高亮度大功率半导体激光器光纤耦合模块

应用ZEMAX软件设计出高亮度大功率光纤耦合模块。采用16支输出功率12 W的单偏振态单边发射半导体激光器,耦合进芯径100 μm、数值孔径0.22的光纤中。模块输出功率达到189.4 W,耦合效率达到98.6%,亮度达到94.66 MW/cm²-str。通过SolidWorks软件优化得到新热沉结构,应用ANSYS软件进行热分析,结果表明新热沉结构最高温度为42.4℃,相比优化前温度降低1℃以上,得到良好散热结构模型。     

烧结空洞对半导体激光器热分布的影响

在半导体激光器芯片与热沉的焊接过程中不可避免地会在焊料层产生一些空洞,而空洞会在铟的电迁移以及电热迁移作用下慢慢变大,使芯片局部温度迅速上升,进而影响半导体激光器的性能。针对10 W的808 nm单管焊装半导体激光器建立三维有限元模型,分别模拟计算了空洞面积、空洞厚度和空洞位置与结温的关系。芯片出光面边缘的有源区区域形成的空洞对芯片的结温影响更为显著,最后得到空洞面积与器件结温的关系,并表明对空洞率控制的重要性。     

理论研究F2BN3多聚体的结构特色和热力学稳定性

在密度泛函理论（DFT）B3LYP/6-311+G*水平上计算研究了叠氮二氟硼多聚体(F2BN3)n (n=1-4),获得了它们的结构和热力学性质,讨论了几何参数随聚合度的变化趋势。多聚体(F2BN3)2-4的优化构型均为由不同子体系的叠氮基α−N和B原子相连形成的环状结构。三聚体的船扭式构象比椅式构象的结合能低10.54 kJ•mol-1;四个新获得的四聚体的结合能差异较大,大小为3.1~45.65 kJ•mol-1。由焓变可知,单体形成二聚体在热力学上是不利的,而形成三聚体和四聚体在高达1200 K的温度下是有利的,同时分析比较了后续反应的热力学参数。     

分光光度法研究在氯化钠-四丁基溴化铵体系中Au(Ⅲ)与U(Ⅵ)、Ce(Ⅲ)、Mg(Ⅱ)和Cu(Ⅱ)的浮选分离

用分光光度法研究了氯化钠和四丁基溴化铵浮选分离金的行为及与一些金属离子分离的条件。结果表明,当溶液中氯化钠和四丁基溴化铵的浓度分别为2.5×10-3mol/L和4.0×10-4mol/L,pH3.0时,Au(Ⅲ)可与U(Ⅵ)、Ce(Ⅲ)、Mg(Ⅱ)和Cu(Ⅱ)离子定量分离,对合成水样中Au(Ⅲ)的分离和测定,结果满意。     

弱的参数周期扰动对一非线性系统安全域的影响与分形侵蚀安全域的控制

讨论了弱参数周期扰动对于非线性系统安全域的影响,在一定频率下的参数周期扰动将加速安全域的分形侵蚀,而在另一些频率的扰动下,将抑制安全域的分形侵蚀,并且存在着增进安全域的最优频率.提出了用弱参数周期扰动控制受到分形侵蚀的安全域的方法,并用Melnikov方法进行了分析.最后讨论了这种控制安全域的方法在实际环境中当具有外加噪声时的鲁棒性. 关键词： 分形吸引域边界 参数的周期扰动 控制     

基于多曝光图像融合的沙尘图像增强

针对沙尘图像存在细节模糊、对比度低和颜色偏移等问题,提出了基于多曝光图像融合的沙尘图像增强算法.首先对蓝通道进行补偿,以弥补沙尘图像的蓝光损失;其次对图像的RGB三通道分别进行标准化,以减小通道直方图之间的偏离,从而去除偏色.为了提高图像中不同区域的细节,采用线性参数控制的方法生成多幅曝光图像.通过用对比度、饱和度和良...     

ICP—AES法测定合金钢及镍基合金中钨

本文对ICP－AES法测定合金钢及镍基合金中的钨进行了系统的研究。试验表明，钨400.875纳米不受钼400.867纳米线干扰，亦无其它光谱干扰，测量范围在0.2-2%时相对标准偏差不大于3.7%，准确度较好。经过对不同基体及不同组分标钢的测定，有13种标钢能够很好共线，证明钨的测定非光谱干扰基本可忽略不计。本方法化学处理简单，不需分离掩蔽等手段可直接测定。     

质子交换光波导生长动力学研究

分析了质子交换光波导的生长动力学并给出了波导层厚度与生长时间的计算公式。     

第17届国际理论和应用力学大会介绍

第17届国际理论和应用力学大会(ICTAM)于1988年8月21日—27日在法国格勒诺布尔(Grenoble)举行。国际理论和应用力学大会是由国际理论和应用力学联合会(IUTAM)组织领导的世界力学最高学术会议,每四年召开一次。第一次大会1924年在荷兰召开。大会内容包括力学的全部领域,并划分为分析力学、流体力学和固体力学三大部分。