定性.结果表明:Fe在LiAlH4中占据间隙位置或者替代Al或者Li时,都能改善LiAlH4的放氢性能.Fe在LiAlH4中倾向于占据间隙位置,电子结构分析显示Fe占据间隙位置时与近邻的Al原子产生强烈的相互作用;另一方面,Fe与近邻的H也有较强相互作用.两个因素共同的结果是破坏了[AlH4]基团的稳定性,从而改善LiAlH4的放氢性能.结果与实验相吻合.     

4k数字放映机广角放映镜头的设计

为满足4k电影的短距离放映需求,设计一款广角放映镜头,可适配于采用三芯片DMD技术的放映机,最大投射比可达0.75∶1,相对孔径为1/2.2,反远比为4.6∶1,在66 lp/mm的Nyquist频率处,MTF值为0.42,边缘视场MTF值为0.25。最大横向色差为3.7 m0.5 pixel,最大畸变为2.5%。分析了反远距形式的特点,给出了合理选型、分配光焦度和计算关键技术参数的方法,以及像差校正过程中应注意的问题。最终设计出了符合设计指标的具有高分辨率的广角放映镜头,该镜头结构简单、成本低。     

Effect of high-temperature annealing on AlN thin film grown by metalorganic chemical vapor deposition

The effect of high-temperature annealing on AlN thin film grown by metalorganic chemical vapor deposition was investigated using atomic force microscopy, Raman spectroscopy, and deep ultra-violet photoluminescence(PL) with the excitation wavelength as short as ～ 177 nm. Annealing experiments were carried out in either N2 or vacuum atmosphere with the annealing temperature ranging from 1200℃ to 1600℃. It is found that surface roughness reduced and compressive strain increased with the annealing temperature increasing in both annealing atmospheres. As to optical properties,a band-edge emission peak at 6.036 eV and a very broad emission band peaking at about 4.7 eV were observed in the photoluminescence spectrum of the as-grown sample. After annealing, the intensity of the band-edge emission peak varied with the annealing temperature and atmosphere. It is also found that a much stronger emission band ranging from 2.5 eV to 4.2 eV is superimposed on the original spectra by annealing in either N2 or vacuum atmosphere. We attribute these deep-level emission peaks to the VAL–ONcomplex in the AlN material.     

电磁辐射问题的简化处理

将电动力学中关于电磁辐射的问题简化处理作一小结和回顾,在对这些要点熟悉和掌握之后,求辐射电磁场这个看似复杂的问题便简化成相当简单的矢量代数问题．     

新型光学材料发展综述

新型光学材料是指光电数码及信息产品所应用的技术含量高、制作难度大、光学性能优越的光学材料,一般是指镧系光学玻璃、环保系列光学玻璃、低熔点及磷酸盐光学玻璃等。目前我国光学材料的研究开发水平与国外发达国家相比还有一定的差距,特别是与日本和德国等国际知名光学材料生产厂家相比,无论从光学玻璃品种还是生产工艺及设备都存在着明显的差距。目前我国光学材料行业仍以生产传统的光学玻璃为主,一些新型材料需从国外进口,不能完全满足我国高科技发展的需要。在光学材料方面,我国急待需要进行技术研究和技术创新工作,即开发新型的光学材料,研究先进的制造工艺以及测试技术,尽快形成我国的产业化规模生产。