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41.
路基冻害一直是困扰东北季冻区道路建设的一个重要问题。长春冬季天气寒冷,在温度梯度作用下路基土中水分产生迁移和聚集,引起路基冻胀。春季路基解冻,集聚的冰晶体融化,路基土处于饱和或过饱和状态,承载力极低,在交通车辆作用下发生路面鼓包、弹簧、断裂和翻浆冒泡等现象,给交通运输和经济建设带来极大的危害。孔隙是水分迁移的主要通道,是影响路基冻胀主要因素之一,其特征决定土体的冻胀敏感性。本文利用WD-5配置联机图象处理系统的电子显微镜,通过图像定量分析系统,对长春季冻区路基土的微观孔隙作了定量评价。经过分析得出:3个土样孔隙直径均是小于5μm的占主导地位,都具备冻胀条件;试样水平和垂直两个方向的孔隙分布较均匀,孔隙为辐射状或网状结构,多为扁圆和等轴形状;孔隙形态分维数分析认为,分维数高,大孔隙含量多,孔隙分布比较简单,在研究范围内,有利于水分迁移,冻胀性较强。 相似文献
42.
以生物大分子γ-聚谷氨酸(γ-PGA)、β-环糊精(β-CD)为反应单元,通过酯化反应,制备接枝共聚物(γ-PGA-g-β-CD),用氢核磁共振(1 H-NMR)对共聚物进行结构表征。接着将γ-PGAg-β-CD在选择性溶剂中进行自组装,形成自组装胶束纳米粒子,利用纳米粒度分析仪及原子力显微镜(AFM)对胶束粒子的粒径和形貌进行表征。最后以γ-PGA-g-β-CD自组装胶束粒子溶液为电解液,结合恒电位电沉积技术,在镁合金表面制备γ-PGA-g-β-CD生物纳米涂层材料,利用傅里叶变换红外光谱(FT-IR)、扫描电子显微镜(SEM)及电化学工作站分别对涂层的化学组分、表面形貌以及电化学腐蚀性能进行表征。研究结果显示:β-CD的接枝率为28%,γ-PGA-g-β-CD自组装胶束粒子的流体动力学直径为(168±5.3)nm,所制备的γ-PGA-g-β-CD生物涂层可降低镁合金的腐蚀速率,具有较好的防护作用。 相似文献
43.
基于第一性原理,运用原子团簇理论和Hartree-Fock Self-Consistent-Field从头算法计算了高压固氦hcp结构在平衡位置r=1.75-2.6附近的原子相互作用能,并使用1stOpt软件拟合出固氦的零点振动频率,得到零点振动能、Gruneisen系数及零点振动压强,最后与实验值做了比较.结果表明:固氦晶体在其各自平衡位置附近的运动可近似为简谐振动;固氦晶体的零点振动频率随着摩尔体积的增大而减小;零点振动能占多体相互总能的比例超过5%,已不可忽略,其比例随摩尔体积的增加而增大;零点振动能随原子间距和摩尔体积的增大而减小;Gruneisen系数随着摩尔体积的增大而增大,并始终处于1和2之间;零点振动引起的压强与实验值曲线趋势完全一致,但比实验值稍小,零点振动压强对总压强的贡献随着摩尔体积的增大由8%增大到50%左右,由此引起的零点振动压强值的贡献越来越大. 相似文献
44.
45.
苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯三嵌段聚合物(SIS)是目前广泛使用的一种热塑性弹性体(TPE)材料, 建立高效、 精准、 普适的SIS功能化方法一直是提高TPE材料性能的关键. 首先, 利用双烯单体与单官能度引发剂的反应合成了双官能度的双锂引发剂; 然后采用双锂引发法, 以炔基功能化单体封端, 高效合成了α,ω-端炔基官能化SIS聚合物. 采用叔丁醇锂作为异戊二烯聚合段的调节剂, 叔丁醇钾作为苯乙烯聚合段的调节剂, 合成了低乙烯基结构含量(5.8%)、 窄分子量分布(<1.17)的SIS三嵌段聚合物; 再向SIS三嵌段聚合物中一步加入炔基官能化的1,1-二苯基乙烯(DPE)衍生物进行封端, 以高于90%的收率高效合成了α,ω-端炔基官能化SIS三嵌段模块聚合物, 借助炔基的高效点击反应, 实现了功能化及拓扑化TPE材料的制备. 相似文献
46.
