InAs/AlAs/GaAs量子点的光致发光光谱研究

采用分子束外延技术生长InAs/AlAs/GaAs量子点,用透射电镜观察量子点的截面形貌,用光致发光光谱仪测试量子点的发光光谱.透射电子显微镜及光致发光光谱结果表明,量子点底部观察不到InAs浸润层,室温下样品的光致发光峰值波长达1.49 μm,为研制光纤通讯中的半导体量子点激光器提供了实验依据.     

F2＋vF2上生成M序列的非奇异反馈函数的性质

M序列是一类最长的非线性伪随机序列．本文研究了在F2＋vF2上生成M序列的非奇异反馈函数f（x1，X2，…，xn）所具有的3条性质：1）Rf≠f；2）Djf为互不相同的生成M序列的非奇异反馈函数（j=1，v，1＋v）；3）在f的多项式表达式中，常数项j。一定不为0；若线性项x2，x3，…，xn全出现，则它们的系数不能全为1或j。     

Bi4Ge3O12晶体及其熔体结构的高温拉曼光谱研究

研究了BGO晶体在不同温度下(在300-1323 K的温度范围)的拉曼光谱及其熔体的高温拉曼光谱,分析了BGO晶体结构随温度变化的规律及BGO熔体的结构特征.随着温度的升高,BGO晶体的拉曼光谱谱峰都不同程度地向低波数方向移动,也存在不同程度的展宽,同时强度减弱.另外,在BGO熔体中存在[GeO4]和[BiO6]的结构基团;但两种结构之间的联键消失,即在熔体中二者是相互独立的生长基元.     

可调谐激光晶体Cr:GSGG的光谱分析及晶场参数计算

用提拉法成功生长出了优质的Cr3+:Gd3Sc2Ga3O12晶体,测定了室温下的吸收光谱和不同温度下的荧光光谱,计算了晶场参数,发现荧光峰值及晶场参数与以前文献报道的均不相同.吸收光谱中,在458.5nm和642.5nm出现了较强的宽带吸收峰,分别对应于Cr3+的4A2→4T1和4A2→4T2的吸收跃迁,在678nm处又叠加了一个非常弱的吸收峰,对应于4A2→2T1的吸收跃迁.测试了晶体从7K到室温的荧光光谱和荧光寿命,在650～850nm范围内出现了宽带荧光,对应于Cr3+的4T2→4A2的发射跃迁.随着温度的升高,荧光峰向长波方向移动,荧光峰半高宽增大,室温下其荧光峰值在732nm,半高宽约为80nm.低温(7K)下的荧光谱中,在694nm处观察到了尖而锐的R线(零声子线),对应于Cr3+的2E→4A2的发射跃迁.由于温度猝灭效应,随着温度升高,晶体的荧光寿命降低,室温下荧光寿命约为114μs.计算了晶场强度参数Dq/B=2.49,4T2零声子能级与2E能级的间距△E为204cm-1,这些参数表明Cr3+处在较弱的晶场中,有利于4T2→4A2的宽带跃迁,Cr:GSGG晶体是较为理想的可调谐激光工作物质.     

β-环糊精-苯甲酰二茂铁缩氨基硫脲包合物特征及微环境效应研究

用饱和水溶液法制备了β-环糊精(β-CD)-苯甲酰二茂铁缩氨基硫脲(TBF)的超分子包合物。等摩尔连续变化法证明两者形成了摩尔比为2∶3(TBF∶β-CD)的包合物,通过测定的相应紫外光谱数据求得包合常数K为5.04×1013(L4·(mol)-4)。UV, FTIR, X射线粉末衍射进一步研究其包结特性。同时, 从微环境的角度研究了不同溶剂对β-CD-TBF和TBF的UV光谱的影响以及在水溶液体系中pH值的变化对TBF和包合物的影响特征。结果表明溶液中不同微环境对客体及超分子包合物的电子光谱有着显著而不同的影响。     

基于数据重建的三角网格模型简化优化方法

由CT切片数据重建得到的三角网格模型常存在数据量大、狭长三角形多等问题,针对这些问题,研究了一种保持特征的高质量三角网格模型的简化优化方法。该方法分为网格简化和网格优化两个阶段。首先,采用基于曲面变化的二次误差度量计算边折叠代价,并按代价值的大小进行迭代的折叠简化,可较好地保持模型表面的特征;其次,通过二阶加权伞算子对简化模型中局部存在的狭长三角形进行优化处理,改善三角网格模型的质量。实验结果表明,该方法能够较好地保持特征区域的细节信息,并可靠地生成高质量、低几何误差的简化模型。     

椭偏法测量云母波片相位延迟量及双折射率

为了得到云母波片的相位延迟量和双折射率随波长的变化关系,利用椭偏光谱仪连续测量了云母波片在400~770 nm光谱范围内的延迟量.在对云母波片进行校准后,测量的数据被光电探测器收集并输送到计算机,根据输出的数据可以得到云母波片的相位延迟量随波长的变化.利用测得的延迟量计算出了云母波片在一定光谱范围内的双折射率,得到了云母波片的双折射率色散曲线,并通过拟合得到了双折射率色散公式.该方法能测量任意波片的相位延迟量,并且具有测量方便、周期短、精度高等特点.     

Stacking-faults-free zinc blende GaAs/AlGaAs axial heterostructure nanowires during vapor-liquid-solid growth

Pure zinc blende structure GaAs/AlGaAs axial heterostructure nanowires (NWs) are grown by metal organic chemical vapor deposition on GaAs(111) B substrates using Au-catalyzed vapor-liquid-solid mechanism.Al adatom enhances the influence of diameters on NWs growth rate.NWs are grown mainly through the contributions from the direct impingement of the precursors onto the alloy droplets and not so much from adatom diffusion.The results indicate that the droplet acts as a catalyst rather than an adatom collector.     

Photon tunneling and transmittance resonance through a multi-layer structure with a left-handed materialvspace2pt

This paper investigates the photon tunneling and transmittance resonance through a multi-layer structure including a left-handed material(LHM). An analytical expression for the transmittance in a five-layer structure is given by the analytical transfer matrix method. The transmittance is studied as a function of the refractive index and the width of the LHM layer. The perfect photon tunneling results from the multi-layer structure, especially from the relation between the magnitude of the refractive index and the width of the LHM layer and those of the adjoining layers. Photons may tunnel through a much greater distance in this structure. Transmittance resonance happens, the peaks and valleys appear periodically at the resonance thickness. For an LHM with inherent losses, the perfect transmittance is suppressed.     

固体超强酸SO_4~(2-)/TiO_2对萘齐聚反应的催化作用

报道了使用固体超强酸催化剂ＳＯ２４／ＴｉＯ２对萘进行的齐聚反应。考察了不同制备条件如焙烧温度、硫酸浓度与催化活性之间的关系，同时研究了反应因素对收率的影响。实验表明，当硫酸浓度为０．５ｍｏｌ／Ｌ、焙烧温度在４５０～５００℃之间，催化剂的反应活性最高；延长反应时间、提高反应温度将有利于齐聚反应的进行；改变催化剂剂量也会影响齐聚反应。此外采用质谱分析方法对萘齐聚产物进行了分析，结果表明萘在ＳＯ２４／ＴｉＯ２的作用下生成的齐聚产物以二聚体为主，其分子量分布主要集中在二聚体到四聚体之间。