钯催化的酰胺羰化反应研究-溶剂的影响

考察了不同溶剂(如N-甲基吡咯烷酮、乙腈、聚乙二醇、1-甲基-3-己基咪唑六氟磷酸盐)以及不同共催化剂(如十六烷基三甲基溴化铵、四丁基溴化铵、溴化锂)对苯甲醛酰胺羰化反应的影响.与使用高沸点的有机溶剂N-甲基吡咯烷酮相比,使用乙腈、聚乙二醇和1-甲基-3-己基咪唑六氟磷酸盐作溶剂,反应后处理过程大大简化,反应界面更加友好.聚乙二醇作溶剂首次应用于酰胺羰化反应.     

Phosphorus diffusion and activation in fluorine co-implanted germanium after excimer laser annealing

The diffusion and the activation of phosphorus in phosphorus and fluorine co-implanted Ge after being annealed by excimer laser are investigated. The results prove that the fluorine element plays an important role in suppressing phosphorus diffusion and enhancing phosphorus activation. Moreover, the rapid thermal annealing process is utilized to evaluate and verify the role of fluorine element. During the initial annealing of co-implanted Ge, it is easier to form high bonding energy F_nV_m clusters which can stabilize the excess vacancies, resulting in the reduced vacancy-assisted diffusion of phosphorus. The maximum activation concentration of about 4.4×10²⁰ cm^-3 with a reduced diffusion length and dopant loss is achieved in co-implanted Ge that is annealed at a tailored laser fluence of 175 mJ/cm². The combination of excimer laser annealing and co-implantation technique provides a reference and guideline for high level n-type doping in Ge and is beneficial to its applications in the scaled Ge MOSFET technology and other devices.     

大口径光学系统测试用双回转子孔径扫描装置设计与误差分析

设计了一种新颖的双回转子孔径扫描装置,得到了可以覆盖大口径光学系统全口径的子孔径扫描光斑,从而满足了大口径光学系统光谱透射特性的测试需求.结合双回转扫描装置的结构参数误差,基于齐次坐标变换矩阵原理,建立了双回转扫描装置的数学模型,提出了一套分析子孔径扫描精度的方法,并且在设计双回转子孔径扫描装置中实现了应用.分析结果表...     

Cr，Tm∶YAG晶体中的能量转移

通过对Ｃｒ∶ＹＡＧ、Ｔｍ∶ＹＡＧ和Ｃｒ，Ｔｍ∶ＹＡＧ晶体吸收光谱和发射光谱的比较，研究了Ｃｒ，Ｔｍ∶ＹＡＧ晶体中的能量转移过程．指出Ｃｒ３＋→Ｔｍ３＋能量转移过程中，无辐射能量转移占绝对优势．     

脉冲驱动磁化等离子体内爆升温点火的数值模拟北大核心CSCD

通过建立物理模型,用一维三温拉氏磁流体力学程序分析了由强电流(MA)脉冲驱动的金属套筒内爆压缩磁化等离子体的升温点火及能量增益过程。分析了脉冲驱动的金属套筒内爆、不同驱动源对金属套筒内爆升温的影响、Z箍缩过程中内嵌磁场和预加热温度对磁化等离子体升温的影响,以及点火需要的初态参数和点火后的能量输出。此外,对该过程中磁场增加α粒子能量沉积、降低电子离子热传导能量损失的物理机制做了介绍和分析。磁流体数值模拟结果显示:当初始的内嵌磁场和燃料的预加热温度分别取5T和250eV时,即可获得超过4keV的升温,初始参数包括内嵌磁场、预加热温度、燃料密度、套筒尺度、驱动脉冲幅值、加载时间等。在一定的条件下,点火成功,可产生kT量级的强磁场,并获得百kJ/mm量级的能量输出。     

硅基低位错密度厚锗外延层的UHV/CVD法生长

利用超高真空化学气相淀积系统, 基于低温缓冲层和插入应变超晶格的方法, 在Si(100)衬底上外延出厚度约为880 nm的纯Ge层. 采用X射线双晶衍射、高分辨透射电镜、原子力显微镜和光致发光谱分别表征了其结构及光学性质. 测试结果显示外延Ge的X射线双晶衍射曲线半高宽为273", 表面均方根粗糙度为0.24 nm, 位错密度约为1.5×10⁶ cm². 在室温下观测到外延Ge的直接带跃迁光致发光, 发光峰值位于1540 nm. 表明生长的Si基Ge材料具有良好的结晶质量, 可望在Si基光电子器件中得到应用.     

激光显微拉曼技术检测晶体管工作电流导致的器件自加热现象

随着晶体管尺寸的日益缩小,不良热效应成为晶体管失效重要原因之一.现有的检测器件热分布的手段的空间分辨率较低,不能原位直观地获得这些尺寸越来越小的晶体管的工作过程中的热分布情况.本文针对以上问题,在变温系统上探索利用激光显微拉曼光谱技术原位检测晶体管的自热效应,结果表明可以通过器件衬底上硅的一阶声子振动的拉曼谱峰频率随温...     

基于DCT排序特征加密的人脸图像安全检索系统

在云环境下的内容存储与检索系统中,服务端不再是完全可信.使用常规加密方法,无法针对多媒体密文数据提供快速有效的内容检索服务.针对此问题,结合JPEG编码特点本文提出并实现了一种基于Logistic混沌加密和基于DCT排序的隐私保护内容检索系统.该系统可以实现JPEG图像的视觉加密,同时并不影响用于检索的特征和效率,从而使得服务端可以对密图进行内容检索,并且算法能够忍受一定程度的噪声和压缩.其性能特点得到了实验验证.     

1,5-苯并硫氮杂草-α-取代-β-内酰胺衍生物的合成、晶体结构及其抑菌活性

酰氯与1,5-苯并硫氮杂革反应,合成了12个1,5-苯并硫氮杂革-α-取代-β-内酰胺衍生物,产物的结构用IR,MS1,H NMR和元素分析表征,立体结构用单晶X-射线衍射法确证.生物活性研究表明,此类化合物有一定的抑菌作用,其中对大肠杆菌的抑菌效果相对较好,但其活性低于1,5-苯并硫氮杂草.     

梯度型非局部高阶梁理论与非局部弯曲新解法

针对文献中关于纳米结构刚度受非局部效应影响趋势的不一致预测,基于梯度型的非局部微分本构模型,利用迭代法及泰勒展开法求得了非局部高阶应力的无穷级数表达,非局部应力相当于经典弯曲应力与非局部挠度的逐阶梯度之和. 然后推导了梯度型非局部高阶梁弯曲的挠曲轴微分方程,并结合正则摄动思想,求解了非局部挠度的表达式. 最后给出数值算例,具体量化挠度受非局部尺度因子的影响大小. 研究表明:相比于其经典值,纳米结构的非局部弯曲挠度可呈现出或增大或减小或不变的趋势,考虑梯度型非局部高阶应力降低或提高或不影响纳米结构的刚度,具体结果依赖于外载和边界约束的类型. 算例显示外载形式和边界约束条件均各自独立地影响着纳米结构的非局部弯曲挠度,同时首次观察到非局部最大弯曲挠度的位置可能受非局部尺度因子的影响. 研究结论解决了非局部弹性力学应用于纳米结构的若干疑点,并为理论的发展和优化提供支持.