Nanostructuring of Si（lO0） by Normal-Incident Ar＋ Ion Sputtering at Low Ion Flux

We investigate Si(100) surface morphology evolution under normal-incident Ar^ ions sputtering with low ion flux of 20μA/cm^2. The results indicate that under the low flux ion sputtering, the nanostructuring process of Si(lO0) is governed by the Ehrlich-Schwoebel (ES) mechanism, rather than by the Bradley-Harper (1311) one for the case of high flux (normally the order of 10^2 μA/cm^2 or larger). This work reveals that the ion flux plays an important role in the surface morphology evolution under ion sputtering, and a usually accepted classification that the ES mechanism is related to metal single-crystals under ion sputtering, while the BH one is to amorphous,and semiconductor targets is questionable.     

Multi-Wavelength Erbium-Doped Fibre Lasers on Assistance of High-Nonlinear Photonic-Crystal Fibres

On the basis of self-stability effect of four-wave mixings （FWMs） in high-nonlinear photonic-crystal fibres, a novel multi-wavelength erbium-doped fibre （EDF） laser is proposed and demonstrated experimentally at room temperature. The proposed lasers have the capacity of switching and tuning with excellent uniformity and stability. By means of adjusting the attenuators, the triple-, four-, or five-wavelength EDF lasers can be lasing simultaneously. With the assistance of the FWM self-stability function, the multi-wavelength spectrum is excellently stabilized with uniformity less than 0.9dB.     

辛达拉姆筛法的推广

人们一般都熟悉古老的埃拉托色(Ｅｒａｔｏｓｔｈｅｎｅｓ)筛法 .这是从前ｎ个自然数序列中依次划去 2 ,3,5,… ,至 <ｎ的素数的倍数 (合数 ) ,而得到不超过ｎ的全部素数 .即是逐个剔除合数 ,留下素数的方法 .根据此法可编制大量的素数表以备实用 ,但计算繁琐 ,且在理论上没有多少价值 .1 934年 ,一位印度学生辛达拉姆 (Ｓｎｎｄａｒａｍ)发明了一种新的筛法 ,其方法的基础是构造下面的数阵———辛达拉姆表 :4　 7　 1 0　 1 3　 1 6　 1 9　 2 2　…71 2 1 72 2 2 732 37…1 0 1 72 4 31 3845 52…1 3 2 2 31 40 4 95867………………………     

大小叶片向心涡轮数值模拟研究

为了研究向心涡轮当中采用大小叶片改进之后的效果,本论文选取了一个12叶片向心涡轮进行大小叶片改造—将原始叶片作为涡轮的大叶片,去除叶片的导风轮部分改为小叶片。对小叶片与大叶片压力面距离分别为0.4倍栅距、0.6倍栅距布局的6×6向心涡轮进行了对比研究。计算模拟的结果表明,在不改变原始涡轮的基本尺寸的情况下,采用6×6改造形式的涡轮由于出现较强的通道涡,导致涡轮的级效率略有下降,下降幅度约2%。     

气垫导轨实验中滑块的等速和定速发射

设计了由改进的弹射架和定位释放器组成的等速发射装置,实现了气垫导轨实验中滑块的等速发射,并可通过控制滑块初始位置使滑块获得预期发射速度.分析表明滑块发射所获得的速度和初始位置间的关系为近似的线性关系,这一结论和实验结果完全符合.     

SrS∶Ce薄膜电致发光机制

在分析Ｃｅ３＋ 激发态能级与导带之间杂化相互作用的基础上， 讨论了电场强度与场致电离之间的关系。实验测得的ＳｒＳ∶Ｃｅ ＴＦＥＬ发光波形表明， 在正弦电压驱动下的半周期内， 一种样品在上升沿有发光， 而另一种样品在上升和下降沿有两个发光峰。这种不同的产生与样品中硫空位对ＳｒＳ∶Ｃｅ 激发和发射过程的影响有关。上升沿的发光主要是由直接碰撞激发引起的分立中心的发光， 而下降沿的发光及上升沿的部分发光属于因电离而引起的复合发光。     

半群环为Bear—半单环的条件

讨论半群环 R[S]的 Bear-根 ,刻划了 R[S]是 Bear-半单环的充分和必要条件 .     

ZnS：TM（TM=Mn,Cu）纳米微粒的光学性质研究

采用溶胶凝胶法合成ＺｎＳ：ＴＭ（ＴＭ＝Ｍｎ，Ｃｕ）水溶胶，研究了它们的光学性质。通过吸收光谱计算得到微粒的尺寸约为３～４ｎｍ，光致发射光谱为中给出了所对应掺杂中心的发射带，其能量来源于基质ＺｎＳ的吸收。通过旋涂法制备了ＺｎＳ：Ｃｕ纳米微粒ＥＬ器件，测定了其妄动电压和耐压值以及ＥＬ光谱强度与电压主的关系，初步探讨了可能的发光机理。     

图的上可嵌入性与圈中顶点度

本文利用非上可嵌入图的充要条件,结合圈中顶点最大度与图的上可嵌入性之间的关系,得到了下两个结果:(1)设G是2-边连通简单图,若对G中任意圈G,存在点x∈C满足,d(x)>|V(G)|/3 1,则图G是上可嵌入的,且不等式的下界是不可达的.(2)设G={x,y;E}为简单二都图,且是2-边连通的. |x|=m,|Y|=n(m,n≥3),若对G中任意圈C,存在点x∈C且x∈X满足d(x)>n/3 1,则图G是上可嵌入的,且不等式的下界是不可达的.