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61.
Zhang Gangqiang 《大学数学》1998,(2)
本文在EV(Eror in Variables)超总体模型下讨论有限总体两个指标值的同时估计问题,证明了样本均值作为整体均值的估计在均方差阵最小的意义下是最优的. 相似文献
62.
在文献[1]关于电子 离子束缚态的基本概念的基础上, 对电子-离子束缚态三体系统给出严格的薛定谔方程, 给出能量的近似解:(1)对pep束缚态, 释放单能Ep≈12.5keV的X射线; (2)对D+eD+束缚态, 释放单能ED≈25keV的X射线, 同时引发少量的核聚变, 放出γ、质子、中子、氚、3He和4He。这是两个独立发生的过程。以Ni-H和氘气辉光放 电实验为例,用束缚态模型给出定量的解释。进而提出太阳耀斑发生过程中也包含电子-离子束缚态放射12.5keV和25keV两种X射线并引发少量核聚变的过程, 给出了观测结果验证。 相似文献
63.
64.
采用无模板化学气相沉积法,以二茂铁为催化剂,二甲苯为碳源,利用单温炉加热装置制备了定向碳纳米管阵列。运用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、拉曼光谱和X射线衍射仪等对定向碳纳米管阵列的形貌、成分和物相进行细致的分析和表征。结果表明:制得的碳纳米管阵列具有良好的定向性和多壁管状结构,并且石墨化程度高;碳纳米管中除碳元素外,管中包含有少量以纳米颗粒和纳米线形式存在的铁及其化合物,主要成分是铁和碳化铁。结合碳纳米管的制备和透射电子显微镜分析表征结果,认为超长碳纳米管阵列的生长模式为底部生长方式,即经历催化剂分解、催化、成核、长大、中毒、凝聚成粒和连接成线的循环过程,正是由于碳源和催化剂的连续供应促成了碳纳米管阵列的快速定向生长。 相似文献
65.
拉曼光谱作为一种无破坏性、快速且敏锐的测试技术已经成 为表征石墨烯样品和研究其缺陷的最重要的实验手段之一. 本论文用离子注入在单层和双层石墨烯中产生缺陷, 并利用拉曼光谱研究了存在缺陷时单层和双层石墨烯的一阶和二阶拉曼模, 单层石墨烯的D模为双峰结构, 而双层石墨烯的D模具有四峰结构. 同时, 利用四条激光线系统地研究了本征和缺陷单层和双层石墨烯的拉曼峰频率的激发光能量依赖关系, 并基于石墨材料的双共振拉曼散射机理指认了离子注入后样品各拉曼峰的物理根源.
关键词:
石墨烯
缺陷
拉曼光谱
能量色散关系 相似文献
66.
本文在{ξi}为强混合样本,{ani}是实三角阵列下,得到了一个新的关于线性和n∑i=1aniξi的中心极限定理.并利用该中心极限定理,进一步建立了线性过程部分和的中心极限定理. 相似文献
68.
采用机械合金化制备了n型(Bi1-xAgx)2(Te1-ySey)3合金粉体,对其进行XRD分析表明Bi,Te,Ag,Se单质粉末,经2h球磨后实现了合金化;SEM分析表明随着机械合金化时间延长粉体颗粒变得均匀、细小,颗粒尺寸在微米至亚微米数量级.采用放电等离子烧结制备了块体样品,研究了合金成分和球磨时间对热电性能的影响.结果表明材料的热电性能与掺杂元素有密切关系,Ag有利于提高功率因子和降低晶格热导率,球磨10h的(Bi0.99Ag0.01)2(Te0.96Se0.04)3合金粉末的烧结块体具有最大的功率因子和最低的晶格热导率,并在323K取得最高ZT值0.52.
关键词:
1-xAgx)2(Te1-ySey)3合金')" href="#">(Bi1-xAgx)2(Te1-ySey)3合金
机械合金化
放电等离子烧结
热电性能 相似文献
69.
采用低压热壁化学气相沉积法,在6H-SiC衬底(0001)面上生长了不同温度(1100—1250℃),不同GeH4流量比(6.3%—25%)的SiCGe薄膜样品,研究了SiCGe薄膜的表面形貌、生长特性以及样品中Ge组分含量的变化. 扫描电镜测试结果表明,SiCGe薄膜在低温下倾向于岛状生长模式,随着生长温度提高,岛状生长逐渐过渡到层状生长模式,同时伴有岛形状和密度的变化. X射线光电子能谱测试得出SiCGe样品中的Ge含量约为0.15%—0.62%,在其他参数不变的情况下,样品的G
关键词:
碳化硅
化学气相沉积
反相边界
岛状生长 相似文献
70.