Dirichlet空间上的超循环复合算子

设Bn是复平面C中的单位圆盘(n=1)或复空间Cn中的单位球.众所周知,在Hardy空间上存在丰富的符号在Aut(Bn)中的超循环复合算子.然而,在复平面中单位圆盘上的Dirichlet空间中, 任何复合算子都不能是超循环的.本文则证明,当n>1时,Bn上的Dirichlet空间中确有超循环复合算子.     

基于连续HMM的汉语数码语音识别系统

探讨了连续隐马尔可夫模型的基本原理及其在汉语数码语音识别中的应用,实现了一个汉语数码语音识别系统,其正确识别率达到99%以上。     

解析聚氨酯复合材料在生物医学领域的应用

聚氨酯(Polyurethane)作为一种性能优异的有机高分子合成材料,是目前使用范围最广且具有粘弹性和可生物降解性的聚合物之一.因其优异的力学特性、耐磨性、可加工性及柔韧性,在表面材料、涂料、包装材料、建筑物的室内地板、人造皮革及生物医学领域有广泛应用.其中,最具前瞻性的是其作为功能材料在生物医学领域的应用,如人工器...     

石墨炉原子吸收法测定酱卤肉中铬的不确定度评定

对石墨炉原子吸收光谱法测定酱卤肉中铬的不确定度进行评定.参照GB 5009.123–2014,采用微波消解–石墨炉原子吸收法测定酱卤肉制品中铬含量,分析不确定度来源,包括测量重复性、标准工作溶液浓度、定容体积、称样质量、样品处理等,对各类不确定度分量进行评定,最终合成得到标准不确定度和扩展不确定度.当酱卤肉制品中铬含量...     

材料化学课程思政的探索与实践*——以“常见金属材料”为例

以“金属材料”中的“常见金属材料”为例,从教学内容和教学评价2个方面探讨了材料化学课程的思政教学。从铝合金、铜合金、钢铁等几种常见金属材料的生产、应用等方面将教学内容与思政元素有机融合,在教学评价中融入思政教育,增强学生的创新创业意识、环境保护意识、资源保护意识、民族自豪感和社会责任感,践行“立德树人”的教育理念。     

Dynamic quality of transmission optimization and global impairments control in reconfigurable transparent WDM networks:schemes and demonstrations

<正>Two novel dynamical quality of transmission(QoT) optimization schemes with explicit optimization targets and accurate end-to-end QoT estimation are proposed for reconfigurable transparent wavelength-division multiplexing(WDM) networks.Numerical simulations show that the scheme of quality(Q) best has the best Q factor improvement with large attenuation adjustment.The scheme of Q allowable can achieve minimized number of tuning sites and attenuation adjustment and also improve the Q factor of light path to the required value.In addition,the idea of dynamic QoT optimization and global impairment control has been experimentally demonstrated on a simple mesh network by the cooperation of a control plane and tunable devices.     

语言通信中的一些声学问题

一、概 述 语言通信是研究两处或多处进行语言信息交换的学科.电话通信是语言通信中的一种最主要的手段,它与语言声学、生理声学、电声学和建筑声学等有着密切的关系.本文扼要介绍电话通信中经常遇到的一些声学问题. 二、电话传输质量的主观评价 电话传输系统的传输质量主观评价标准和     

关于“拉特马吼级数表示的函数”一文中一个定理的简单证明和推广

王斯雷在[1]中建立了下述定理1。但是他的证明似乎太长,本文指出,这个定理只需用初等微积分的方法就可以很简单地证明出来。用新证明的类似方法我们还可以得到定理2及定理3。定理2将原定理中F(x)连续的条件减弱为近似连续,定理3又在定理2的基础上把定理1进一步推广。定理1.设F(x)是[0,1]上的连续函数,级数     

部分耗尽SOI MOSFET总剂量效应与偏置状态的关系

实验表明SOI MOSFET掩埋氧化层中的总剂量辐射效应与辐射过程中的偏置状态有关. 对诱发背沟道泄漏电流的陷阱电荷进行了研究. 建立一个数值模型来模拟不同偏置下陷进电荷的建立, 它包括辐射产生的载流子复合和俘获的过程. 模拟结果与实验结果相符, 解释了总剂量辐射效应受偏置状态影响的机理.