缺陷位置对单层石墨烯拉伸形变的影响

采用AIREBO势函数,对含有多种空位缺陷的单层石墨烯进行分子动力学拉伸模拟,计算不同空位缺陷的位置和排布结构对单层石墨烯应力-应变的影响.结果表明：石墨烯拉伸过程中空位缺陷对其力学性能影响较大.石墨烯内缺陷位置、缺陷排布对拉伸过程中发生的撕裂现象有不同程度的影响.对比分析发现,远离石墨烯边界的空位缺陷对其力学稳定性影响较大.通过控制石墨烯中缺陷的位置,可实现对其力学性能的调控.     

基于小尺度参考辐射的便携式伽玛射线剂量(率)仪校准方法及应用

针对现有伽玛射线剂量(率)测量仪器检定方法送检距离远、周期长、效率低的不足,中国工程物理研究院核物理与化学研究所采用基于样本仪表的机器预测方法,开展了基于小尺度参考辐射的便携式伽玛剂量(率)仪遂行校准技术研究工作。最终成功地研制了一套辐射防护用伽玛射线剂量(率)仪遂行校准装置,实现了测量标准不确定度不大于5%的良好结果。为伽玛空气比释动能量值的遂行定度提出了一条全新的技术思路,为便携式伽玛剂量(率)仪的现场和野外校准提供了一种全新的示范装备。     

Dislocation Reduction Mechanisms in Gallium Nitride Films Grown by Canti-Bridge Epitaxy Method

By using the special maskless V-grooved c-plane sapphire as the substrate, we previously developed a novel GaN LEO method, or the so-called canti-bridge epitaxy （CBE）, and consequently wing-tilt-free GaN films were obtained with low dislocation densities, with which all the conventional difficulties can be overcome [J. Vacuum Sci. Technol. B 23 （2005） 2476]. Here the evolution manner of dlslocations in the CBE GaN films is investigated using transmission electron microscopy. The mechanisms of dislocation reduction are discussed. Dislocation behaviour is found to be similar to that in the conventional LEO GaN films except the enhanced dislocation-combination at the coalescence boundary that is a major dislocation-reduction mechanism for the bent horizontal-propagating dislocations in the CBE GaN films. The enhancement of this dislocation-combination probability is believed to result from the inclined shape and the undulate morphology of the sidewalls, which can be readily obtained in a wide range of applicable film-growth conditions during the GaN CBE process. Further development of the GaN CBE method and better crystal-quality of the GaN film both are expected.     

AR模型识别及其参数的高阶Yule—Walker估计

一、引言自回归谱估计在许多领域获得了广泛的应用,随着科学技术的不断发展,对谱估计分辨力的要求越来越高.高阶 Yule-Walker 谱估计就是具有较高分辨力的一种估计(见[1]).为了进一步研究这种估计首先必须研究自回归模型阶的识别及其参数的高阶Yule-Walker 估计.通常使用的自回归定阶方法与参数的矩估计方法使用了样本自协方差函数(或样本自相关函数)在零点的值(?)(0)(或(?)(0))。而(?)(0)(或(?)(0))就是影响自回归谱估计分辨力的一个重要因素.实际上,通常的信号观测值包含两部分     

激光诱导击穿光谱在薄膜损伤分析中的应用

提出了应用激光诱导击穿光谱技术对薄膜损伤特性进行表征的方法,研究了纳秒脉冲激光作用下薄膜损伤时的等离子体光谱特征,并应用该技术对薄膜的抗激光损伤特性进行了测量.实验测得,HfO2单层膜在78mJ的激光能量的辐照下,薄膜损伤时的等离子体温度为2 807.4K,且电子密度为7.4×1017cm-3.利用识别薄膜损伤时的等离子体光谱的特征,准确地判断了薄膜是否损伤,避免了薄膜损伤的误判现象.结果表明,激光诱导击穿光谱技术适用于薄膜的激光损伤测试中,并且是一种非常有效的测试分析方法.     

一类新内酯冠醚的中红外光谱

内酯冠醚化合物的红外光谱研究报道很少,特别是随醚环的扩大和醚环骨架上不同取代基的引入所引起的中红外光谱的变化尚缺乏研究。本文在内酯冠醚环骨架中引入不同基团,通过中红外光谱研究了空间效应、电子因素对酯羰键、酯碳氧键和醚氧键影响。     

竹红菌乙素与醇胺的作用

竹红菌是在我国首次发现,并用于临床的一种新的光敏色素,可作为光动力治疗药物,对于许多皮肤病有显著疗效。最近还发现,竹红菌能选择性地富集于某些肿瘤细胞,并有效地抑制其生长。竹红菌素含有两种主要成份:竹红菌甲(HA)和竹红菌乙素(HB),它们都是茈醌类衍生物。本文对HB 和乙醇胺反应后得到的三种主要产物的光敏氧化蒽的相对速度和自敏光氧化相对速度进行了测试。     

3－芳基－6－三氯甲基－1，2，4－三唑并[3,4-b]-1,3,4-噻二唑的合成与波谱表征

首次报道3－芳基－4－氨基－5－巯基－1，2，4－三唑与三氯乙酸在三氯氧磷 存在下关环，合成了3－芳基－6－三氯甲基－1，2，4－三唑并[3,4-b]－1，3，4 －噻二唑，标题化合物结构经元素分析、红外光谱、核磁共振氢谱、碳谱与质谱确 证。     

3-(3-吡啶基)-4-氨基-5-芳胺基-1,2,4-三唑的合成与表征

以烟酸与芳胺为基本原料，经多步反应，制得1－烟酰基－4－芳基氨基硫脲；后者在水合肼存在下关环，合成了一系列新化合物3－（3－吡啶基）－4－氨基－5－芳胺基－1，2，4－三唑。化合物结构经元素分析、IR，^1H NMR,^13C NMR确证。     

类金刚石薄膜及其进展

为了使研究者能更详细地了解类金刚石（DLC）薄膜的研究现状,综述了类金刚石薄膜的特性及应用,分析对比了目前常用的一些类金刚石薄膜的制备方法,包括物理气相沉积法（PVD）和化学气相沉积法（CVD）,并对类金刚石薄膜的抗强激光损伤特性以及提高其激光损伤阈值的方法进行了论述。结果发现,利用PVD法制备的DLC膜的硬度可以达到40 GPa~80 GPa,且薄膜的残余应力可以达到0.9 GPa~2.2 GPa之间,而CVD法则由于反应气体的充入导致类DLC薄膜的沉积速率大大降低,故使用率不高。同时,优化膜系的电场强度设计,采用合理的制备工艺,进行激光辐照后处理,施加外界电场干预均可有效地提高DLC薄膜的抗激光损伤能力, 且目前的DLC薄膜的激光损伤阈值可达到2.4 J/cm2。