利用原子芯片上Z形磁阱囚禁中性87Rb原子

利用解析和数值方法计算了Z形磁阱的囚禁势，发现当囚禁中心和芯片表面距离较远时(该距离和Z形线中部导线的一半长度相差不超过一个量级)，势阱的深度不能近似表示成偏置磁场B_y对应的能量，而要减去囚禁中心的势能高度；而增加B_y进行磁阱压缩到一定值时，势阱深度反而会下降.此外介绍了原子芯片的制作方法，以及利用原子芯片上Z形磁阱囚禁中性⁸⁷Rb原子的实验装置和实验过程.最终有2×10⁶个⁸⁷Rb原子被转移到Z形磁阱中.     

Surface Planar Ion Chip for Linear Radio-Frequency Paul Traps

We propose a surface planar ion chip which forms a linear radio frequency Paul ion trap. The electrodes reside in the two planes of a chip, and the trap axis is located above the chip surface. Its electric field and potential distribution are similar to the standard linear radio frequency Paul ion trap. This ion trap geometry may be greatly meaningful for quantum information processing.     

用原子芯片操纵中性原子

原子芯片提供了一个稳定、精确且功能强大的实验平台来制备和操纵中性超冷原子。本文概述了近年来原子芯片的研究发展状况,并介绍了原子芯片上微势阱的设计原理以及几个典型的原子芯片实验,然后讨论了芯片实验中的原子损失、加热和退相干机制,最后对原子芯片可能的发展方向进行了预测。     

扫描质子微探针质子束刻写

质子束刻写技术利用MeV能量的聚焦质子束对抗蚀剂材料直接刻写m甚至nm尺度微结构。研究了质子束刻写中抗蚀剂胶层样品厚度与涂层机旋转速度的关系以及曝光对抗蚀剂的影响,解决了质子束刻写中抗蚀剂厚胶层样品的制备、固化、显影等技术问题,利用扫描质子微探针系统,在正型抗蚀剂胶层上刻写出m尺度的海宝图形、 双矩形结构,在负型抗蚀剂上刻写出m尺度的平行线条、十字形微结构。