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11.
Highly pure magnesium borate (Mg2B2O5) nanowires with an average diameter of - 30 nm, an average length of 15 μm, and a high aspect ratio of - 500 have been synthesized on a large scale via a two-step method. MgBO2(OH) nanowires with high aspect ratios were first prepared via a PVP-assisted hydrothermal technique. Using these nanowires as precursors, single crystalline Mg2B205 nanowires were synthesized by post-annealing treatment at a relatively low temperature of 700 ℃. The important effect of the MgBO2(OH)-Mg2B2O5 conversion process on the morphology of the Mg2B2O5 nanowires was investigated and it was indicated that the recrystallization process plays an important role in the protection of the one-dimensional (1D) nanostructure. Moreover, the rigidity and the toughness of the Mg2B2O5 nanowire- reinforced PHA composites were tremendously improved compared to those of the pure PHA. Our results demonstrate the effectiveness of Mg2B2O5 nanowires for reinforcement applications in polymer composites.  相似文献   
12.
13.
设计和制作了空气常见有害气体的监测演示实验系统,介绍了有害气体实时监测的原理和过程.实验结果表明:监测结果迅速、准确,并提供了友好的人机交互界面和报警系统.  相似文献   
14.
<正>We demonstrate a sub-nanosecond electro-optical switch with low crosstalk in a silicon-on-insulator(SOI) dual-coupled micro-ring embedded with p-i-n diodes.A crosstalk of -23 dB is obtained in the 20-μm-radius micro-ring with the well-designing asymmetric dual-coupling structure.By optimizations of the doping profiles and the fabrication processes,the sub-nanosecond switch-on/off time of400 ps is finally realized under an electrical pre-emphasized driving signal.This compact and fast-response micro-ring switch,which can be fabricated by complementary metal oxide semiconductor(CMOS) compatible technologies,have enormous potential in optical interconnects of multicore networks-on-chip.  相似文献   
15.
张建民  张研  徐可为 《中国物理》2005,14(9):1862-1865
Most thin films have different thermal expansion coefficients from their substrates, thus thermal stresses will be introduced into the films when the temperature is changed during annealing and service. Calculations of these stresses for grains in various crystallographic orientations have been made for seven BCC transition metals Cr, Fe, Mo, Nb, Ta, V and W. Neglecting W, which is isotropic and the stresses are equiaxial and without grain orientation (hkl) dependence, the BCC metals may be grouped into two classes. In the first class (Cr, Mo, Nb and V), the (100)-oriented grains have the largest stresses, while the stresses σ1 and σ2 in other (hkl)-oriented grains decrease linearly with the increase of the angle between (hkl) and (100), and with σ1 〈 σ2 except in (100)- and (lll)-oriented grains. In the second class (Fe and Ta), on the contrary, the (100)-oriented grains have the lowest stresses, and the stresses σ1 and σ2 in other (hkl)-oriented grains increase linearly with the increase of the angle between (hkl) and (100), and with σ1 〉 σ2 except in (100)- and (111)-oriented grains.  相似文献   
16.
定量脉冲产生电路   总被引:2,自引:0,他引:2  
徐洊学 《物理实验》2005,25(1):44-45,48
采用CMOS数字集成电路设计了特殊的脉冲电路,该电路能够根据设定输出指定数目的脉冲。  相似文献   
17.
Ni、Co/AAO纳米有序阵列复合结构光吸收特性的比较研究   总被引:2,自引:3,他引:2  
在多孔阳极氧化铝(AAO)模板中分别沉积金属镍(Ni)、钴(Co),制备了Ni/AAO和Co/AAO纳米有序阵列复合结构,对其光吸收特性进行了比较研究。实验结果表明.相同结构参量的模板中,Ni、Co纳米粒子的表观形状随沉积时间的变化规律基本一致.但Co/AAO及Ni/AAO复合结构的光吸收特性却有较大差异。Ni/AAO复合结构表现出间接带隙半导体的光学特征.而Co/AAO复合结构具有直接带隙半导体的光学特征。同时,随金属沉积量的增加,Ni/AAO吸收边的红移量仅约为13nm.而Co/AAO复合结构的吸收边红移量却超过了80nm。用Maxwell-Garnett(M-G)理论分析了导致二者光吸收特性存在较大差异的主要原因。  相似文献   
18.
  参照现有大学物理层次的科里奥利加速度的各种讲法,本文运用尽可能简短的文字,通过一个特例勾勒出科里奥利加速度的基本概念。  相似文献   
19.
The F-expansion technique and the homogeneous nonlinear balance principle have been applied for solving a general (19-1)-dimensional nonlinear Schrodinger equation (NLSE) with varying coetficients and a harmonic potential. A family of (1+1)D spatial solitons has been obtained. The evolution features of exact solutions have been investigated.  相似文献   
20.
介绍了一种获得准等时性储存环的方案,即调节Lattice参数,在色散段引入负色散函数从而降低线性滑相因子,获得短束团。根据此方案设计了用于相干太赫兹光源的准等时性储存环,结果给出了线形光学函数曲线以及粒子的动力学孔径,表明了通过调节四极铁参数可以达到降低束团长度获得准等时性储存环的目的。还设计了用于准等时性储存环弯铁处的真空室的3维模型,并对其类腔体部分的本征模进行了计算,得到特性阻抗与品质因数的比值在10-3量级以下,表明类腔体部分对束流的影响很小。  相似文献   
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