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991.
用最小偏向角法在20℃下精确测量了0.62Pb(Mg1/3Nb2/3)O3< /sub>-0.38PbTiO3( 0.62PMN-0.38PT)单晶的折射率,给出了该温度下折射率色散的Sellmeier方程.研究了能带 结构与折射率的关系,计算了样品的Sellmeier光学系数:对no,E0=5.50eV,λ0=0.2 26μm,S0=1.004×1014m-2,Ed=28.1 0eV;对ne,E0=5.57eV,λ 0=0.223μm,S0=1.017×1014m-2,Ed=28.10eV.A BO3型钙钛矿材料中,BO6八面体基元决定了晶体的能带结构,对折 射率产生重要影响.
关键词:
PMNT单晶
折射率
Sellmeier光学系数 相似文献
992.
及万会 《纯粹数学与应用数学》1997,13(2):118-123
用初等方法证明了:当n,r为正整数且r〉1,s≥0整数,δ=10s+1,丢番图方程Σ↑n-1↓k=0(1+δk)^r=(1+δn)^r无整数解。 相似文献
993.
994.
995.
996.
管状固体激光器热应力分析 总被引:3,自引:0,他引:3
导出了非均匀发热模型下的管状固体激光器热应力分布及热功率负载,并且和均匀发热模型及板条近似下的热功率载作了详细比较。 相似文献
997.
998.
999.
1000.
Defects in GaN Films Grown on Si(111) Substrates by Metal-Organic Chemical Vapour Deposition 下载免费PDF全文
We report the transmission-electron microscopy study of the defects in wurtzitic GaN films grown on Si(111) substrates with AlN buffer layers by the metal-organic chemical vapour deposition method. The In0.1 Ga0.9N/GaN multiple quantum well (MQW) reduced the dislocation density by obstructing the mixed and screw dislocations passing through the MQW. No evident reduction of the edge dislocations density by the MQW was observed. It was found that dislocations with screw component can be located at the boundaries of sub-grains slightly in-plane misoriented. 相似文献