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通过溶剂分散热处理方法制备了一种吡咯和对甲苯磺酸(TsOH)共同修饰的碳载非贵金属复合催化剂(Fe-N/C-TsOH),并采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)对催化剂的形貌和组成成分进行表征. 借助循环伏安法(CV)和旋转圆盘技术研究了TsOH对催化剂在0.1 mol·L-1 KOH介质中催化氧还原性能的影响. 结果表明:TsOH的存在对催化剂催化氧还原反应(ORR)的活性影响很大. 以其制备的气体扩散电极在碱性电解质溶液中催化氧还原过程时转移的电子数为3.899,远比不含TsOH修饰的催化剂催化氧还原的电子数(3.098)高. 此外,研究发现600 ℃热处理过的Fe-N/C-TsOH催化剂表现出最佳的氧还原催化性能. 相比未经热处理过的Fe-N/C-TsOH催化剂,起峰电位和-1.5 mA·cm-2电流密度对应的电压分别向正方向移动30 和170 mV. XPS研究结果表明吡咯氮是催化剂主要活性中心,提供氧还原活性位,而TsOH加入形成的C―Sn―C和―SOn―有利于催化剂催化氧还原活性的提高,从而使该催化剂对氧还原表现出很好的电催化性能和选择性. 相似文献
92.
93.
采用Matlab和Comsol建立单模光纤内激光传输模型,对双包层内光纤折射率和纤芯结构对光能量分布的影响进行了理论研究。系统分析了光纤芯径与数值孔径、归一化频率和功率填充因子的关系,依据得到的结果进一步采用多模物理耦合仿真方法对不同类型的单模双包层光纤纤芯的能量分布进行仿真,探索了不同折射率分布情况对纤芯能量分布的影响。计算和仿真结果表明:凹面折射率分布光纤的光斑模场面积最大,单位面积的功率分布最低。针对大功率光纤激光器的应用需求设计了工作波长为1.064 m、纤芯直径为10 m、凹面直径为8 m、数值孔径为0.12的单模凹面折射率双包层光纤,为提高光纤泵浦效率、降低纤芯的能量密度提供了思路。 相似文献
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采用RP-HPLC法同时测定二色补血草茎中芦丁和槲皮素的含量.以Hypersil ODS2色谱柱(4.6mm×250mm,5μm),柱温为室温,以CH3OH-0.5% H3PO4为流动相,流速1mL/min,检测波长为355nm,测定二色补血草茎中芦丁和槲皮素的含量.芦丁在0.12-1.20μg、槲皮素在0.04-0.40μg范围内呈良好的线性关系,相关系数分别为0.9999和0.9997,芦丁回收率为101.42%,RSD为0.98%,槲皮素回收率为102.85%,RSD为1.32%.该方法操作简单,线性关系好. 相似文献
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高功率半导体激光器阵列已经广泛应用于许多领域。Smile效应是由高功率半导体激光器阵列(巴条)本身在封装过程中与热沉之间热膨胀系数(CTE)失配导致的热应力造成的。各个发光点在横向上不在一条直线上,从而导致半导体激光阵列整体发光弯曲。较大的Smile值可以引起光束质量降低、造成光束耦合和光束整形困难。为了降低热串扰实现巴条温度均匀化,我们在传统CS热沉的基础上,引入高热导率铜基石墨烯(GCF)与孔状结构,对CS被动式制冷半导体巴条热应力分布不均导致的Smile效应进行了数值模拟与仿真分析。在热功率为60 W的条件下,一方面,当仅有GCF材料,并且其长度为8 mm时,温差从最初的7.94 ℃降低到3.65 ℃;另一方面,在合理的温升范围内,当GCF的长度为8 mm时,结合增加热沉热阻的孔状结构时,温差进一步降低到3.18 ℃。 相似文献
96.
从半导体激光直接调制理论出发,对直接调制过程中影响半导体激光器高频调制性能的因素进行了研究;运用PSpice建立半导体激光器等效电路模型,仿真研究了电学寄生参数对半导体激光器调制特性的影响且提出了相应的提高其调制性能的方法。在研究半导体激光器调制特性的基础上,设计了一种半导体激光直接调制系统。运用OrCAD/PSpice对直接调制驱动系统进行仿真。研制的半导体激光调制系统实现了频率为1 MHz、平均功率为1.1 W的调制激光输出。 相似文献
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98.
99.
Qi-Qi Wang 《中国物理 B》2022,31(9):94204-094204
Broad area semiconductor laser (BAL) has poor lateral beam quality due to lateral mode competition, which limits its application as a high-power optical source. In this work, the distributed Bragg reflector laser diode with tapered grating (TDBR-LD) is studied. By changing the lateral width, the tapered grating increases the loss of high-order lateral modes, thus improving the lateral characteristics of the laser diode. The measuring results show that the TDBR-LD can achieve a single-lobe output under 0.9 A. In contrast to the straight distributed Bragg reflector laser diode (SDBR-LD), the lateral far field divergence of TDBR-LD is measured to be 5.23° at 1 A, representing a 17% decline. The linewidth of TDBR-LD is 0.4 nm at 0.2 A, which is reduced by nearly 43% in comparison with that of SDBR-LD. Meanwhile, both of the devices have a maximum output power value of approximate 470 mW. 相似文献