(一)-△~(9(12))-CapneUene类的合成中间体——光学活性5-甲基-8-羟基双环[3,3,0]2一辛酮的不对称合成研究

通过手性硝基烯胺(4)与α-甲基-δ-戊内酯烯醇锌盐发生加成消除反应解决了倍半萜Capnellene类合成中构筑不对称季碳这个难题,对映体过量(e. e. )为94％。由L-脯氨酸经14步实现了(一)-△~(9(12))-Capnellene类的合成中间体——光学活性5-甲基-8-羟基双环[3 3,0]-2-辛酮(13)的对映选择合成。     

Growth and Characterization of A1GaN/A1N/GaN HEMT Structures with a Compositionally Step-Graded A1GaN Barrier Layer

A new A1GaN/A1N/GaN high electron mobility transistor （HEMT） structure using a compositionally step-graded A1GaN barrier layer is grown on sapphire by metalorganic chemical vapour deposition （MOCVD）. The structure demonstrates significant enhancement of two-dimensional electron gas （2DEG） mobility and smooth surface morphology compared with the conventional HEMT structure with high A1 composition A1GaN barrier. The high 2DEG mobility of 1806 cm2/Vs at room temperature and low rms surface roughness of 0.220 nm for a scan area of 5μm×5 μm are attributed to the improvement of interracial and crystal quality by employing the stepgraded barrier to accommodate the large lattice mismatch stress. The 2DEG sheet density is independent of the measurement temperature, showing the excellent 2DEG confinement of the step-graded structure. A low average sheet resistance of 314.5Ω/square, with a good resistance uniformity of 0.68%, is also obtained across the 50 mm epilayer wafer. HEMT devices are successfully fabricated using this material structure, which exhibits a maximum extrinsic transconductance of 218 mS/ram and a maximum drain current density of 800 mA/mm.     

关于数列{2~n}

易知等比数列{2~n}前n项的和为S_n=a_(n+1)-2。对于这个关系式,我们有三点联想。 (一)简便求和。若a_5=32,则S_4=30。 (二)判定由关系式a_(n+1)=rS_n+S给出的数列是否为等比数列。事实上a_(n+1)=rS_n+S (1) a~n=rS_(n-1)+S (2) (1)-(2)得a_(n+1)-a_n=r(s_n-S_(n-1))=ra_n a_(n+1)/a_n=r+ 因此,r≠-1,a_1=S,{a_n}为等比数列。 (三)等比数列前n项和公式的新法推导。     

二元Schur凹copula的次对角部分

任意给定一个二元Schur 凹copula, 结合其自身和次对角部分, 利用取大和取小运算, 构造了一类新copula, 使得次对角部分相互重合, 讨论了新copula 的Schur 凹性与Schur 几何凹性.     

图形处理器并行计算用于离子发动机粒子模拟

 为了研究离子发动机羽流对航天器的影响,采用质点网格-蒙特卡罗碰撞方法对离子发动机羽流中的交换电荷离子进行了模拟。利用计算设备统一架构技术,开发出一套基于图形处理器的并行粒子模拟程序。随机数生成采用并行MT19937伪随机数生成器算法,电场方程使用完全近似存储格式的代数多重网格法求解。r-z轴对称坐标系中,在z=0 m处获得的电流密度均值为4.5×10^-5 A/m²,图形处理器所得结果与中央处理器模拟结果吻合。在16核心的NVIDIA GeForce 9400 GT图形显示卡上,取得相对于Intel Core 2 E6300中央处理器4.5~10.0倍的加速比。     

分光光度法研究水-乙醇体系析相萃取分离和富集PdBr2-4

用可见分光光度法研究了水-乙醇体系析相萃取分离和富集PdBr42-的行为及与一些金属离子分离的条件.结果表明,(NH4)2SO4能使乙醇的水溶液分成两相,在分相过程中,Pd(Ⅱ)与KBr生成的PdBr42-与质子化乙醇(C2H5OH2+)形成的缔合物[PdBr42-][C2H5OH2+]2能被乙醇相完全萃取.当乙醇、K...     

测定金属热膨胀系数的新方法

热膨胀是固体材料的一个重要特性.线膨胀系数是工程设计、精密仪器制造、材料焊接和加工中必须考虑的重要参数之一.学习线膨胀系数的测量是十分有意义的.     

定量脉冲产生电路

采用CMOS数字集成电路设计了特殊的脉冲电路，该电路能够根据设定输出指定数目的脉冲。