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51.
用高錳酸銀热分解产物复盖在試样上进行灼烧和用同一試剂作固定填充剂并采用較高的氧气流速能使有机物在三分钟內氧化完全。为闡明燃烧过程,故比較本法、Krbl法和套管热分解法所产生的二氧化碳热导曲线。此外,尚討論燃烧温度、氧气流速和复盖的氧化剂所起的作用。  相似文献   
52.
在中學裏,批改數學練習本,一般的說,目前還是一個存在的問題,特別是批改幾何練習本困難最多,問題最大,因此許多老師大多採取“全面檢閱,輪改抽查,重點批改,加强總結”等辦法,最近數學通報上又介紹了一種批改紙片上的習題的辦法(1955年2月號),這些方法,雖然都有着一定的優點,能節省老師們一定的時間和精力,使他們能更好地進行備課和學習,以及進修等工作,但根據目前學生的知識質量,學生的學習態度舆學習方法的情况來說,特別是對初中的學生青少年們來說,這些批改方法的實際效果和作用究竟有多大,還有值得研究的地方,我認為這些方法(包括全批全改在內)都有下列幾個共同的缺點: 1.不管全批全改也好,重點批改也好,輪改抽查也好,當練習本發給同學後,他們是否認  相似文献   
53.
现在高中三年級使用的人民教育出版社出版的十二年制物理課本中,不讲三相交流电。我們考虑到三相交流电应用很广,所以这几年常常在課外向成績較好并爱好物理的一部分学生补充一些这方面的基本知識。讲三相交流电連接法吋,說到星形連接的电路中,存在着两种电压,即相电压和綫电压。一般书上是利用旋轉矢量求矢量差的图解法証明V_线=3~(1/2)V_相。但是高中学生沒有学过旋轉矢量,所以不能用这样的証法。也可以直接利用三角公式求两个正弦量的差,得出这一关系。但只运用数学公式推导出来結論,学生有时  相似文献   
54.
高級中学課本平面解析几何(人民教育出版社出版,1963年第一版)中适当地介紹了解析几何在各方面的应用。本文仅就涉及到天文方面的某些問題,稍作說明,供正在鉆研这一課本的同志們参考。 1.地球是一个椭球体。課本在总复习題的第17題中提出地球的子午綫是一个椭圆,压縮率α=1/300。这个問題是这样的:我們設想把占地球表面3/4的海平面延伸和穿过大陆,就得到所謂“大地水准面”。这个大地水准面“第一次近似”于一个圓球面,在这个圓球面上通过南北两极的大圓称为子午綫。当月蝕現象发生时,就能看到地球在月亮上的影子始終为圓弧形,这就証明了只有地球近似于圓球形物体,其影子才能为圓弧形。基于这一了解,紀元前三世紀时,大地测量学者埃拉托斯芬在埃及亚历山大城,通过对子午綫弧的測量来算出地球子午綫周长約为40,000公里,地球半径約为12,700公里。由于测量仪器的精确度的限制,他所  相似文献   
55.
当我們明确了排列組合的基础知識以后,許多重要公式便可以进行推演,从而获得有关排列組合恒等变换的技巧,与化簡計算的技能。事实上,排列数組合数若統一以阶乘形式表示,將得到某些解題的便利。  相似文献   
56.
用分光光度法研究了氯化钠和四丁基溴化铵浮选分离金的行为及与一些金属离子分离的条件。结果表明,当溶液中氯化钠和四丁基溴化铵的浓度分别为2.5×10-3mol/L和4.0×10-4mol/L,pH3.0时,Au(Ⅲ)可与U(Ⅵ)、Ce(Ⅲ)、Mg(Ⅱ)和Cu(Ⅱ)离子定量分离,对合成水样中Au(Ⅲ)的分离和测定,结果满意。  相似文献   
57.
以二苯甲酮为原料,经McMurry、硝化、还原反应合成了化合物3,总收率为59%,其化学结构经1H NMR和13C NMR确证。进一步采用紫外可见吸收光谱和荧光光谱对3在溶液中的聚集发光行为进行研究,结果表明:化合物3具有可逆的溶剂/pH双重响应聚集诱导发光(AIE)特性,主要是由于其在溶液中的聚集状态发生变化。   相似文献   
58.
用三维边界元法(BEM)标定了一种岩石断裂韧度试样的柔度,求出了这种试样的平均无量纲应力强度因子(SIF),并得到了对应于最大载荷时的临界裂纹长度和平均无量纲SIF的最小值.  相似文献   
59.
随着半导体激光器光源在激光加工领域的应用不断拓展,研制高耦合效率的半导体激光器光纤耦合模块变得十分重要。为了进一步提高光纤耦合激光二极管模块的输出功率,本文应用ZEMAX光学设计软件进行仿真模拟,将12只波长为808 nm、输出功率为10 W的单管半导体激光器通过合束方法高效率耦合进光纤。耦合光纤芯径为150μm、数值孔径为0.22,光纤输出功率为116.2 W,耦合效率为96.8%。  相似文献   
60.
介绍了一种氩、氢混合等离子体清洗GaAs基片的实验工艺,深入研究了氩、氢等离子体清洗GaAs表面污染物和氧化层,并活化表面性能的基本原理,同时讨论了气体流量、溅射功率和清洗时间等不同溅射参数对等离子体清洗效果的影响。结果表明,在氩气和氢气流量分别为10 cm3/min和30 cm3/min,溅射功率为20 W,清洗时间为15 min的条件下,GaAs样品的光致发光强度提高达139.12%,样品表面的As-O键和Ga-O键基本消失。  相似文献   
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