高均匀性的铜柱凸块电镀

随着电子产品的小型化、多功能化和高性能化的发展,促使着2D集成封装向2.5D或3D集成封装发展。铜柱凸块电镀是晶圆级三维封装的关键基础技术之一。本文研究了铜柱凸块的电镀均匀性与添加剂浓度、 镀液对流、 电流密度和电镀设备之间的影响规律。研究结果表明, 添加剂浓度、 镀液对流以及电流密度对单个铜柱凸块的平整度影响较大,而对铜柱凸块高度的均一性影响较小。相反,电镀设备对铜柱凸块的高度均一性的影响较大, 而对铜柱凸块的平整度影响较小。在三种有机添加剂中, 整平剂对铜柱凸块的平整度影响最大, 随着镀液中整平剂浓度的增加,铜柱凸块顶部形状由凸起、变为平整、 再转变为凹陷。电镀液的单向对流会导致所沉积铜柱凸块形貌发生倾斜。 高的电流密度会导致凸顶的铜柱凸块形貌。精密设计的电镀设备可以提高晶圆上电流密度分布的均匀性, 继而大幅提高电镀铜柱凸块的共面性。本文的研究结果可为铜柱凸块的电镀优化提供指导。     

环状单体与乙烯基单体的杂化共聚

本文研究了在膦腈碱(t-BuP4)催化下各种环状单体和乙烯基单体的杂化共聚,发现己内酯、丙交酯或环碳酸酯与丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯能够进行杂化共聚,但环硅氧烷与乙烯基单体、丙烯腈与内酯不能杂化共聚.研究表明,单体与活性中心的匹配决定了杂化共聚能否进行.     

葡聚糖衍生物涂敷型手性固定相的分离性能研究

本文用苯甲酰氯和苯基异氰酸酯修饰葡聚糖得到两种手性选择体,再将其涂敷于氨丙基硅胶表面,得到相应的手性固定相。研究并比较了这两种手性固定相在正相模式下的分离能力以及温度对手性分离的影响。     

常见的非线性递推数列通项公式求法

我们经常遇到含有分式根式或二次式等非线性递推关系．如何根据这些非线性递推关系求数列的通项公式呢？     

制备条件对Ａｕ／ＬａＣｏＯ３催化氧化ＣＯ性能的影响

采用溶胶凝胶法制备了钙钛矿型复合氧化物ＬａＣｏＯ３,并用沉积沉淀法（ＤＰ法）制备了Ａｕ／ＬａＣｏＯ３催化剂．考察了制备条件对催化剂催化氧化ＣＯ活性的影响．结果表明,制备过程中,溶液ｐＨ、ｐＨ调节顺序及催化剂焙烧温度对催化剂活性均有一定影响．Ａｕ／ＬａＣｏＯ３催化剂的最佳制备条件为：沉积过程中在ＨＡｕＣｌ４溶液中先加入载体后,再调节溶液ｐＨ＝８,得到的催化剂经２５０℃焙烧后可提高催化剂稳定性．     

克伦特罗在微悬臂免疫传感器上的响应

微悬臂传感器是将对待测物敏感的修饰层固定于微悬臂表面,当与待测物分子作用时,少量的分子吸附在微悬臂梁的表面,微悬臂梁发生弯曲或谐振频率的变化.     

