半导体器件数值模拟的混合元逼近

半导体器件瞬时状态的模型由三个非线性偏微分方程组所决定.一个是关于电子位势的方程外型是椭圆的,另两个是关于电子和空穴浓度方程外型是抛物的,电子位势通过其电场强度在浓度方程中出现,以及相应的边界和初始条件.我们讨论平面区域Ω上的问题:     

红外InGaAsP光电阴极研究

本文主要对阈值波长可达1.25μm的InGaAsP光电阴极进行了详细的研究。在国内首次实现了在0.5μm～1.25μm波段范围内具有光电响应的半导体光电阴极。用Cs和O₂激活后得到的光电阴极在1.06μm处的反射式光电灵敏度为3.4mA/W,量子效率为0.4%。本文还对激活表面及热清洁工艺进行了系统地分析,确定出了最佳的表面清洁温度及时间。     

内-FI群和外-FI群

若群Ｇ的同构子群类均是有限的，则称群Ｇ为ＦＩ群，本文分别研究了所谓的内－ＦＩ群和外－ＦＩ群的性质，给出了这两类无限群的令人满意的结构描述。     

某些2-苯基-5-(β-苯乙烯基)呋喃衍生物的合成

以取代苯基糠醛和苄基鳞盐为原料,通过Wittig反应制得十六种2-苯基-5-(β-苯乙烯基)呋喃衍生物,初步考察了所得化合物的荧光性质。     

油藏模拟中几个数学问题

本文综述油藏数值模拟中几个问题,二次采油中油、水两相驱动问题,三次采油中强化采油(化采)的数值模拟问题。     

斜入射时孔径衍射旋量理论

利用电磁场的旋量体系方法对斜入射平面波的平面孔径的电磁衍射进行了分析.获得了任意入射情况下孔径的衍射强度公式,并以特例说明与前人的公式是一致的.     

基于概率分析的污垢模型

本文基于污垢形成的随机性,在给定风险水平的条件下,利用概率方法和在污垢形成过程中,污垢热阻达到临界可接受水平的时间遵循分布规律,同时考虑初始污垢热阻影响,推导给出了考虑初始污垢热阻的污垢模型,并用实验验证了模型的可用性。     

核物理学对高技术发展的基础性作用

文章介绍了核物理学与基础科学、高技术、国家安全和基础教育的关系，特别是在促进高技术的形成和发展方面所起到的至关重要的作用．文章提出，必须重视对基础科学的学习和研究，不能忽视更不能简单地以当时基础科学是否有用来衡量其价值．     

一类无限群中局部幂零性的判定准则

设G是任意群,群G的Frattini子群Frat(G)定义为G的所有极大子群的交.类似地,群G的另外两个特征子群nFrat(G)及R(G)分别定义为群G的所有极大正规子群及群G的所有正规的极大子群的交.本文通过对Frat(G),nFrat(G)及R(G)的相互包含关系的研究,得到CF-群或中心由多重循环群的扩张群中局部幂零性的一个判定准则.同时也讨论了在某些群类中若干种广义幂零性的等价性.     

FIXED STREAM-TUBE METHOD FOR SOLVING TWO-PHASE PLANE FLOW PROBLEMS AND ITS THEORETICAL ANALYSIS

The fixed stream-tube method widely adopted in engineering field for giving anapproximate solution to the two-dimensional problems of two-phase flow through porousmedia is summarized and an improvement has been made in this paper.Its core part,i.e.,thefluid displacement within a one-dimensional stream tube with variable cross-sectional areaunder a given pressure difference across the tube is thoroughly studied.The existence anduniqueness of solution are proved the exact solution,numerical solution and itsconvergence.stability analyses are given in this paper.