La2/3Ca1/3Mn1-xCuxO3(x=0.15)系统低温下的电阻极小值现象及其起因

实验研究了La_2/3Ca_1/3Mn_1-xCu_xO₃(x=0和0.15)样品在温度远低于居里温度时的电阻随温度的变化行为.发现未加磁场时,Cu掺杂样品在低温下表现出电阻极小值行为.这一极小值现象在外加磁场后消失.基于Kondo理论,对实验观察进行了讨论,并作了定量的理论与实验的比较. 关键词：     

相互作用的Brinkman-Forchheimer方程组与Darcy方程组的结构稳定性

研究了在R³中有界区域内的多孔介质中相互作用的Brinkman-Forchheimer流体与Darcy流体方程组解的结构稳定性,假设在Ω₁中流体速度较慢,满足BrinkmanForchheimer方程组,而在Ω₂中,饱和流体满足Darcy方程组.借助于温度的四阶范数估计以及Sobolev不等式,构造能量表达式,推出该表达式所满足的微分不等式,积分得到了相互作用Brinkman-Forchheimer与Darcy流体方程组的解对Brinkman系数的连续依赖性结果.     

(La1-xYx)2/3Ca1/3MnO3体系的正电子湮没研究

为研究超大磁阻材料的掺杂效应,我们测量了(La1-xYx)2/3Ca1/3MnO3系列样品的正电子寿命谱,并结合X射线衍射和电阻温度关系的测量结果,系统地研究了Y掺杂引起的样品局域电子结构和空位型缺陷的变化,并提出了局域电荷转移的观点,解释正电子体寿命的变化.     

氧化钙薄膜中缺陷诱导的高居里温度铁磁性研究

通过脉冲激光沉积在(111)取向钇稳定的氧化锆(YSZ)衬底上制备了氧化钙(CaO)薄膜.室温下磁滞回线的实验观测数据表明CaO薄膜具有明显的铁磁性.X射线衍射和X射线光电子能谱分析表明,CaO薄膜为(111)取向,没有杂质相.在高真空条件下生长和退火的CaO薄膜都表现出铁磁性磁化行为,而在相应的CaO靶材上没有检测到...     

RUSr2EU1.4Ce0.6Cu2O10-δ超导体的磁特性研究

RuSr2Eu1.4Ce0.6Cu2O10-δ超导样品的交流磁化率曲线在TM2～125 K和Tp～75 K处出现峰值.我们通过测量不同频率下的交流磁化率和电子自旋共振谱,对这两个峰的起源进行了详细的研究.通过对铁磁共振线的强度、线宽和共振场与温度依赖关系的讨论,我们得出TM2附近的峰对应着体系的反铁磁转变.Tp处的峰随着测量频率的增加向高温移动,且峰的强度逐渐减小,这一结果证实了体系中存在自旋玻璃态.     

反相离子对色谱法测定牛奶与奶粉中糠氨酸的含量

建立了反相离子对色谱法测定牛奶和奶粉中糠氨酸含量的分析方法。样品的盐酸水解液经氮气吹干,流动相溶解定容后直接测定。实验条件为:Luna C18色谱柱,柱温30℃,以2.5mmol/L 1-庚烷磺酸钠(磷酸调pH2.2)-乙醇(体积比为88∶12)为流动相,检测波长为280nm,流速为1mL/min。结果表明,糠氨酸的质量浓度在0.5～75.0mg/L范围内与其峰面积呈良好的线性关系,线性方程为y=49365x+10677(r=0.9999),检出限(S/N=3)为0.0065mg/L。牛奶和奶粉样品的RSD分别为0.3%和1.0%,平均加标回收率均为98%。该方法在样品预处理中省去了干过滤及C18柱预萃取过程,操作简便,成本低廉,适用于乳品中糠氨酸含量的测定。     

碳纳米管负载的Pd-Ag-Sn催化剂对甲酸的电氧化

采用硼氢化钠还原的方法合成了碳纳米管负载的钯基纳米催化剂（Pd/CNT,Pd₇Ag₃/CNT,Pd₇Sn₂/CNT,Pd₇Ag₁Sn₂/CNT,Pd₇Ag₂Sn₂/CNT和Pd₇Ag₃Sn₂/CNT）。通过XRD,TEM和XPS对其进行了表征,结果表明,相比Pd/CNT和Pd-Ag（或Pd-Sn）催化剂的纳米颗粒,Pd-Ag-Sn催化剂展现出了更小的平均颗粒尺寸（2.3 nm）。此外,还通过循环伏安（CV）和计时电流法（CA）测试了这些催化剂对甲酸氧化的电活性,在酸碱介质中,Pd-Ag-Sn/CNT对甲酸氧化都表现出了更高的电流密度。其中,Pd₇Ag₂Sn₂/CNT催化剂在酸碱介质中的电流密度分别是108.8和211.3 mA·cm^-2,相应的Pd质量电流密度高达1 364和2 640 mA·mg^-1,远远高于商业Pd/C,表明Pd-Ag-Sn/CNT催化剂对甲酸氧化表现出了极好的电催化活性。     

红外光谱在光缆保护盒壳体材料组成分析中的应用

本工作利用聚乙烯和聚丙烯材料红外光谱图的差异，提出了一种工程塑料组成的分析方法。并用于光缆接续保护盒壳体材料的研究，取得了良好的结果。     

Zn掺杂对Bi2212单晶临界电流密度的影响

通过对少量Zn掺杂Bi2212单晶样品不同温度下的磁滞回线的测量,根据Bean临界态模型得到了样品在不同温度和磁场下的临界电流密度.发现不同温度下的临界电流密度与磁场的关系可以用Jc(H,T)=Jc(0,T)exp(-Hα)进行拟合,并且拟合参量α随温度的上升而增大,而在Pb掺杂和纯Bi2212单晶中α值基本上是不随温度变化的.将得到的Jc与Pb掺杂和纯Bi2212单晶的结果进行比较,发现在相同的温度和磁场下Zn掺杂样品具有最高的临界电流密度,表明少量Zn掺杂使得样品的临界电流密度得到提高.Zn掺杂对Bi2212体系临界电流密度的提高主要来源于在材料中引入了有效的涡旋钉扎中心,而Pb掺杂体系中Jc的提高是体系的层间耦合增强导致的结果.