一种强耦合预估-校正浸入边界法

为克服传统浸入边界法的质量不守恒缺陷,提出了一种用于可压缩流固耦合问题的强耦合预估-校正浸入边界法。通过阐述一般流固耦合系统的矩阵表示,推导了流固耦合系统的强耦合Gauss-Seidel迭代格式,进一步导出预估-校正格式,提出了预估-校正浸入边界法。该方法使用无耦合边界模型对流体进行预估,将流固耦合边界视为自由面,固体原本占据的空间初始化为零质量的单元,允许流体自由穿过耦合边界。对于流体的计算,使用带有minmod限制器的二阶MUSCL有限体积格式和基于Zha-Bilgen分裂的AUSM+-up方法,配合三阶Runge-Kutta格式推进时间步。在校正步骤中,通过一组质量守恒的输运规则来实现输运过程。输运算法可概括为将边界内侧的流体进行标记,根据标记顺序以均匀方式分割和移动流体,产生一个指向边界外侧的流动,最后在边界附近施加速度校正保证无滑移条件。标记和输运算法避免了繁琐的对截断单元的几何处理,确保了算法易于实现。对于固体的计算,分别采用一阶差分格式和隐式动力学有限元格式求解刚体和线弹性体,并利用高斯积分获得固体表面的耦合力。使用预估-校正浸入边界法计算了一维问题和二维问题。在一维活塞问题中,获得了压力分布、相对质量历史和误差曲线,并与其他方法进行了对比。在二维的激波冲击平板问题中,获得了数值模拟纹影和平板结构的挠度历史,并与实验结果进行了对比。研究表明,该方法区别于传统的虚拟网格方法和截断单元方法,能够精确地维持流场的质量守恒并易于实现,且具有一阶收敛精度,能够较准确地预测激波绕射后的流场以及平板在激波作用下的挠度,为开发流固耦合算法提供了一种新的思路。     

免疫亲和色谱-高效液相色谱法测定河水和土壤中克百威、三唑磷和绿磺隆残留量

将河水或土壤样品的丙酮提取液通过串联的分别装有克百威、三唑磷和绿磺隆免疫亲和吸着剂的3支免疫亲和色谱柱(IAC)或同时装有上述3种吸着剂的多抗体IAC,对样品中克百威、三唑磷及绿磺隆3种农药进行分离。采用串联IAC分离时,在样品溶液过柱后,将串联的IAC柱分开,并用不同配比的甲醇-水溶液分别从3支IAC柱上洗脱农药,用ELISA和HPLC分别测得农药的含量。采用多抗体IAC分离时,用甲醇-水溶液洗脱后,用上述两种方法测得洗脱液中3种农药的含量。对2种分离方法作回收和精密度试验,两方法的回收率和重复性基本一致。     

厦门西海域表层沉积物中稀土元素分布特征

以厦门西海域表层沉积物为对象,研究了沉积物中稀土元素(REE)的分布特征.结果表明:厦门西海域沉积物中REE含量为125.71～206.02 μg·g-1,西部港湾区的8号和九龙江口的2号采样点REE含量较高,且轻稀土占绝对优势.REE含量随沉积物粒级呈有规律的变化,REE含量最高的是＜63μm的粒级,最低的是250 μm的粒级;沉积物经球粒陨石标准化后,各粒级REE总体配分曲线相近,均表现为明显的Eu亏损和Ce亏损,且＜63μm粒级亏损尤为严重.Eu与Ce异常平均值均小于黄河流域和长江流域沉积物;＜63μm粒级的沉积物中轻重稀土分馏程度最高,但在其他三种粒级沉积物中由粗到细分馏程度逐渐降低.分馏现象表明细粒级沉积物轻重分馏较粗粒级明显.与当地土壤稀土元素背景值比较,沉积物主要来自厦门西海域本地的土壤.     

利用Pd催化合成单晶GaN纳米线的光学特性(英文)

基于金属元素钯具有的催化特性,采用射频磁控溅射方法,在Si(111)衬底上沉积Pd:Ga2O3薄膜,然后在950℃下对薄膜进行氨化,制备出大量GaN纳米线.采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)等技术手段对样品的结构、形貌和成分进行分析.结果表明,制备的样品为具有六方纤锌矿结构的单晶GaN纳米线,直径在20-60nm范围内,长度为几十微米,表面光滑无杂质,结晶质量较高.用光致发光光谱对样品的发光特性进行测试,分别在361.1、388.6和426.3nm处出现三个发光峰,且与GaN体材料相比近带边紫外发光峰发生了较弱的蓝移.对GaN纳米线的生长机制也进行了简单的讨论.