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为了实现对更弱、以及物理量跨度更大的信号探测, 满足材料、生物、信息、半导体物理以及能源等重大科学领域对诊断精密化的进一步需求, 需要提高条纹相机的动态范围、空间分辨率和信噪比. 为此, 本文研制了基于电子轰击式CCD(EBCCD)的大动态条纹相机, 条纹变像管采用时间和空间方向分别聚焦的矩形框电极和电四极透镜结构, 可降低空间电荷效应. 并提高电子加速电压, 减小电子渡越时间以降低空间电荷相互作用时间. 采用基于电子轰击读出技术的背照式CCD(BCCD)作为读出器件, 取代传统的像增强CCD(ICCD)以缩短图像转换链, 较大地降低了超快诊断设备转换过程中的图像衰减, 从而提高条纹相机图像的信噪比、空间分辨率和动态范围. 实验得到静态空间分辨率高于35 lp/mm, 动态空间分辨率达到20 lp/mm, 偏转灵敏度为60.76 mm/kV, 动态范围达到2094:1, 扫描速度非线性为5.04%, 条纹相机的电子轰击半导体(EBS)增益达到3000以上. 相似文献
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目的 探讨HBsAg 对健康成人外周血单核细胞来源树突状细胞(MD-DCs)的免疫活性及对T细胞免疫球蛋白黏
蛋白分子3(Tim-3)和下游信号分子核因子-κB(NF-κB)蛋白表达的影响。方法 分离健康成人外周血单核细胞,经GM-CSF、IL-4 联合诱导为树突状细胞(DCs),流式细胞术检测DCs 表面标志物表达水平。MD-DCs 分4 组添加不同浓度HBsAg(0、1、2、5滋g/ml),分别设为对照组、+1滋g/ml 组、+2滋g/ml 组、+5滋g/ml 组,Western 印迹法检测Tim-3、NF-κB 信号蛋白表达,细胞增殖与毒性检测试剂检测MD-DCs 刺激同种异体淋巴细胞增殖的能力,ELISA 法检测细胞因子分泌水平。结果 外周血来源单核细胞成功诱导分化为DCs。与对照组相比,+2滋g/ml 及+5滋g/ml 组MD-DCs Tim-3 及NF-κB 表达水平均上调,刺激同种异体T淋巴细胞增殖能力均增强,炎症因子IL-6、IL-10、IFN-γ 分泌水平均增高(均P<0.05),而+1滋g/ml 组较对照组无统计学差异(均P>0.05)。与其他3 组相比,+5滋g/ml 组MD-DCs Tim-3、NF-κB、炎症因子分泌水平增高,刺激同种异体淋巴细胞增殖能力增强(均P<
0.05)。结论 HBsAg 上调MD-DCs Tim-3 及NF-κB表达水平,增强MD-DCs 免疫活性,且刺激作用随HBsAg 浓度的增高而增强。 相似文献
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设计一种基于STM32单片机的老年人跌倒提醒装置,本装置由STM32F429BIT6控制器为核心,采用蜂鸣器和陀螺仪作为警报装置,通过GPS定位和通信模块将位置短信传输给用户子女。本装置使用的陀螺仪为三轴加速度传感器,通过对比测量的人体倾斜角度与设定阈值来判断老年人是否有跌倒行为,若判断有跌倒行为即通过STM32拉高对应引脚电平,蜂鸣器接受命令开始警报,同时GPS模块抓取用户实时位置发送给ATK-IDM750C模块,利用AT指令向用户子女发送包含老年人详细位置的短信。此系统帮助保护老年人人身安全,且安全高效、数据可靠、便捷准确,大大地提高了老年人跌倒后的营救效率,能有效保障老年人人身安全。 相似文献
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本文讨论了Bessel-Neumann混合型方程特征根系{λ_(?)}(λ_0λ_1λ_2…)的求解法问题.给出了计算特征根系的表达式和最小根的取值方法.这种计算方法的优点是不用多位的Bessel函数表,也不需要计算机就能快速地计算出特征根系{λ_(?)}并具有较高的计算精度。 相似文献
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利用三组分氮杂Wittig反应, 以三氢环戊二烯并噻吩基三苯基膦亚胺、对氟苯基异氰酸酯和酚, 合成了13个未见文献报道的2-芳氧基-3-对氟苯基-3,5,6,7-四氢-4H-环戊二烯并[4,5]噻吩并[2,3-d]-嘧啶-4-酮衍生物, 产率58%~73%. 通过IR, 1H NMR, MS 和元素分析对目标化合物的结构进行了表征. 初步探讨了所合成化合物的抑菌活性, 结果显示所合成的化合物对真菌(桔青霉菌)的抑制活性优于对细菌的抑制活性. 相似文献
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Eric Jette等对碘化钾与过硫酸铵氧化-还原反应动力学作过较详细的研究。而Любимова报导了Cu(Ⅱ)对此反应有催化作用,并得出了动力学方程式及催化反应机理设想,但至今尚未见有文献报导Co(Ⅱ)能够加速这个反应。作者曾推测并用实验证实了Co(Ⅱ)对上述反应有催化作用。本文的目的是研究当有Co(Ⅱ)存在时,碘化钾与过硫酸铵催化氧化反应的动力学及催化反应的机理。 相似文献
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A 0.18-μm 3.3 V 16 k Bits 1RIT Phase Change Random Access Memory (PCRAM) Chip 总被引:1,自引:0,他引:1
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Using standard 0.18-μm CMOS process and the special platform for S-inch phase change random access memory (PCRAM), the first Chinese 16k bits PCRAM chip has been successfully achieved. A 1RIT structure has been designed for low voltage drop and low cost compared to the 1RlD structure and the BJT-switch structure. Full integration of the 16k bits PCRAM chip, including memory cell, array structure, critical circuit module, and physical layout, has been designed and verified. The critical integration technology of the phase change material (PCM) fabrication and the standard CMOS process has been solved. Test results about PCM in a large-scale array have been generated for the next research of PCRAM chip. 相似文献