氟代吡啶甲酸解离的环金属铱配合物及其电致化学发光性能

以2-苯基吡啶为主配体、以氟修饰的吡啶-2-甲酸为辅助配体合成出一系列环金属中性铱配合物。产物结构通过核磁及质谱进行了确认,对其光物理性能研究表明,这些配合物的发光波长在498～516 nm之间,属于绿光发射。没有氟取代的配合物Ir1量子效率最高,达到32%,而由于2位氟取代的位阻影响Ir4的量子效率最低只有6%,其他氟取代配合物的量子效率在13%～16%之间。引入氟原子后配合物的氧化电位都有所增加,氧化电位由511 mV增加到547～574 mV之间。热稳定性也在氟取代后增加,由142℃提高到187～380℃之间,Ir4提高的最少,为187℃。应用于电致化学发光时,除Ir4外,氟取代都能增加其电致化学发光强度,由332增加到333～370之间。而配合物Ir4的发光强度只有203。以上结果表明氟取代的效果跟位置有很大关系,2位氟取代由于位阻效应,使配合物的量子效率及稳定性都有不利影响,而其他位置的取代则能提高配合物的这些性能。该研究结果对设计开发综合性能优异的发光材料具有借鉴意义。     

插指型SiO_2电流阻挡层对大功率LED外量子效率的影响

为了改善蓝光大功率LED芯片p电极处的电流拥挤现象,提高大功率LED芯片的外量子效率,在ITO透明导电层与p-GaN间沉积插指型SiO_2电流阻挡层。采用等离子体增强化学气相沉积的方法沉积SiO_2薄膜,再经过光刻和BOE湿法刻蚀技术制备插指型SiO_2电流阻挡层。采用SimuLED仿真软件分析插指型SiO_2电流阻挡层对大功率LED芯片电流扩展性能的影响,研究插指型SiO_2电流阻挡层对大功率LED芯片外量子效率的影响。结果发现,插指型SiO_2电流阻挡层结构可以有效改善p电极附近的电流拥挤现象。与没有沉积插指型SiO_2电流阻挡层的大功率LED芯片相比,光输出功率得到显著的提高。在350 mA的输入电流下,沉积插指型SiO_2电流阻挡层后的大功率LED芯片的外量子效率提高了18.7%。     

变系数两点边值问题的有限元强校正格式

该文利用投影型插值,对于变系数两点边值问题,获得了一个高精度的有限元强校正格式,数值实验更验证了这一结果．     

聚苯乙烯—甲基丙烯酸酯嵌段共聚物的1~HNMR研究

嵌段共聚物在热塑生弹性体,高分子增溶剂等方面有十分广泛的用途,利用超声波辐照制备嵌段共聚物是一种相对较为简单,成本较低的方法,这方面已有不少研究报道。但由于聚合反应是自由基型,对其子或组成的控制则更困难,因此,合成嵌段共聚物后,首先     

带有干扰噪声的自回归过程的参数估计及渐近性质

本文讨论了带有干扰噪声的自回归过程Y(t)=X(t)+Z(t),其中X(t)为AR(p)序列,Z(t)、为干扰噪声序列的未知参数φ_1,…,φ_p,σ_g~2,σ_x~2,谱密度f(λ)的估计问题,对所给估计建立了强收敛速度和渐近正态性,并给出了模型阶的一种强相容估计方法。     

ARMA模型D-识别的强相合性

本文使用函数(?)(n,m)(见[1])给出了自回归滑动平均模型阶的一种估计,即若存在若不存在, 其中N和M为预先给定的足够大的正整数。并且证明了这种估计的强相合性。