单次分子镀法制备部分La系及~(238)U靶的实验研究

采用单次分子镀方法研究了异丙醇-硝酸体系中电流密度、分子镀持续时间及两极间距离对镀层性能和电沉积效率的影响,确定了制备La,Sm,Eu,Gd,Tb靶及238U靶的最佳工艺条件。因制备的靶不同,电流密度一般介于2—8mA/cm2之间,两极间最优距离为3cm,分子镀1h,用分光光度法测定各靶的沉积效率均高于85%。利用扫描电子显微镜(SEM)对部分靶的表面形貌分析后发现靶面结构均匀致密。目前制得的Gd靶和Tb靶已用于中国科学院近代物理研究所加速器SFC低能核化学终端上,利用19F束流轰击,分别产生了Ta和W的短寿命同位素,从而成功完成了Db(Z=105)及Sg(Z=106)的模型试验。     

用于中性束注入的大功率射频离子源激励器研制

建立了一个等离子体射频激励器,工作气体为氢气,工作气压为0.3Pa,激励器陶瓷桶直径300mm,工作频率1MHz。实现了RF等离子体激发放电,在输入射频功率16kW条件下,采用朗缪尔探针测得的等离子体密度>10¹⁸m^-3,初步建立了一个RF等离子体源实验平台。     

大功率RF 离子源阻抗匹配电路的设计与实现

在大功率RF 离子源中,激励器的作用是产生等离子体,阻抗匹配电路是激励器吸收RF 功率的关键。将激励器等效阻抗视为一个电阻和一个电感的串联,采用了一种由一个RF 变压器并和两个可调电容组成的阻抗匹配电路,给出了视RF 变压器为理想变压器时阻抗匹配电路的分析模型,推导了阻抗匹配时两个可调电容的电气参数。当激励器实验装置使用一个石英玻璃激励器时,搭建了一个阻抗匹配电路,成功地将RF 功率耦合进激励器并产生了等离子体。     

FeN3掺杂扶手椅型石墨烯纳米条带的极强电流极化和微分负导效应

本文运用第一性原理研究了FeN₃掺杂扶手椅型和锯齿型石墨烯纳米条带的电子结构和输运性质. 结果表明,FeN₃掺杂可导致两种类型的条带的能带结构发生显著变化,导致体系具有稳定的室温铁磁基态. 但是,只有扶手椅型条带具有明显的负微分电导和极强的电流极化效应(接近100%). 这是由于FeN₃掺杂引入孤立的两条自旋向下能级,导致极强的电流极化. 同时,它们与自旋向下的不同子能带的耦合强度完全不同,导致体系呈现出负微分电导行为. 结果说明,通过FeN₃掺杂扶手椅型石墨烯纳米条带也可用于制备自旋电子学器件.     

典型金属纳米结构的电子能量损失谱研究

利用格林函数推导出金属纳米结构电子能量损失谱的计算公式,基于时域有限差分方法对几种典型的结构进行建模仿真,数值模拟运动电荷和结构的距离、液晶环境材料对电子能量损失谱的调节作用.仿真结果表明:当增加电子与纳米结构的距离时,电子能量损失谱谱峰降低;当添加液晶材料或各向同性衬底材料时,电子能量损失谱的峰值发生明显红移,但液晶的光轴倾角改变对峰值的调制作用有限.通过计算电子能量损失谱研究金属纳米结构表面等离子激元共振特性,为高度复杂的等离子体激元纳米结构的设计提供了理论基础.     

可调电子束注入器调配调谐结构的设计及分析（英文）

驻波谐振腔是基于直线加速器的束流注入器的基本构造元件，其大功率微波馈入一般选用矩形波导耦合器，但它会引起场不对称和谐振频率的漂移，也难以针对不同流强的束流灵活调节耦合度。建立了带有调配杆的耦合器的等效电路模型，在理论分析的基础上，给出了杆的最佳位置。此外，在耦合器的对称方向插入调谐杆用于补偿结构改变及加工安装等外部因素造成的频率漂移，并使用CST MICROWAVE STUDIO的三维电磁仿真给出了两个杆的尺寸和调整范围。联合调整的仿真结果表明，在谐振频率保持稳定的情况下，不同流强的束流均达到临界耦合状态，从而避免了耦合器失配引起的反射功率风险，并减少了由于较小耦合孔引起的场不对称。