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371.
随着电磁环境的日益复杂,保证集成电路(IC)的可靠性成为一个巨大的挑战。在此基础上,通过对CMOS反相器的仿真和实验研究,研究了快上升沿电磁脉冲(EMP)引起的陷阱辅助隧穿(TAT)效应。对此进行了详细的机理分析用于解释其物理损伤过程。EMP感应电场在氧化层中产生陷阱和泄漏电流,从而导致器件的输出退化和热失效。建立了退化和失效的理论模型,以描述输出退化及热积累对EMP特征的依赖性。温度分布函数由半导体中的热传导方程导出。基于TLP测试系统进行的相应实验证实了出现的性能退化,与机理分析一致。Sentaurus TCAD的仿真结果表明,EMP引起的损坏是由栅极氧化层中发生的TAT电流路径引起的,这也是器件的易烧坏位置。此外,还讨论了器件失效与脉冲上升沿的关系。本文的机理分析有助于加强其他半导体器件的EMP可靠性研究,可以对CMOS数字集成电路的EMP加固提出建议。 相似文献
372.
We numerically investigate the high-order harmonic generation with two-colour optical field,taking into considera-tion the propagation effects.Some harmonics can be dramatically enhanced at a certain delay between the fundamental pulse and its second harmonics.Choice of the enhanced harmonics can be realised by changing the time delay between the two laser pulses. 相似文献
373.
应用红外热像技术,对锚杆与围岩加载变化破坏过程中的红外辐射现象进行
了实验研究. 结果表明:
无锚杆试块红外辐射温度随着荷载增加,呈现整体均匀升温变化;试块布置锚杆后其承载能
力增加,红外辐射温度也明显升高,应力峰值后,在锚杆周围形成一个由不同等温线组成的
区域,由内向外温度逐步降低,锚杆周围红外温度场与应力场,在形状和空间分布上有很好
的相似性,红外热像高温区和低温区分别对应高应力区和低应力区. 相似文献
374.
375.
376.
377.
我们在真空离子束溅射设备中制备了Co-SiO2颗粒膜,其结构和磁性分别利用透射电子显微术(TEM)和铁磁共振(FMR)来研究。TEM分析表明Co纳米颗粒相互独立地分布在SiO2介质中,且尺寸分布非常窄。室温转角FMR实验显示薄膜具有单轴各向异性,变温FMR实验被用来研究在100-300K温度范围内的颗粒间相互作用强度随温度变化的关系(我们利用一理论模型计算了颗粒集合体中的铁磁部分所占比例和超顺磁部分所占比例)。我们发现颗粒间相互作用强度除了与温度有关之外,还与Co颗粒的尺寸直接相关。 相似文献