高考复习的想法和作法

我校是一所农村学校,高中各年级都只有一个班级,新生来源是在县中、区完中拣剩下来的初中毕业生,学制是二年制,再加上师资和设备都比较差,所以我们深深感到:总复习必须面对现实,走自己的道路。首先,关于复习内容问题。我们认为“以基本要求为纲,紧扣教材”这是我们的坚定不移的指导思想。我们学校的学生本来基础就不好,接受课本上的知识还有一定的困难,因此能通过复习搞通课本上的教材就不错了。另一方面,高考     

ZnSe相变、电子结构的第一性原理计算

基于第一性原理平面波赝势(PWP)和广义梯度近似(GGA)方法,对闪锌矿结构(ZB)和岩盐结构(RS)的ZnSe在0—20GPa高压下的几何结构、态密度、能带结构进行了计算研究,分析了闪锌矿结构ZnSe和岩盐结构ZnSe的几何结构.在此基础上,研究了ZnSe的结构相变、弹性常数、成键情况以及相变压强下电子结构的变化机理.结果发现:通过焓相等原理得到的ZB相到RS相的相变压强为15.3GPa,而由弹性常数判据得到的相变压强为11.52GPa,但在9.5GPa左右并没有发现简单立方相的出现;在结构相变过程中,sp3轨道杂化现象并未消除,Zn原子的4s电子在RS相ZnSe的导电性中起主要贡献.     

界面势垒对碳纳米管场发射特性的影响

以界面势垒对碳纳米管(CNT)场发射的影响为研究目的,在硅衬底上引进很薄的二氧化硅层,以二氧化硅层作为绝缘势垒,然后在二氧化硅界面层上直接生长CNT,来研究二氧化硅绝缘势垒层对CNT场发射的影响。场发射结果为:Fowler-Nordheim(F-N)曲线分为两部分,高电场下偏离F-N曲线并趋于饱和。在双势垒模型的基础上,从电场在两势垒上的分布不同及电子在两势垒上的隧穿几率不同,理论上分析了界面势垒对场发射的影响:低电场下电子在界面势垒的隧穿几率大于在表面势垒的隧穿几率,界面势垒对场发射不起阻碍作用,场发射遵守F-N规律;高电场下电子在界面势垒的隧穿几率小于在表面势垒的隧穿几率,场发射偏离F-N规律。理论对实验结果进行了合理的解释。     

下电极对ZnO薄膜电阻开关特性的影响

本文采用直流磁控溅射法在三种不同的下电极(BEs)上制备了ZnO薄膜, 获得了W/ZnO/BEs存储器结构. 研究了不同的下电极材料对器件电阻开关特性的影响. 研究结果表明, 以不同下电极所制备的器件都具有单极性电阻开关特性. 在低阻态时, ZnO薄膜的导电机理为欧姆传导, 而高阻态时薄膜的导电机理为空间电荷限制电流. 不同下电极与ZnO薄膜之间的肖特基势垒高度对电阻开关过程中的操作电压有较大的影响, 并基于导电细丝模型对不同下电极上ZnO薄膜的低阻态阻值及reset电流的变化进行了解释. 关键词： ZnO薄膜 电阻开关 下电极     

品味定性分析在物理解题中的妙用——一道选择压轴题的定性与定量求解

高考物理在考查知识的同时,注重考查能力,其中包括(定性与定量)分析综合能力和应用数学处理物理问题的能力.上海市宝山区2013届高三第一学期期末调研与江苏省扬州中学2013届高三第二学期质量检测卷选择题的压轴题则提供了很好的示范.在这里和大家一起赏析这道压轴题.【题目】如图1所示,在光滑的水平地面上有一     

Centimetre-Long Single Crystalline ZnO Fibres Prepared by Vapour Transportation

Centimetre-long ZnO fibres are synthesized by vapour transportation via thermal evaporation of ZnO powders. The growth process is carried out in a graphite crucible, in which ZnO powder is loaded as the source material, and a silicon wafer is positioned on the top of the crucible as the growth substrate. During the growth process, the source temperature is kept at 800℃ and the substrate temperature is kept at 600℃. Typical growth time to obtain centimetre-long ZnO fibres is 5-10 hours. Scanning electron microscopy （SEM）, x-ray diffraction （XRD）, transmission electron microscopy （TEM）, and selected area electron diffraction （SAED） measurement results show that ZnO fibres are single crystalline with high crystalline quality and very low defects concentration.     

嵌段磺化聚芳醚砜阳离子交换膜的制备及在MFC中的发电性能研究

采用嵌段共聚制备了具有不同链段长度的非磺化/磺化多嵌段型磺化聚芳醚砜阳离子交换膜(bSPAES),研究了bSPAES膜在微生物燃料电池(MFC)作为分离膜的性能.由于在亲水磺化部分引入了刚性更强的芴结构,bSPAES膜表现了更好的尺寸稳定性和水解稳定性.链段长度控制在10~30的bSPAES膜在30℃水中的尺寸变化表现为各向同性,介于10%~20%之间.bSPAES膜的质子导电率为81~140 mS/cm,远超过商用的ULTREX CMI-7000.经过1000 h MFC运行后,bSPAES膜电导率几乎没有发生降低.100℃24 h高温水稳定性试验表明,bSPAES膜的失重率仅在1.5%~6.3%之间.MFC最大功率密度也随着bSPAES中链段长度的增加而提高,链段长度为15~30的bSPAES膜的MFC产电性能优于商用ULTREX CMI-7000膜,bSPAES(30/30)膜在MFC中的最大功率密度达到705 mW/m2.     

CoFe2O4/CuO活化过氧乙酸高效降解磺胺甲恶唑(英文)

利用化学沉淀法和溶胶凝胶法,通过两步法成功制备出含有尖晶石钴铁氧体和氧化铜的复合催化剂CoFe₂O₄/CuO,通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)和X射线衍射(XRD)对制备出的CoFe₂O₄/CuO进行表征,探究不同高级氧化体系对磺胺甲恶唑(SMX)去除能力,考察过氧乙酸(PAA)浓度、催化剂投加量、水体中常见干扰物质(Cl^-,HCO-3,SO₄^2-,HA)和不同自由基捕获剂对SMX去除的影响。分析结果表明CoFe₂O₄/CuO同时具有CoFe₂O₄与CuO的特征,对比单独CoFe₂O₄与CuO,CoFe₂O₄/CuO对PAA展现出极高的活化性能,在最佳反应条件下(催化剂投加量=20mg·L^-1,c(PAA)=200μ...     

壳聚糖-Cu^2＋复合物膜固定葡萄糖氧化酶用于葡萄糖传感

利用壳聚糖(CS)对Cu2 的配位吸附作用,制得壳聚糖-Cu2 复合膜修饰电极,进一步通过Cu2 与蛋白质的配位作用,再将葡萄糖氧化酶(GOD)固定在金电极上制得GOD-Cu2 -CS/Au电极.该酶电极检测葡萄糖的线性范围为0.03～2.5 mmol·L-1,线性相关系数为0.997,检出限(S/N=3)为1 μmol·L-1.以电化学石英晶体微天平(EQCM)技术监测了各修饰过程.