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61.
62.
针对现有单图像超分辨率方法在重建过程中容易忽略原图像中不同结构-纹理的差异与联系,导致生成的高分辨率图像缺乏纹理细节并存在伪影的问题,提出了纹理细节恢复的图像超分辨率重建算法。该方法由梯度分支、纹理分支和图像超分辨率分支组成。其中,在梯度分支和纹理分支之间使用了类注意力模块处理二者的特征混淆问题,并通过双向特征融合模块实现了对结构特征与纹理特征的相互促进,作为先验信息以达到纹理细节信息增强的目的。此外,在图像超分辨率分支还通过构建特征恢复模块,利用浅层和深层信息帮助网络保留了图像中更丰富的上下文信息和纹理细节。该方法通过在DIV2K数据集上进行了网络训练,并在5个基准测试集Set5、Set14、BSD100、Urban100和MANGA109上进行了实验,峰值信噪比(PSNR, Peak Signal to Noise Ratio)分别:37.88dB、33.28dB、32.0781dB、31.89dB、38.39dB,相比现有方法均有显著提升。实验结果表明,本文方法获得了有效的重建图像并且保留更多的图像细节,生成具有边缘清晰和逼真细节的超分辨率图像。 相似文献
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Tungsten oxide nanowires of diameters ranging from 7 to 200~nm are
prepared on a tungsten rod substrate by using the chemical vapour
deposition (CVD) method with vapour--solid (VS) mechanism. Tin
powders are used to control oxygen concentration in the furnace,
thereby assisting the growth of the tungsten oxide nanowires. The
grown tungsten oxide nanowires are determined to be of crystalline
W18O49. I--V curves are measured by an \textit{in
situ} transmission electron microscope (TEM) to investigate the
electrical properties of the nanowires. All of the I--V curves
observed are symmetric, which reveals that the tungsten oxide
nanowires are semiconducting. Quantitative analyses of the
experimental I--V curves by using a metal--semiconductor--metal
(MSM) model give some intrinsic parameters of the tungsten oxide
nanowires, such as the carrier concentration, the carrier mobility
and the conductivity. 相似文献
64.
浓硝酸处理前后多壁碳纳米管的荧光特性研究 总被引:7,自引:1,他引:7
对浓硝酸处理前后多壁碳纳米管的荧光特性进行了研究,结果发现多壁碳纳米管在浓硝酸处理前后都能产生荧光;与浓硝酸处理前相比,浓硝酸处理后的多壁碳纳米管的荧光有所增强,且荧光谱峰向短波长方向发生蓝移。碳纳米管产生的荧光与碳纳米管在其缺陷处捕获激发光的能量以及最低空轨道和最高占有轨道之间的能隙有关。多壁碳纳米管在浓硝酸处理前后都有缺陷,因而都能在其缺陷处捕获激发光能量而产生荧光;浓硝酸处理引起多壁碳纳米管的缺陷增多、捕获激发光能量增加因而荧光也随之增强。碳纳米管的最低空轨道和最高占有轨道之间的能隙随其长度减小而增大,浓硝酸处理引起多壁碳纳米管被削短导致其最低空轨道和最高占有轨道之间的能隙增大,因而引起多壁碳纳米管的荧光谱峰向短波方向蓝移。 相似文献
65.
Ca0 .9Sr0 .1S∶ Bi3 + ,Tm3 +是一种复合掺杂复合基质荧光材料。在此给出了 4 40 nm和 52 0 nm发射的激发谱 ,2 50 nm到 3 50 nm的激发的发射谱 ,以及 4 0 0 nm到 52 0 nm的荧光衰减谱。紫外光区域的激发谱表明 ,Ca0 .9Sr0 .1S∶ Bi3 + ,Tm3 + 有两个主要的能量传递体系 ,3 2 5nm的复合掺杂中心 Tm3 + 的 CT跃迁激发体系 ,和Bi3 + 的自身激发体系。紫外激发的荧光发射谱的中心发射波长在 4 53 nm处。在电子和空穴陷阱同时存在时 ,It=I0 [( 1 +γet) ( 1 +γht) ]-n,对于 Ca0 .9Sr0 .1S∶Bi3 + ,Tm3 +材料 γh=0 .0 1 68,γe=0 .0 0 0 1 ,n=1 .1。Tm3 +的电子陷阱深度约为 0 .5e V,比复合基质中的正离子空位的空穴陷阱要深。考虑复合基质材料的线性关系 ,电子陷阱的深度可表示为 De=βe-αx;空穴陷阱的深度可表示为 Dh=( βhc-αhx) x+( βhs-αhx) ( 1 -x)。 相似文献
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杨辉三角形的形状如右图所示其结构为每一行的第一个“元素”和最后一个“元素”均为1.其它“元素”是它“肩上”两“元素”之和。众所周知,由杨辉三角形不难推出著名的二项式定理; 相似文献