结合基因组学数据与生物学背景,利用数学与统计的方法研究代谢综合征的致病机理。首先,利用变异系数筛选出信息含量较高的数据,并且利用变异基因频数统计的方法确定高频变异基因。通过查阅相关文献和数据库可知,大部分高频变异基因都与代谢综合征有关。随后,研究高频变异基因对其他基因的调控情况,并且由此构建出高频变异基因的调控网络以及网络内部的协同和拮抗作用。最后,提出基于调控网络的患病风险预测模型,由此提供预防或治疗方案。 相似文献
47.
采用状态矩阵与勒让德级数联合法,同步联立Biot理论,构建多层多孔锂离子电池声传播特性理论模型,以厚1.9 mm软包钴酸锂电池为例,数值分析了荷电状态(State of Charge,SOC)对多模态频散曲线的影响规律。同时,建立了电池中的声传播特性频域仿真模型,提取频域仿真中的超声导波频散曲线。此外,以体积小、柔性强的压电纤维复合材料(Macro Fiber Composite,MFC)为基础,实验探究了不同SOC对锂离子电池中声学行为的影响。采用互相关分析获取电池放电过程中声波渡越时间的偏移规律,建立了1.9 mm软包钴酸锂电池的声学波动行为与电池SOC间的映射关系。 相似文献
48.
Current oscillation in GaN-HEMTs with p-GaN islands buried layer for terahertz applications 下载免费PDF全文
Wen-Lu Yang 《中国物理 B》2022,31(5):58505-058505
A GaN-based high electron mobility transistor (HEMT) with p-GaN islands buried layer (PIBL) for terahertz applications is proposed. The introduction of a p-GaN island redistributes the electric field in the gate-drain channel region, thereby promoting the formation of electronic domains in the two-dimensional electron gas (2DEG) channel. The formation and regulation mechanism of the electronic domains in the device are investigated using Silvaco-TCAD software. Simulation results show that the 0.2 μ m gate HEMT with a PIBL structure having a p-GaN island doping concentration (Np) of 2.5×1018 cm-3-3×1018 cm-3 can generate stable oscillations up to 344 GHz-400 GHz under the gate-source voltage (Vgs) of 0.6 V. As the distance (Dp) between the p-GaN island and the heterojunction interface increases from 5 nm to 15 nm, the fundamental frequency decreases from 377 GHz to 344 GHz, as well as the ratio of oscillation current amplitude of the fundamental component to the average component If1/Iavg ranging from 2.4% to 3.84%. 相似文献
49.
以活性负离子聚合法合成的不同分子量和单体配比的苯乙烯-异戊二烯-丁二烯三元共聚物橡胶(SIBR)为增韧剂,以双官能团引发剂引发,采用本体聚合方法合成了系列ABS树脂,利用经典相分离技术、SEC、TEM和力学试验对聚合试样的结构、分子量、形态及性能进行了表征,并以SEM对冲击后的断面形貌进行观察以探究其断裂机理.结果发现,随着SIBR分子量的增大,橡胶相尺寸增大,接枝率下降,相界面明显,但冲击强度有所提高;SIBR中St组分含量增加,粒子均匀,但刚性增大,对抗冲击性能不利.高Mn、低St组分含量SIBR抵抗裂纹形成和扩展的能力强,ABS呈韧性断裂方式,以丰富的银纹化、明显的剪切屈服和大量系联带的撕裂为主要断裂机理;低Mn、高St组分含量SIBR抵抗裂纹形成和扩展的能力较低,ABS以半韧性方式断裂,断裂机理以基体塑化、剥离和界面的应力白化现象为主. 相似文献
50.