The influence of cation additives on the NIR luminescence intensity of Er³⁺-doped borate glasses

Er3+-doped 25BaO-(25-x)SiO2-xAl2O3-25B2O3 transparent glasses are prepared with x = 0,12.5 and 25 by a solid-state reaction.The Er-related NIR luminescence intensity,which corresponds to the transition of 4I15/2-4I13/2,is obviously altered with different silicon/aluminum ratios.The Judd-Ofelt parameters of the Er3+ ions are adopted to explain the intensity change in the NIR fluorescence,and the Raman scattering intensity versus the amount of Al and/or Si components are discussed.The spectra of the three samples are quite similar in the peak positions,but different in intensity.The maximal phonon density of state for the samples is calculated from the Raman spectra and is correlated to the NIR luminescence efficiency.     

硅酸盐单基质白光LED荧光体的制备和光谱性质

用喷雾热解溶胶凝胶方法制备了平均粒径为4.45μm大小的同一基质Ba₃MgSi₂O₈:Eu²⁺,Mn²⁺三色发射合成白光的LED荧光体,研究了掺杂铝离子对荧光体的微结构和发射光谱的影响。实验发现,在375nm的激发下,红绿蓝(RGB)三种颜色峰的位置分别是608,500,437nm。微量Al离子的掺入会使荧光粉蓝光和绿光的相对强度发生明显变化,而红光的强度基本不变。因此,荧光体的色坐标位置可以通过掺入不同数量的铝离子来调控。从微结构机制上讨论了铝离子对基质离子的配位、格位和能量状况、发射光谱影响的内在规律。该稀土硅酸盐基质表现出的RGB三色发射特征,可成为重要的新型白光荧光体材料。     

阴极射线荧光粉经高激发密度灼伤后发光效率的研究

近年来发光材料在应用中所处激发密度越来越高,在使用中往往造成荧光粉的饱和和灼伤.本文研究高清晰投影电视管用绿色荧光粉ZnSiO4Mn和YAGGTb在高激发密度阴极射线束灼伤后影响发光效率的主要环节,发现ZnSiO4Mn的表面深层处材料的吸收和传递机制受到损伤,而YAGGTb的发光中心受到损伤,出现饱和.     

可见光诱导烯烃去芳香化成环合成含氟氮杂螺环已二烯酮

发展了一种可见光诱导的N-苄基丙烯酰胺去芳香化成环合成多氟烷基化氮杂螺环已二烯酮的反应。 此反应以多氟烷基碘或溴为自由基源,以fac-Ir(ppy)₃(fac:面式;ppy:2-苯基吡啶)作为光催化剂,在发光二极管(LED)蓝光灯照射条件下,使N-丙烯酰基-N-苄基苯甲酰胺串联自由基加成/去芳香化环合,合成了一系列含氟氮杂螺环已二烯酮类化合物,产率为61%~85%。 值得提出的是,此反应能快速在氮杂螺环已二烯酮骨架上引入多种多氟烷基基团如CF₃I、C₃F₇I、C₄F₉I、C₆F₁₃、C₈F₁₇I、CH₂CF₂I和BrCF₂CO₂Et(Et:乙基)等,且底物适用范围广、反应条件温和(室温)、催化体系绿色,为具有潜在药用价值和生理活性的多氟烷基化氮杂螺环已二烯酮的合成提供了一条高效、快捷的新途径。     

基于虚拟坐标的移动自组织网络组播路由

为提高移动自组织网络QoS特性,减小组播的时延,利用群论中的直积方法构建了一个类超立方体拓扑结构,它具有对称性强,直径小的特点,给移动自组织网络结点分配虚拟坐标,使其嵌入到该类超立方体中,并在此基础上提出了一种确定性的组播路由算法.理论分析与实验结果表明,所设计的组播路由算法在端到端时延,网络带宽消耗以及组播数据分发的成功率方面更能适应移动自组织网络的需求,并为大规模的移动自组织网络组播通讯在带宽,时延和负载均衡等优化策略方面提供了解决方案.     

热处理对ZnO:Zn荧光薄膜结晶性能的影响

用热处理方法对电子束蒸发制备的ZnO:Zn荧光薄膜分别进行400,600℃退火处理。采用X射线衍射、X射线光电子能谱、扫描电子显微镜、光致发光光谱等方法,表征了ZnO:Zn荧光薄膜的结构、成分、形貌、发光性能。在ZnO:Zn荧光薄膜的X射线衍射谱和扫描电子显微镜照片中,可以看出经退火处理后结晶状况大大改善,多晶结构趋于规则,晶粒更加均匀且膜层结构更加致密。在ZnO:Zn荧光薄膜的光致发光谱中,检测到490nm处发光峰,认为一价氧空位(V_O)充当发光中心,且薄膜的光致发光强度受热处理温度的影响很大。实验表明随着退火温度的升高,薄膜的结晶程度提高,弥补了薄膜晶体表面的表面缺陷,薄膜的发光性能不断提高。     

热处理对ZnO∶Zn荧光薄膜结晶性能的影响

用热处理方法对电子束蒸发制备的ZnO∶Zn荧光薄膜分别进行400,600℃退火处理。采用X射线衍射、X射线光电子能谱、扫描电子显微镜、光致发光光谱等方法,表征了ZnO∶Zn荧光薄膜的结构、成分、形貌、发光性能。在ZnO∶Zn荧光薄膜的X射线衍射谱和扫描电子显微镜照片中,可以看出经退火处理后结晶状况大大改善,多晶结构趋于规则,晶粒更加均匀且膜层结构更加致密。在ZnO∶Zn荧光薄膜的光致发光谱中,检测到490 nm处发光峰,认为一价氧空位(VO)充当发光中心,且薄膜的光致发光强度受热处理温度的影响很大。实验表明随着退火温度的升高,薄膜的结晶程度提高,弥补了薄膜晶体表面的表面缺陷,薄膜的发光性能不断提高。     

绿色荧光粉YAGG:Tb,Gd用于FED的尝试

FED器件的发展迫切需要具有化学和热稳定性,高亮度,长寿命的新型荧光材料。本文合成了Gd^3 离子共掺杂的YAGG：Tb获得了YAGG：Tb,Gd,将将其用于0－3000V低压范围,对其在不同电压和电流密度下的发光特性进行了测试。结果,该种材料特性优于ZnO:Zn并且不存在电压与电流饱和。     

CdSe/CdS核壳纳米晶微波水热法一步合成与发光光谱分析

采用微波水热法一步合成了核壳结构的CdSe/CdS纳米晶,讨论了巯基丙酸中S^2-的释放过程对纳米晶生长的影响。XRD和Raman光谱结果表明,140℃合成温度下获得了CdSe/CdS核壳结构的纳米晶。FTIR光谱结果表明,巯基丙酸随时间的分解有助于CdS壳层的形成。PL光谱呈现出CdSe纳米晶的带间发射和缺陷发射,随着核壳结构的形成,CdSe纳米晶的表面缺陷被抑制,相关的荧光发射减弱。     

基于网络图时间参数UTM算法的施工项目资源优化

资源优化是建设工程项目施工计划的一个重要内容.当施工计划某一时段资源用量大于资源限量时,就需调整工作计划重新满足资源限量条件,并使工期不变或延长最少.提出的施工进度计划网络图时间参数的UTM算法和"资源有限、工期最短"的资源优化算法,实现了利用计算机快速计算进行优化,并通过算例验证了算法的有效性.