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122.
测定了亚单层InGaAs/GaAs量子点-量子阱异质结构在5K下的时间分辨光致发光谱.亚单层量 子点的辐射寿命在500 ps 至 800 ps之间,随量子点尺寸的增大而增大,与量子点中激子的 较小的横向限制能以及激子从小量子点向大量子点的隧穿转移有关.光致发光上升时间强烈 依赖于激发强度密度.在弱激发强度密度下,上升时间为 35 ps,纵光学声子发射为主要的 载流子俘获机理.在强激发强度密度下,上升时间随激发强度密度的增加而减小,俄歇过程 为主要的载流子俘获机理.该结果对理解亚单层量子点器件的工作特性非常有用.
关键词:
亚单层
量子点-量子阱
时间分辨光致发光谱 相似文献
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所谓非智力因素是指除智力与能力之外决定智力活动效益的一切心理因素,它一般是指学习的兴趣、动机、情感、意志、行为习惯、方法、个性心理等因素.它是一个有机整体,制约着人的智力活动和智慧潜能的发挥,对学生的学习产生重大影响.它反映在学生个体上既有积极的,也有消极的.非智力因素的开发、优化,将使作为智力因素的观察、思维、想象能力提高得更快,能进一步帮助学生学习掌握多种知识、技能. 相似文献
124.
利用碱金属原子与理想金属表面间范德瓦尔斯(vdW)作用势和不可约张量方法,首次计算了133CS激发态62D3/2 (F=2,3,4,5)原子超精细结构的C3系数.数值分别对应为:17.9956 、18.0796 、18.0857 及18.1756 .为了说明其结果的准确性,还与其他作者的理论数据和相关实验数据进行了比较,结果表明本文所得到的133CS激发态62D3/2 (F=2,3,4,5)原子的C3数值是可靠的. 相似文献
125.
正在研制的上海激光电子γ源是MeV量级的高品质γ光束线站,基于该装置可以开展一系列核天体物理实验, 从而更准确的确定各天体核合成反应的反应率. 本文研究了天体核合成中的关键反应12C(α,γ)16O的反应率. 根据多组实验和理论截面数据分别计算了反应率, 并给出了这些反应率计算结果的平均值和统计误差. 根据该结果拟合了理论反应率的解析形式, 确定了新的参数. 进而给出俘获反应12C(α,γ)16O在He燃烧环境下的反应率和误差, 并讨论了电子屏蔽效应对天体反应率的修正. 相似文献
126.
127.
128.
以正硅酸乙酯为前驱体,氨水作催化剂,采用溶胶-凝胶法提拉镀制SiO2双面膜,对薄膜进行氨处理和热处理。采用椭偏仪、分光光度计、红外光谱、扫描探针显微镜、静滴接触角测量仪表征薄膜的特性。研究表明:经氨热两步后处理,膜厚持续减小,折射率经氨处理先增大了0.236,再经热处理又减小了0.202,膜层透光性变好,透过率峰值持续向短波方向移动;经两步后处理的膜面平整度明显变好,与水的接触角先增大到58.92°后减小到38.07°。 相似文献
129.
本文利用文献[3]中关于大半径圆对称 Sine-Gordon 孤子的微扰理论结果,从理论上论证了圆对称环域 Josephson 结模型的合理性.我们发现,孤子的最小半径,ρ_(min) 相应于环域结的内半径,而ρ=2ρ_s 可以作为环域结的外半径. 相似文献
130.